Магазин

Показано 4601–4640 із 6333Сортовано за останнім

Показати 20 40 80

Мікросхема LF356N , DIP8

Немає в наявності

41,36 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникTexas Instruments
ТипОпераційний підсилювач з JFET-входом (BI-FET)
КорпусDIP8
Корпус (докладно)DIP-8 (N08E)
Напруга живлення, макс.±18 В (абсолютний максимум для LF355/6/7)
Напруга зміщення нуля VOS3 мВ типово, 10 мВ макс. (RS = 50 Ом, TA = 25 °C)
Вхідний струм зміщення IB30 пА типово, 200 пА макс. (TJ = 25 °C)
Коефіцієнт підсилення AVOL25 В/мВ мін., 200 В/мВ типово (VS = ±15 В, VO = ±10 В, RL = 2 кОм, TJ = 25 °C)
Добуток підсилення на смугу GBW5 МГц (типово, TA = TJ = 25 °C, VS = ±15 В)
Швидкість наростання SR12 В/мкс (типово, AV = 1, TA = TJ = 25 °C, VS = ±15 В)
Струм споживання5 мА типово, 10 мА макс. (LF356, TA = TJ = 25 °C, VS = ±15 В)
Макс. температура переходу115 °C (для LF355/6/7)
Розсіювана потужність670 мВт (TA = 25 °C)

Мікросхема LF355N , DIP8

Немає в наявності

61,57 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипОпераційний підсилювач з JFET-входом
КорпусDIP8
Напруга живлення, макс.±22 В (абсолютний максимум для серії LF155–LF357)
Напруга зміщення нуля Vio3 мВ типово, 10 мВ макс. (Rs = 50 Ом, Tamb = 25 °C, Vcc = ±15 В)
Вхідний струм зміщення Iib20 пА типово, 200 пА макс. (Tamb = 25 °C, Vcc = ±15 В)
Коефіцієнт підсилення Avd25 В/мВ мін., 200 В/мВ типово (RL = 2 кОм, Vo = ±10 В, Tamb = 25 °C)
Добуток підсилення на смугу GBP2.5 МГц (типово, Tamb = 25 °C, Vcc = ±15 В)
Швидкість наростання SR5 В/мкс (типово, Av = 1, Tamb = 25 °C)
Струм споживання2 мА типово, 4 мА макс. (без навантаження, Tamb = 25 °C, Vcc = ±15 В)
Розсіювана потужність Ptot570 мВт (абсолютний максимум)
Робоча температура0…70 °C (серія LF355)

Мікросхема LD7591GS ( LD7591T , LD7591TGS ) , so-8

Немає в наявності

49,35 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникLeadtrend
ПризначенняPFC-контролер, режим переходу (transition mode)
Макс. напруга живлення Vcc26 В (абсолютний максимум)
Поріг вмикання UVLO12.0 В (типово, VCC = 14 В, 25 °C)
Поріг вимикання UVLO8.5 В (типово, 25 °C)
Струм старту20 мкА (типово), 30 мкА (макс.), 25 °C
Опорна напруга Vref2.5 В (VINV = 1–4 В, 25 °C)
Рівень захисту VCC OVP21 В (типово, 25 °C)
Поріг вимірювання струму CS0.8 В (типово, 25 °C)
Струм драйвера виходу800 / -1200 мА
Розсіювана потужність400 мВт (при 85 °C навколишнього середовища)
КорпусSO-8

Мікросхема LD7550 ( LD7550BBN ) ,DIP8

Немає в наявності

46,53 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникLeadtrend Technology
ПризначенняШІМ-контролер струмового режиму з «зеленим» режимом
Макс. напруга живлення Vcc36 В (абсолютний максимум)
Поріг вмикання UVLO16.0 В (типово, VCC = 15 В, 25 °C)
Поріг вимикання UVLO11.4 В (типово, 25 °C)
Струм старту5 мкА (типово), 25 мкА (макс.), 25 °C
Частота перемикання66.5 кГц (типово, RT = 100 кОм, 25 °C)
Макс. напруга на вході CS0.85 В (типово, 25 °C)
Струм драйвера виходу300 мА
Макс. температура переходу150 °C
КорпусDIP8

Мікросхема LD7522HPS ( LD7522PS ) , so-8

Немає в наявності

42,30 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникLeadtrend Technology
ПризначенняШІМ-контролер струмового режиму з green-mode
Макс. напруга живлення VCC30 В
Поріг вмикання UVLO16 В (типово, Vcc = 15 В, Ta 25 °C)
Поріг вимикання UVLO10 В (типово)
Струм старту20 мкА (типово, макс. 35 мкА, Ta 25 °C)
Робочий струм3.5 мА (типово, Vcomp = 0 В, навантаження 1 нФ на OUT)
Частота перетворення65 кГц (типово)
Частота в green-mode20 кГц (типово)
Макс. напруга на вході CS0.85 В (типово)
КорпусSO-8

Мікросхема LD5850GS , so-8

Немає в наявності

79,90 ₴
ПараметрЗначення
Діапазон вхідної напруги9–28 В
Макс. напруга VCC, DRV, CS, FB, OVP30 В
Частота перетворення180 кГц (тип.; Vcc = 12 В, Ta 25 °C)
Макс. коефіцієнт заповнення90 % (тип.)
Опорна напруга FB0.3 В (±3 %)
Поріг датчика струму CS0.5 В (тип.)
Струм драйвера затвора1.2 / 1.3 А (Vin = 12 В)
Частота PWM-димінгу100–1000 Гц
КорпусSO-8
ВиробникLeadtrend Technology

Мікросхема LD1117DT33 ( L1117-33 , L1117-33C ) на 3.3V, D-PAK

Немає в наявності

23,50 ₴
ПараметрЗначення
Вихідна напруга3.3 В (Vin = 5.3 В, Io = 10 мА, Tj 25 °C)
Вихідний струм800 мА (мін.; Vin = 8.3 В, Tj 25 °C)
Падіння напруги (dropout)1 В (тип., Io = 100 мА)
Макс. вхідна напруга15 В
Струм спокою5 мА (тип.; Vin ≤ 15 В)
Розсіювана потужність12 Вт
Робоча температура переходу0…+125 °C
КорпусTO-252 (D-PAK)
ВиробникSTMicroelectronics

Мікросхема LD1117DT12 ( L1117-12 ) , D-PAK – на 1,2V

Немає в наявності

29,61 ₴
ПараметрЗначення
Вихідна напруга1.2 В (Vin = 3.2 В, Io = 10 мА, Tj 25 °C)
Вихідний струм800 мА (мін.; Vin – Vo = 5 В, Tj 25 °C)
Падіння напруги (dropout)1 В (тип., Io = 100 мА)
Макс. вхідна напруга15 В
Розсіювана потужність12 Вт
Робоча температура переходу0…+125 °C
КорпусTO-252 (D-PAK)
ВиробникSTMicroelectronics

Мікросхема LD1085V

Немає в наявності

36,66 ₴
ПараметрЗначення
Тип виходурегульований (ADJ)
Гарантований вихідний струм3 А
Макс. вхідна напруга30 В
Падіння напруги, тип.1.3 В (Io = 3 А)
Падіння напруги, макс.1.5 В (Io = 3 А)
Точність вихідної напруги±1 % (25 °C); ±2 % у повному температурному діапазоні
Опорна напруга Vref1.25 В (Io = 10 мА, Tj 25 °C)
Мін. струм навантаження3 мА тип., 10 мА макс. (Vi = 30 В)
Струм виводу ADJ55 мкА тип., 120 мкА макс. (Vi = 4.25 В, Io = 10 мА)
Придушення пульсацій72 дБ (f = 120 Гц, Co = 25 мкФ, Io = 3 А)
Мін. вихідний конденсатор10 мкФ
Робоча температура переходу-40…+125 °C
КорпусTO-220
ВиробникSTMicroelectronics

Мікросхема LC72131

Немає в наявності

88,36 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняAM/FM ФАПЧ-синтезатор частоти
Напруга живлення4,5–5,5 В (Ta –40…+85 °C, Vss 0 В)
Макс. напруга живлення–0,3…+7,0 В (Ta 25 °C)
Вхід FMIN10–160 МГц (дільник на 2 всередині, Ta –40…+85 °C)
Вхід AMIN2–40 МГц (SNS=1); 0,5–10 МГц (SNS=0)
Вхід IFIN0,4–12 МГц
Кварц4,5 або 7,2 МГц (допустимо 4,0–8,0 МГц)
Опорні частоти12 вибірних, 1–100 кГц
Інтерфейспослідовний CCB
Потужність розсіювання350 мВт (DIP22S, Ta ≤ 85 °C)
Робоча температура–40…+85 °C
Температура зберігання–55…+125 °C
КорпусDIP22S, 22 виводи
ВиробникSanyo

Мікросхема LB3500

Немає в наявності

78,49 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняECL-дільник частоти 1/8 для ФАПЧ
Коефіцієнт ділення1/8
Макс. робоча частота150 МГц (Vin 150 мВ ср. кв., Ta 25 °C)
Мін. робоча частота30 МГц макс. (Vin 150 мВ ср. кв., Ta 25 °C)
Напруга живлення4,5–5,5 В (Ta 25 °C)
Макс. напруга живлення8 В (Ta 25 °C)
Споживаний струм16 мА тип., 24 мА макс. (Ta 25 °C)
Вхідна напруга100–600 мВ ср. кв. (Ta 25 °C)
Вихідна амплітуда0,9 В (розмах) мін. (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання200 мВт (Ta 75 °C)
Робоча температура–20…+80 °C
Температура зберігання–40…+125 °C
КорпусSEP9, 9 виводів
ВиробникSanyo

Мікросхема LA7876N

Немає в наявності

38,54 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanyo
КорпусSIP10H (3024A), 10 виводів
Рекомендований струм відхиленнядо 3 А (розмах) (для LA7876N, Ta 25 °C)
Макс. струм відхилення–1,9…+1,9 А (для LA7876N, Ta 25 °C)
Рекомендована напруга Vcc730 В (Ta 25 °C)
Робочий діапазон Vcc716–33 В (Ta 25 °C)
Макс. напруга Vcc735 В (Ta 25 °C)
Макс. напруга Vcc972 В (Ta 25 °C)
Макс. напруга Vcc4110 В (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання12 Вт (з великим радіатором, Ta 25 °C)
Тепловий опір кристал–корпус3 °C/Вт (для LA7876N)
Струм спокою35–70 мА (Ta 25 °C, Vcc8 30 В)
Напруга середньої точки14–16 В, тип. 15 В (Ta 25 °C, Vcc8 30 В)
Робоча температура–20…+85 °C

Мікросхема LA47516

Немає в наявності

262,26 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanyo
КорпусHZIP25 (3236A), 25 виводів
Вихідна потужність макс.50 Вт × 4 (Vcc 14,4 В, RL 4 Ом)
Вихідна потужність при THD 10 %29 Вт, мін. 24 Вт (Vcc 14,4 В, RL 4 Ом, 1 кГц, Ta 25 °C)
Рекомендована напруга живлення14,4 В (Ta 25 °C)
Робочий діапазон напруги9–18 В (Ta 25 °C)
Макс. напруга без сигналу26 В (1 хв, Ta 25 °C)
Макс. напруга із сигналом18 В (Ta 25 °C)
Опір навантаження4 Ом
Вихідний струм пік4,5 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання50 Вт (з нескінченно великим радіатором, Ta 25 °C)
Тепловий опір кристал–корпус1 °C/Вт
Струм спокою200 мА тип., 350 мА макс. (Vcc 14,4 В, RL ∞, Rg 0, Ta 25 °C)
Коефіцієнт підсилення32 дБ (31–33) (Vo 0 дБм, 1 кГц, Ta 25 °C)
Робоча температура–40…+85 °C

Мікросхема LA47515 (Заміна для LA4743K , LA4743B , LA47201 )

Немає в наявності

249,10 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняПідсилювач потужності (Power amp.)
Кількість каналів4 (передній і задній, лівий і правий)
Кількість виводів25
Режим очікуванняє вивід STBY (вив. 4)
Вимкнення звукує вивід MUTE (вив. 22)

Мікросхема LA4725

Немає в наявності

126,90 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
ТипДвоканальний мостовий (BTL) підсилювач потужності звуку для автомобільної аудіотехніки
Вихідна потужність30+30 Вт (VCC 14.4 В, RL 4 Ом, THD 30 %)
Рекомендована напруга живлення13.2 В (Ta 25 °C)
Макс. напруга живлення18 В (без сигналу, Ta 25 °C)
Імпульсна напруга живлення50 В (t ≤ 0.2 с, одиночний потужний імпульс)
Макс. вихідний струм3.0 А (на канал, Ta 25 °C)
Рекомендований опір навантаження4 Ом (Ta 25 °C)
Підсилення за напругою40 дБ (тип.; VO 0 дБм, VCC 13.2 В, RL 4 Ом, f 1 кГц)
Струм спокою125 мА (тип.; Rg 0, VCC 13.2 В)
Потужність розсіювання32 Вт (з нескінченно великим радіатором, Ta 25 °C)
Робоча температура-35 до +85 °C
КорпусSIP14HZ, 14 виводів

Мікросхема LA4663 оригінал

Немає в наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanyo
ТипДвоканальний мостовий (BTL) підсилювач потужності звуку
Вихідна потужність на канал16 Вт (2 канали; VCC 15 В, навантаження 6 Ом)
Вихідна потужність на канал при 12 В13 Вт (2 канали; VCC 12 В, RL 4 Ом)
Вихідна потужність на канал при 9 В6.5 Вт (2 канали; VCC 9 В, RL 4 Ом)
Діапазон напруги живлення5.5–22 В
Макс. напруга живлення24 В (без сигналу, Ta 25 °C)
Макс. вихідний струм3.5 А (на канал, Ta 25 °C)
Підсилення за напругою40 дБ (тип.; VO 0 дБм, VCC 15 В, RL 4 Ом, f 1 кГц)
Струм спокою100 мА (тип.; Rg 0, VCC 15 В)
Придушення пульсацій60 дБ (тип.)
Потужність розсіювання37.5 Вт (з нескінченно великим радіатором, Ta 25 °C)
Робоча температура-20 до +75 °C
КорпусSIP14HZ, 14 виводів
СтанОригінал

Мікросхема LA4625

Немає в наявності

124,08 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
ТипДвоканальний мостовий (BTL) підсилювач потужності звуку
Вихідна потужність на канал13.5 Вт (2 канали; VCC 12 В, RL 4 Ом, THD 10 %)
Рекомендована напруга живлення12 В (Ta 25 °C)
Діапазон напруги живлення7.2–20 В (Ta 25 °C)
Макс. напруга живлення24 В (без сигналу, Ta 25 °C)
Макс. вихідний струм3.5 А (на канал, Ta 25 °C)
Опір навантаження4–8 Ом (Ta 25 °C)
Підсилення за напругою40 дБ (тип.; VO 0 дБм, VCC 12 В, RL 4 Ом, f 1 кГц)
Струм спокою120 мА (тип.; Rg 0, VCC 12 В)
Потужність розсіювання32.5 Вт (з нескінченно великим радіатором, Ta 25 °C)
Робоча температура-20 до +85 °C
Корпус3113B

Мікросхема LA4598

Немає в наявності

58,75 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanyo
КорпусSIP14HZ
Вихідна потужність на канал2.9 Вт (2 канали; VCC = 9 В, RL = 3.2 Ом, THD = 10 %)
Діапазон напруги живлення4.2–16 В (Ta 25 °C)
Рекомендована напруга живлення9 В (Ta 25 °C)
Макс. напруга живлення18 В (без радіатора, Ta 25 °C)
Рекомендований опір навантаження3.2 Ом (Ta 25 °C)
Підсилення за напругою49 дБ (тип., діапазон 47–51 дБ; VCC = 9 В, RL = 3.2 Ом, f = 1 кГц, Rg = 600 Ом)
Струм спокою20 мА (тип., діапазон 10–40 мА; VCC = 9 В)
Допустима потужність розсіювання3.6 Вт (з рекомендованою платою Sanyo 9.0 × 8.5 × 1.5 мм, Ta 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
Робоча температура-20 до +75 °C

Мікросхема LA4285

Немає в наявності

54,99 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanyo
КорпусSIP10F, 10 виводів
Вихідна потужність3.0 Вт (THD 10 %, V5 = 5 В, VCC = 16 В, RL = 8 Ом, f = 1 кГц, Ta 25 °C)
Рекомендована напруга живлення16 В (Ta 25 °C)
Макс. напруга живлення24 В (без сигналу, Rg = 0, Ta 25 °C)
Рекомендований опір навантаження8 Ом (Ta 25 °C)
Підсилення за напругою34 дБ (тип.; VO = 0 дБм, V5 = 5 В, VCC = 16 В)
Струм спокою35 мА (тип.; Rg = 0, V5 = 0 В, VCC = 16 В)
Допустима потужність розсіювання7.0 Вт (з нескінченно великим радіатором, Ta 25 °C)
Тепловий опір перехід–корпус10.0 °C/Вт
Робоча температура-20 до +75 °C

Мікросхема LA42352

Немає в наявності

94,94 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSANYO
КорпусSIP13H (13 виводів)
Вихідна потужність Po5 Вт на канал (THD 10 %, Vcc 18 В, Rн 8 Ом, Volume 5 В, f 1 кГц)
Напруга живлення Vcc (рекомендована)18 В (Ta 25 °C)
Допустимий діапазон напруги живлення10…22 В (Ta 25 °C)
Макс. напруга живлення Vcc max24 В (без сигналу, Ta 25 °C)
Опір навантаження Rн8 Ом (рекомендований)
Потужність розсіювання Pd max15 Вт (нескінченний тепловідвід, Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj max150 °C
Робоча температура-25…+75 °C
Коефіцієнт підсилення VG34.5 дБ (типово)
Струм спокою Icco65 мА (типово)

Мікросхема LA42102 оригінал

Немає в наявності

73,32 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSANYO Semiconductor
Вихідна потужність Po10 Вт на канал (THD 10 %, Vcc 14 В, Rн 8 Ом, f 1 кГц; мін. 8 Вт)
Напруга живлення Vcc (рекомендована)14 В (Ta 25 °C)
Допустимий діапазон напруги живлення10…17 В (Ta 25 °C)
Опір навантаження Rн8 Ом (рекомендований)
Потужність розсіювання Pd max15 Вт (нескінченний тепловідвід, Ta 25 °C)
Коефіцієнт гармонік THD0.06 % (Po 1 Вт, Vcc 14 В, Rн 8 Ом, f 1 кГц, типове; макс. 0,2 %)
Коефіцієнт підсилення VG35 дБ (Vo 0 дБм, типове)
Струм спокою Icco70 мА (Rg 0, Rн розімкнено, типове)
Роздільність каналів60 дБ (Rg 10 кОм, Vo 0 дБм, типове)
Робоча температура-25…+75 °C
КорпусSIP13H (13 виводів)
СтанОригінал

Мікросхема L7915CV

Немає в наявності

17,86 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Вихідна напруга Vo-15 В (Tj 25 °C, Vi -23 В, Io 500 мА; діапазон -14.4…-15.6 В)
Вихідний струмдо 1.5 А
Макс. вхідна напруга Vi-35 В (для Vo від -5 до -18 В, абсолютний максимум)
Падіння напруги Vd (dropout)1.1 В (Io 1 А, Tj 25 °C, ΔVo 100 мВ, типове)
Струм спокою Id3 мА (Tj 25 °C, максимум)
Струм короткого замикання Isc1.3 А (типове)
Робочий діапазон температури переходу0…150 °C
Типнегативний стабілізатор фіксованої напруги
КорпусTO-220

Мікросхема L7909CV ( KA7909 )

Немає в наявності

14,57 ₴
ПараметрЗначення
Вихідна напруга Vo-9 В (Tj 25 °C, Vi -15 В, Io 500 мА; діапазон -8.7…-9.3 В)
Вихідний струмбільше 1 А
Макс. вхідна напруга Vi-35 В (абсолютний максимум, TA 25 °C)
Падіння напруги Vd (dropout)2 В (Io 1 А, Tj 25 °C, типове)
Струм спокою Iq3 мА (Tj 25 °C, типове)
Робочий діапазон температури0…+125 °C
Типнегативний стабілізатор фіксованої напруги
КорпусTO-220

Мікросхема L7908CV

Немає в наявності

14,57 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Вихідна напруга-8 В (Tj 25 °C, Vi -14 В, Io 500 мА)
Вихідний струм1.5 А
Макс. вхідна напруга-35 В (абсолютний максимум)
Падіння напруги Vd1.1 В (Io 1 А, Tj 25 °C, типове)
Струм спокою3 мА (макс., Tj 25 °C)
Придушення пульсацій SVR60 дБ (ΔVi 10 В, f 120 Гц, типове)
КорпусTO-220

Мікросхема L78L05 , so-8

Немає в наявності

7,05 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Вихідна напруга5 В (Tj 25 °C, Vi = 10 В, Io = 40 мА)
Вихідний струм100 мА
Макс. вхідна напруга30 В (для Vo = 3,3–9 В)
Струм споживання Iq6 мА (макс., Tj 25 °C)
Dropout1,7 В (Io = 40 мА, Tj 25 °C)
Тепловий опір перехід–середовище55 °C/Вт (макс., SO-8)
КорпусSO-8

Мікросхема L7824CV

Немає в наявності

11,75 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Вихідна напруга24 В (Tj 25 °C, Vi = 33 В, Io = 500 мА)
Вихідний струм серіїдо 1,5 А
Макс. вхідна напруга40 В
Струм споживання Iq8 мА (макс., Tj 25 °C)
Dropout2 В (Io = 1 А, Tj 25 °C)
Тепловий опір перехід–корпус3 °C/Вт (макс.)
КорпусTO-220

Мікросхема L7815CV оригінал , TO220

Немає в наявності

23,50 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняЛінійний стабілізатор позитивної напруги
КорпусTO-220
Вихідна напруга15 В (Tj 25 °C, Io = 500 мА, Vi = 23 В)
Вихідний струм1,2 А
Піковий вихідний струм2,2 А (Tj 25 °C)
Максимальна вхідна напруга35 В (Ta 25 °C)
Dropout2 В (Io = 1 А, Tj 25 °C)
Струм споживання Iq5,2 мА (Tj 25 °C)
Струм короткого замикання250 мА (Vi = 35 В, Ta 25 °C)
Робочий діапазон температури0…125 °C
СтанОригінал

Мікросхема L6910 ( L6910TR ) , so-16

Немає в наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняШІМ-контролер понижувального перетворювача з синхронним випрямленням
КорпусSO-16
Корпус (докладно)SO-16 (Narrow)
Кількість виводів16
Робоча напруга живлення Vcc5–12 В
Максимальна напруга Vcc відносно GND15 В
Опорна напруга Vref0,9 В (Tj 25 °C, Cref = 1 нФ, Iref 0–100 мкА)
Частота генератора200 кГц (Tj 25 °C, вивід OSC вільний)
Струм драйвера верхнього ключа1,3 А (Vboot–Vphase = 12 В, Vhgate–Vphase = 6 В)
Струм драйвера нижнього ключа1,1 А (Vcc = 12 В, Vlgate = 6 В)
Максимальна потужність розсіювання1 Вт (Tamb 25 °C)

Мікросхема L4981A, DIP20

Немає в наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняКоректор коефіцієнта потужності (PFC), ШІМ підвищувального типу, до 0,99 PF
КорпусDIP-20
Кількість виводів20
Мережева напруга на вході85–265 В
Напруга живлення Vcc, максимальна19,5 В
Поріг вмикання UVLO15,5 В
Поріг вимикання UVLO10 В
Частота генератора100 кГц (Tj 25 °C, Rosc = 24 кОм, Cosc = 1 нФ)
Опорна напруга Vref5,1 В (Tj 25 °C, Iref = 0)
Робоча температура−40…125 °C

Мікросхема L4978D , so-16

Немає в наявності

89,30 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипЗнижувальний імпульсний перетворювач
КорпусSOIC-16 (wide body)
Вихідний струм2 А
Діапазон вхідної напруги8–55 В (Tj 25 °C)
Діапазон вихідної напруги3.3–50 В (задається зовнішнім дільником)
Опорна напруга3.3 В (±1 %)
Rds(on)0.25 Ом (типове значення)
Частота перемикання100 кГц (90–110 кГц; Cosc 2.7 нФ, Rosc 20 кОм, Vcc 8–55 В, Tj 25 °C)
Макс. досяжна частота перемикання300 кГц
Максимальний струм обмеження2.5–3.5 А (Vcc = 8–55 В)
Температура переходу і зберігання–40…150 °C (Absolute Maximum Ratings)

Мікросхема L4960

Немає в наявності

88,83 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипІмпульсний знижувальний стабілізатор
КорпусHEPTAWATT
Вихідний струм2.5 А (Vi = 9–46 В, Vo = Vref…36 В)
Діапазон вхідної напруги9–46 В (Vo = Vref…36 В, Io = 2.5 А)
Вхідна напруга (максимум)50 В (Absolute Maximum Ratings)
Діапазон вихідної напруги5.1–40 В (Vi = 46 В, Io = 1 А)
Опорна напруга5.1 В (5–5.2 В; Vi = 9–46 В, Io = 1 А, Tj 25 °C)
Падіння напруги Vd1.4 В (макс. 3 В, Io = 2 А)
Частота перемикання100 кГц (85–115 кГц, Tj 25 °C)
Поріг обмеження струму (вивід 7)3–4.5 А (Vi = 9–46 В)
ККД85 % (f = 100 кГц, Io = 2 А, Vo = 12 В)
Потужність розсіювання Pd15 Вт (Tcase ≤ 90 °C)
Температура переходу і зберігання–40…150 °C (Absolute Maximum Ratings)
Тепловий опір перехід–корпус4 °C/Вт (макс.)

Мікросхема L298N

Немає в наявності

128,31 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипПодвійний мостовий драйвер
КорпусMULTIWATT15
Робоча напруга Vsдо 46 В (Operative Condition)
Vs (максимум)50 В (Absolute Maximum Ratings)
Напруга логіки Vss (максимум)7 В
Загальний постійний струмдо 4 А
Струм на канал, постійний2 А (DC)
Піковий струм на канал, повторюваний2.5 А (80 % увімкнено / 20 % вимкнено, ton = 10 мс)
Піковий струм на канал, неповторюваний3 А (t = 100 мкс)
Потужність розсіювання Pd25 Вт (Tcase = 75 °C)
Температура переходу при роботі–25…130 °C
Захиствід перегріву

Мікросхема L297 , DIP20

Немає в наявності

170,14 ₴
ПараметрЗначення
ТипКонтролер крокових двигунів
ВиробникSTMicroelectronics
Режиминапівкрок, повний крок, wave drive
ШІМ-регулювання струму обмотокє (вбудований chopper)
Напруга живлення5 В
Напруга живлення Vs (максимум)10 В (Absolute Maximum Ratings)
Вхідні сигнали Vi (максимум)7 В (Absolute Maximum Ratings)
Потужність розсіювання1 Вт (Tamb = 70 °C)
Температура зберігання і переходу–40…150 °C (Absolute Maximum Ratings)
КорпусDIP-20

Мікросхема L293DNE , DIP16

Немає в наявності

94,94 ₴
ПараметрЗначення
ТипЗдвоєний драйвер напівмостів (quadruple half-H)
ВиробникTexas Instruments
Напруга живлення виходів VCC24.5–36 В (Recommended Operating Conditions)
Напруга живлення логіки VCC14.5–7 В (Recommended Operating Conditions)
Струм виходу на канал (постійний)600 мА
Піковий струм виходу на канал1.2 А (неповторюваний імпульс t ≤ 100 мкс)
Вихідні діоди-обмежувачіє
Робоча температура середовища0–70 °C
Макс. температура переходу150 °C (Absolute Maximum Ratings)
КорпусDIP16

Мікросхема L200C , TO220-5

Немає в наявності

83,19 ₴
ПараметрЗначення
ТипРегульований стабілізатор напруги й струму
ВиробникSTMicroelectronics
Діапазон вихідної напруги Vo2.85–36 В
Вихідний струм Ioдо 2 А (регульований)
Вхідна напруга макс. Vi40 В (DC)
Імпульсна вхідна напруга60 В (10 мс)
Різниця вхід–вихід Vi–o32 В (макс.)
Падіння напруги Vd2 В, макс. 2.5 В (Io 1.5 А, Vo –2 %)
Опорна напруга Vref2.77 В (2.64–2.86 В) (Vi 20 В, Io 10 мА, Ta 25 °C)
Струм спокою Id4.2 мА, макс. 9.2 мА (Vi 20 В, Ta 25 °C)
Робоча температура переходу–25…150 °C
КорпусTO220-5

Мікросхема KID65783AP оригінал ( заміна для UDN2982A ), DIP18

Немає в наявності

169,20 ₴
ПараметрЗначення
Тип8 каналів, джерело струму (source), з вихідними діодами
Напруга живлення Vcc50 В (макс.)
Вихідний струм Iout–500 мА (на канал, мін., одиночний вихід)
ВхідСумісний з TTL і 5 В CMOS
Вхідна напруга Vin15 В (макс.)
Зворотна напруга діода VR50 В (макс.)
Прямий струм діода IF500 мА (макс.)
Потужність розсіювання Pd1,47 Вт (корпус AP, Ta 25 °C)
Робоча температура Topr–40…85 °C
КорпусDIP-18
СтанОригінал

Мікросхема KID65003AP оригінал ( заміна для SIP2655A03-00 ), DIP16

Немає в наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип7 NPN-пар Дарлінгтона з вихідними захисними діодами
Напруга на виході Vce(sus)50 В (макс.)
Вихідний струм Iout500 мА (на канал, макс.)
ВхідРезистор 2,7 кОм, сумісний з TTL і 5 В CMOS (KID65003)
Вхідна напруга Vin30 В (макс.)
Зворотна напруга діода VR50 В (макс.)
Прямий струм діода IF500 мА (макс.)
Потужність розсіювання Pd1,47 Вт (корпус AP, Ta 25 °C)
Робоча температура Topr–40…125 °C
КорпусDIP16
СтанОригінал

Мікросхема KIA78R08API ( KA78R08 )

Немає в наявності

51,70 ₴
ПараметрЗначення
ТипСтабілізатор з малим падінням напруги, 4 виводи, вхід ON/OFF
Вихідна напруга Vout8,0 В (7,80–8,2 В) (Iout 0,5 А, Vin 10 В, Ta 25 °C)
Вихідний струм Iout1 А (макс.)
Вхідна напруга макс. Vin35 В
Напруга керування ON/OFF макс. Vc35 В
Потужність розсіювання Pd1,5 Вт (без радіатора)
Потужність розсіювання Pd з радіатором15 Вт (з радіатором)
Температура переходу Tj125 °C (макс.)
Робоча температура Topr–20…80 °C
КорпусTO-220F-4L

Мікросхема KIA7805API

Немає в наявності

19,27 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникKEC
КорпусTO-220F
Вихідна напруга Vout5.0 В (4.8–5.2 В; Tj 25 °C, Iout 100 mA)
Вихідний струмдо 1 А
Макс. вхідна напруга Vin35 В
Падіння напруги Vd2.0 В (тип.; Iout 1.0 А, Tj 25 °C)
Придушення пульсацій RR78 дБ (мін. 62 дБ; f 120 Гц, Vin 8–18 В, Iout 50 мА, Tj 25 °C)
Струм спокою Iq4.2 мА (макс. 8.0 мА; Tj 25 °C, Iout 5 мА)
Струм КЗ Isc1.6 А (тип.; Tj 25 °C)
Потужність розсіювання Pd2.0 Вт (без радіатора, Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pd з радіатором20.8 Вт (нескінченний радіатор, Ta 25 °C)
Температура переходу Tj–40…150 °C
Робоча температура Topr–40…85 °C

Мікросхема KA7632 демонтаж

Немає в наявності

49,35 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor
Корпус10-SIP-H/S
Вихід 13.3 В (±2 %; Io1=10 мА, Vin1 6–14 В, Tj 25 °C)
Вихід 28 В (±2 %; Io2=10 мА, Vin2 10,5–18 В, Tj 25 °C)
Вихід 35.1 В (із зовнішнім PNP-транзистором; Vsys=7 В, Io3=100 мА)
Вихідний струм виходів 1 і 20.5 А (на кожен вихід)
Вихідний струм виходу 31 А (із зовнішнім PNP-транзистором)
Макс. вхідна напруга20 В
Падіння напруги на виходах 1, 22.5 В (макс.; Io=500 мА)
Затримка імпульсу скидання25 мс (тип.; Cd=100 нФ)
Розсіювана потужність Pd1.5 Вт (без радіатора)
Макс. температура переходу150 °C
Робоча температура0…+125 °C
СтанДемонтаж б/в