Магазин
Мікросхема OPA134PA , DIP8
Немає в наявності
170,61 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | DIP8 |
| Кількість підсилювачів у корпусі | 1 |
| Напруга живлення | ±2,5 … ±18 В (VS = (V+) – (V–)) |
| THD+N | 0,00008 % (G = 1, f = 1 кГц, VO = 3 В(ср.кв.), RL = 2 кОм, TA 25 °C, VS ±15 В) |
| Густина шуму напруги | 8 нВ/√Гц (f = 1 кГц) |
| Добуток підсилення на смугу | 8 МГц (TA 25 °C, VS ±15 В) |
| Швидкість наростання | 20 В/мкс |
| Напруга зміщення нуля | ±0,5 мВ (типове; макс. ±2; TA 25 °C, VS ±15 В) |
| Робоча температура | –40 … 125 °C |
Мікросхема OP07CP , DIP
Немає в наявності
22,56 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга зсуву входу VIO | 60 мкВ (типове; макс. 150; TA 25 °C, VCC ±15 В, RS 50 Ом) |
| Струм зсуву входу IIO | 0,8 нА (типове; макс. 6; TA 25 °C, VCC ±15 В) |
| Смуга одиничного підсилення B1 | 0,6 МГц (типове; TA 25 °C) |
| CMRR | 120 дБ (типове; TA 25 °C, VIC ±13 В, RS 50 Ом) |
| Напруга живлення | ±3…±18 В (рекомендований діапазон) |
| Робоча температура | 0…70 °C |
Мікросхема OP07C , so-8
Немає в наявності
15,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Прецизійний операційний підсилювач |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга зсуву входу VIO | 150 мкВ (максимум; TA 25 °C, VCC ±15 В; при 0–70 °C макс. 250) |
| Напруга живлення, абсолютний максимум | ±20 В |
| Діапазон напруги живлення | ±3…±20 В |
| CMRR | 100 дБ (мінімум; VCC ±15 В) |
| PSRR | 90 дБ |
| GBP | 0,5 МГц (RL 2 кОм, CL 100 пФ, f 100 кГц) |
| Струм споживання | 3,8 мА (типове; макс. 6; Iout 0 А) |
| Робоча температура | -10…85 °C |
Мікросхема OB5269CP , so-8
Немає в наявності
26,79 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright Electronics |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму з високовольтним стартом |
| Корпус | SO-8 |
| Частота перемикання | 65 кГц (типове; мін. 60, макс. 70; VDD 15 В; фіксована) |
| Напруга на виводі HV | -0,3…500 В (абсолютний максимум) |
| Напруга живлення VDD, максимум | 30 В (абсолютний максимум) |
| Струм споживання в роботі | 1,8 мА (типове; макс. 2,5; VFB 3 В; VDD 15 В) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Мікросхема OB3328UQP
Немає в наявності
31,96 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright Electronics |
| Тип | Контролер підсвічування CCFL, повний міст |
| Напруга живлення VDDA | 4,5–5,5 В (рекомендований діапазон, макс. 7 В) |
| Робоча частота | 30–150 кГц (рекомендований діапазон) |
| Регулювання яскравості | 10–100 % (внутрішній або зовнішній ШІМ (burst); аналогове – 40–100 %) |
| Робоча температура | -20…85 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Кількість виводів | 16 |
Мікросхема OB2535CP , so-8
Немає в наявності
53,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright Electronics |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга пробою ключа BVdss | 600 В (TA 25 °C) |
| Поріг вимкнення VDD | 9 В (типове; мін. 8,2, макс. 10,5; VDD спадає) |
| Поріг увімкнення VDD | 14,8 В (типове; мін. 13,5, макс. 16; VDD зростає) |
| Обмеження напруги VDD | 28,5 В (типове; IDD 10 мА) |
| Максимальна частота | 60 кГц (типове; мін. 55, макс. 65) |
| Струм споживання в роботі | 2 мА (типове; макс. 3; INV 2 В, CS 0 В, VDD 18 В) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема OB2279CP , sop-8
Немає в наявності
20,21 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright |
| Корпус | SO-8 |
| Поріг входу UVLO (VDD) | 9,8 В (мін 8,8, макс 10,8 В) |
| Поріг виходу UVLO (VDD) | 16,5 В (мін 15,5, макс 17,5 В) |
| Пусковий струм VDD | 3 мкА (VDD = 15 В; макс 20 мкА) |
| Робочий струм | 2,3 мА (VFB = 3 В) |
| Поріг обмеження струму | 0,90 В (I(VIN) = 0 мкА; діапазон 0,85–0,95 В) |
| Частота в нормальному режимі | 65 кГц (RI = 100 кОм; діапазон 60–70 кГц) |
Мікросхема GC2263AP ( OB2263AP ) , DIP8
Немає в наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Частота в нормальному режимі | 65 кГц (RI = 100 кОм, TA 25 °C; діапазон 60–70 кГц) |
| Базова частота burst-режиму | 22 кГц (VDD = 16 В, RI = 100 кОм) |
| Обмеження VDD | 34 В (TA 25 °C) |
| Робочий струм | 1,4 мА |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема OB2226SP ( OB2226AP ) , DIP
Немає в наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright |
| Корпус | DIP |
| Напруга пробою MOSFET | 600 В (TA 25 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 15 Ом (Id = 0,45 А) |
| Максимальна частота | 45 кГц (TA 25 °C, VDD = 16 В) |
| Макс. напруга VDD | 40 В (absolute maximum) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема OB2216AP , DIP8
Немає в наявності
63,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга пробою MOSFET | 600 В (закритий стан, TA 25 °C) |
| Частота в нормальному режимі | 50 кГц (CV, TA 25 °C, VDD = VDDG = 16 В) |
| Поріг вмикання UVLO | 15 В |
| Поріг вимикання UVLO | 8,5 В |
| Обмеження VDD | 38 В (IDD = 10 мА) |
| Вихідна потужність | 20 Вт (230 В AC ±15 %), 15 Вт (85–264 В AC), відкрита конструкція |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема OB2211CG ( OB2211CP ) , so-8
Немає в наявності
29,14 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга пробою MOSFET | 650 В (TA 25 °C) |
| Частота в нормальному режимі | 50 кГц (CV, TA 25 °C, VDD = VDDG = 16 В) |
| Поріг вмикання UVLO | 15 В |
| Поріг вимикання UVLO | 8,5 В |
| Обмеження VDD | 33 В (IDD = 10 мА) |
| Вихідна потужність | 10 Вт (230 В AC ±15 %), 8 Вт (90–264 В AC), відкрита конструкція |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема NTP7100 ( NTP-7100 ) , QFN-56
Немає в наявності
127,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | NTP7100 |
| Альтернативне позначення | NTP-7100 |
| Корпус | QFN-56 |
Мікросхема NJM4580 ( 4580 , NJM4580M ) , smd
Немає в наявності
33,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | JRC |
| Тип | Здвоєний операційний підсилювач |
| Кількість виводів | 8 |
| Напруга живлення | ±2…±18 В |
| Напруга зміщення нуля | 0,3 мВ (тип., макс. 3 мВ, RS ≤ 10 кОм, V+/V- = ±15 В, Ta = 25 °C) |
| Струм споживання | 6 мА (тип., макс. 9 мА, V+/V- = ±15 В, Ta = 25 °C) |
| Швидкість наростання | 5 В/мкс (тип., V+/V- = ±15 В, Ta = 25 °C) |
| Добуток підсилення на смугу | 15 МГц (тип., AV = 20 дБ, V+/V- = ±15 В, Ta = 25 °C) |
| Коефіцієнт гармонік | 0,0005 % (тип., V+/V- = ±15 В, Ta = 25 °C) |
| Шум напруги на вході | 0,8 мкВ (еф.) (тип., RIAA, RS = 2,2 кОм, фільтр 30 кГц) |
| Розсіювана потужність | 300 мВт (DMP8, SOP8) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема NJM4560 ( NJM4560M ) оригінал, so-8
Немає в наявності
51,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | New Japan Radio |
| Тип | Здвоєний операційний підсилювач |
| Кількість виводів | 8 |
| Напруга живлення | ±4…±18 В |
| Напруга зміщення нуля | 0,5 мВ (тип., макс. 6 мВ, RS ≤ 10 кОм, Ta = 25 °C, V+/V- = ±15 В) |
| Струм споживання | 4,3 мА (тип., макс. 5,7 мА, V+/V- = ±15 В, Ta = 25 °C) |
| Швидкість наростання | 4 В/мкс (тип., V+/V- = ±15 В, Ta = 25 °C) |
| Добуток підсилення на смугу | 10 МГц (тип., V+/V- = ±15 В, Ta = 25 °C) |
| Шум напруги на вході | 1,2 мкВ (еф.) (тип., RIAA, RS = 2,2 кОм, фільтр 30 кГц) |
| Розмах вихідної напруги | 20 В (розмах) (на навантаженні 400 Ом) |
| Розсіювана потужність | 300 мВт (DMP8, Ta = 25 °C) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NJM4558M ( RC4558-маркування ) , so-8
Немає в наявності
14,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Nisshinbo Micro Devices Inc. |
| Тип | Здвоєний операційний підсилювач |
| Кількість виводів | 8 |
| Напруга живлення | ±4…±18 В |
| Напруга живлення, максимум | ±18 В (V+/V-) |
| Напруга зміщення нуля | 0,5 мВ (тип., макс. 6 мВ, RS ≤ 10 кОм, V+/V- = ±15 В, Ta = 25 °C) |
| Струм споживання | 3,5 мА (тип., макс. 5,7 мА, V+/V- = ±15 В, Ta = 25 °C) |
| Швидкість наростання | 1 В/мкс (тип., V+/V- = ±15 В, Ta = 25 °C) |
| Добуток підсилення на смугу | 3 МГц (тип., V+/V- = ±15 В, Ta = 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 300 мВт (DMP8, Ta = 25 °C) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема NE555DR ( NE555DT , NE555L ) , so-8
Немає в наявності
8,46 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Призначення | прецизійний таймер |
| Напруга живлення | 4,5…16 В (NE555, рекомендована) |
| Напруга живлення, максимум | 18 В (абсолютний максимум) |
| Вихідний струм | до 200 мА (сумісний із TTL при живленні 5 В) |
| Струм споживання | 10 мА (тип., макс. 15 мА, VCC = 15 В, вихід низький, без навантаження) |
| Струм споживання при 5 В | 3 мА (тип., макс. 6 мА, VCC = 5 В, вихід низький, без навантаження) |
| Початкова похибка інтервалу | 1 % (тип., макс. 3 %, моностабільний режим, TA = 25 °C) |
| Робоча температура | 0…70 °C (NE555) |
| Температура переходу, максимум | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOIC-8 (D) |
Мікросхема NE5534 , so-8
Немає в наявності
14,57 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | малошумний операційний підсилювач |
| Напруга живлення (рекомендована) | ±5…±15 В (NE5534, TA 0–70 °C) |
| Напруга живлення, максимум | ±22 В (абсолютний максимум) |
| Смуга одиничного підсилення | 10 МГц (тип., AVD = 30 дБ, CC = 22 пФ, VCC± = ±15 В, TA = 25 °C) |
| Швидкість наростання | 13 В/мкс (тип., VCC± = ±15 В, TA = 25 °C) |
| Шум напруги на вході | 3,5 нВ/√Гц (тип., f = 1 кГц, VCC± = ±15 В) |
| Напруга зміщення нуля | 0,5 мВ (тип., макс. 4 мВ, VO = 0, TA = 25 °C) |
| Струм споживання | 4 мА (тип., макс. 8 мА, VCC± = ±15 В, без навантаження) |
| Придушення синфазного сигналу | 100 дБ (тип.) |
| Температура переходу, максимум | 150 °C |
| Корпус | SOIC-8 (D), 4,9 × 3,91 мм |
Мікросхема NCS2553 ( N2553 ) , so-8
Немає в наявності
54,99 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Призначення | 3-канальний відеопідсилювач із фільтрами відновлення 6-го порядку (Butterworth) |
| Напруга живлення | 4,75–5,25 В |
| Струм споживання | 23 мА (тип., без навантаження, VCC 5 В, TA 25 °C) |
| Підсилення | 6,0 дБ (VIN 1 В, усі канали) |
| Смуга фільтра | 9,0 МГц (за рівнем -3 дБ) |
| Придушення поза смугою | 45 дБ (на 27 МГц) |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема NCP1337D ( P1337 , NCP1337 ) , so-7
Немає в наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Макс. частота | 130 кГц |
| Піковий струм драйвера | 500 мА (sink) |
| Soft-start | 4,0 мс |
| Поріг запуску VCC | 12 В (мін. 11, макс. 13) |
| Поріг вимкнення VCC | 10 В (мін. 9,0, макс. 11) |
| Поріг OVP за VCC | 18,6 В (мін. 17,6, макс. 19,6) |
| Макс. напруга VCC | 20 В (абсолютний максимум) |
| Макс. напруга на HV | 500 В (абсолютний максимум) |
| Споживання мікросхеми | 1,2 мА (навантаження 1 нФ, Fsw 60 кГц, тип.) |
| Корпус | SOP-7 |
Мікросхема NCP1271A ( NCP1271D65 ) , so-7
Немає в наявності
57,81 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Частота перетворення | 65 кГц (Tj 25 °C, 58–69 кГц) |
| Макс. шпаруватість | 80 % (мін. 75, макс. 85) |
| Поріг запуску VCC(on) | 12,6 В (мін. 11,2, макс. 13,8) |
| Мін. робоча напруга VCC(off) | 9,1 В (мін. 8,2, макс. 10) |
| Струм споживання | 2,3 мА (VCC 14 В, навантаження 1 нФ, тип.) |
| Піковий струм драйвера | +500 / -800 мА |
| Корпус | SOP-7 |
Мікросхема NCP1234AD65 ( 34A65 ) , so-7
Немає в наявності
90,71 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | NCP1234AD65 |
| Маркування | 34A65 |
| Корпус | SOP-7 |
Демонтаж
Мікросхема NCP1014AP10 ( NCP1014AP100G , P1014AP10 ) демонтаж, DIP7
Немає в наявності
36,19 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга MOSFET Vbr(dss) | 700 В (макс.) |
| Опір Rds(on) | 11 Ом (тип., NCP1014AP100G) |
| Піковий струм | 450 мА (NCP1014AP100G) |
| Частота перетворення | 100 кГц (NCP1014AP100G) |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема NCP1013AP100G ( P1013AP10 – маркування) , DIP-7
Немає в наявності
49,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | NCP1013AP100G |
| Маркування | P1013AP10 |
| Корпус | DIP7 |
Мікросхема MX25L8006E , smd 8pin SPI-флеш
Немає в наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 8 Мбіт (1 МБ) |
| Інтерфейс | SPI |
| Напруга живлення | 2,7–3,6 В |
| Частота SCLK | 86 МГц (у режимі Dual Output 80 МГц) |
| Струм читання | 12 мА (макс., на 86 МГц) |
| Струм у режимі очікування | 15 мкА (тип.) |
| Струм у Deep Power-down | 2 мкА (тип.) |
| Розмір сектора | 4 КБ |
| Програмування сторінки | 0,6 мс (тип.) |
| Цикли стирання/запису | 100000 (тип.) |
| Зберігання даних | 20 років |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | Macronix |
Мікросхема MX25L8005M2C-15G , smd 8pin SPI-флеш
Немає в наявності
65,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | MX25L8005M2C-15G |
| Корпус | smd 8 pin |
| Інтерфейс | SPI |
Мікросхема MX25L4005M2C-15G , smd 8pin SPI-флеш
Немає в наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | MX25L4005M2C-15G |
| Корпус | smd 8 pin |
| Інтерфейс | SPI |
| Виводи | 8 |
Мікросхема MSP3400D C5 , SDIP52
Немає в наявності
220,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | мультистандартний процесор звуку для аналогового ТВ |
| Живлення аналогової частини | 5,0 В (4,75–5,25 В; TA 0…70 °C) |
| Живлення цифрової частини | 5,0 В (4,75–5,25 В; TA 0…70 °C) |
| Живлення вихідних каскадів (AHVSUP) | 8,0 В (7,6–8,7 В; TA 0…70 °C) |
| Інтерфейс керування | I2C |
| Входи SCART | 4 |
| Корпус | SDIP52 |
| Виробник | Micronas |
Мікросхема MR4040 , TO220F-7
Немає в наявності
177,66 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | MR4040 |
| Корпус | TO-220F-7 |
Мікросхема MR4020 (105W) , TO220F-7
Немає в наявності
169,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Серія | MR4000, IC-модуль зі 900 В IGBT |
| Напруга силового ключа | 900 В |
| Потужність (з назви товару) | 105 Вт |
| Корпус | TO-220F-7 |
| Виробник | Shindengen |
Мікросхема MP3399EF , TSSOP28
Немає в наявності
91,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Monolithic Power Systems |
| Тип | драйвер світлодіодної підсвітки |
| Кількість каналів | 12 |
| Максимальний струм каналу | 60 мА |
| Вхідна напруга | 5–28 В |
| Точність вирівнювання струмів | 2.5 % |
| Напруга регулювання на джерелах струму | 600 мВ (ILED 30.5 мА, VIN 12 В) |
| Димінг | PWM або DC-вхід, пакетний PWM |
| Корпус | TSSOP28 |
Мікросхема MP2372DN , so-8
Немає в наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Monolithic Power Systems |
| Тип | понижувальний DC/DC-регулятор з вбудованим силовим MOSFET |
| Вхідна напруга | 4.5–28 В (рекомендований діапазон) |
| Вихідний струм, постійний | 3 А (піковий 4 А) |
| Вихідна напруга | 0.92–21 В |
| Частота перетворення | 925 кГц (VIN 12 В, TA 25 °C) |
| Опір вбудованого ключа | 100 мОм |
| ККД | до 91 % |
| Розсіювана потужність | 2.5 Вт (TA 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
Мікросхема MP2307DN , so-8
Немає в наявності
48,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | монолітний синхронний понижувальний регулятор із двома вбудованими MOSFET |
| Вхідна напруга | 4,75–23 В (робочий діапазон) |
| Макс. напруга живлення Vin | 26 В (абсолютний максимум) |
| Вихідна напруга | 0,925–20 В (регульована) |
| Вихідний струм | 3 А (безперервний; пік 4 А) |
| Частота перетворення | 340 кГц (фіксована) |
| Опір ключа | 100 мОм |
| Струм у режимі вимкнення | менше 1 мкА |
| ККД | до 95 % |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Температура навколишнього повітря | -40…+85 °C |
| Корпус | SOIC8N (8 виводів, теплова площадка) |
| Виробник | Monolithic Power Systems |
Мікросхема MP1593DN , so-8
Немає в наявності
88,83 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | понижувальний імпульсний перетворювач із вбудованим силовим MOSFET |
| Вхідна напруга | 4,75–28 В (робочий діапазон) |
| Макс. напруга живлення Vin | 30 В (абсолютний максимум) |
| Мінімальна вихідна напруга | 1,22 В (регульована) |
| Вихідний струм | 3 А (безперервний) |
| Частота перетворення | 385 кГц (фіксована) |
| Опір внутрішнього ключа | 100 мОм |
| Напруга зворотного зв'язку | 1,222 В (типове, 4,75 В ≤ VIN ≤ 28 В) |
| Струм у режимі вимкнення | 20 мкА |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Температура навколишнього повітря | -40…+85 °C |
| Корпус | SOIC8E (8 виводів, теплова площадка) |
| Виробник | Monolithic Power Systems |
Мікросхема MP1584EN , so-8
Немає в наявності
20,68 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | високочастотний понижувальний імпульсний регулятор із вбудованим силовим MOSFET |
| Вхідна напруга | 4,5–28 В (робочий діапазон) |
| Макс. напруга живлення Vin | 30 В (абсолютний максимум) |
| Вихідна напруга | 0,8–25 В (рекомендований діапазон) |
| Вихідний струм | 3 А |
| Частота перетворення | 100–1500 кГц (програмується резистором на виводі FREQ) |
| Опорна напруга зворотного зв'язку | 0,8 В (внутрішня) |
| Робочий струм спокою | 100 мкА |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Температура навколишнього повітря | -20…+85 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
| Виробник | Monolithic Power Systems |
Мікросхема MP1583DN , so-8
Немає в наявності
25,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | понижувальний імпульсний перетворювач із вбудованим силовим MOSFET |
| Вхідна напруга | 4,75–23 В (робочий діапазон) |
| Макс. напруга живлення Vin | 28 В (абсолютний максимум) |
| Вихідна напруга | 1,22–21 В (регульована) |
| Вихідний струм | 3 А (безперервний) |
| Частота перетворення | 385 кГц (фіксована) |
| Опір внутрішнього ключа | 100 мОм |
| Напруга зворотного зв'язку | 1,222 В (типове, VIN = 12 В, TA = 25 °C, 4,75 В ≤ VIN ≤ 23 В) |
| Обмеження струму | 4,9 А (типове, 4,0–6,0, VIN = 12 В, TA = 25 °C) |
| Струм у режимі вимкнення | 20 мкА (VEN = 0 В) |
| ККД | до 95 % |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Температура навколишнього повітря | -40…+85 °C |
| Корпус | SOIC8E, 8 виводів, теплова площадка |
| Виробник | Monolithic Power Systems |
Мікросхема MP1580HS , so-8
Немає в наявності
33,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | понижувальний імпульсний перетворювач із вбудованим силовим MOSFET |
| Вхідна напруга | 4,75–25 В (робочий діапазон) |
| Макс. напруга живлення Vin | 27 В (абсолютний максимум) |
| Вихідна напруга | 1,22–21 В (регульована) |
| Вихідний струм | 2 А (безперервний) |
| Частота перетворення | 380 кГц (фіксована; синхронізація зовнішнім сигналом до 600 кГц) |
| Опір верхнього ключа | 0,18 Ом (типове, VIN = 12 В, TA = 25 °C) |
| Струм у режимі вимкнення | 23 мкА (типове) |
| ККД | до 95 % |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура | -40…+125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | Monolithic Power Systems |
Мікросхема ML4800CP , DIP16
Немає в наявності
58,28 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | контролер PFC (boost, середній струм) і ШІМ |
| Струм драйвера затвора | 1 А |
| Макс. частота ШІМ | 250 кГц |
| Обмеження заповнення ШІМ | 50 % |
| Напруга живлення Vcc (макс.) | 18 В (абсолютний максимум) |
| Опорна напруга VREF | 7,5 В |
| Поріг UVLO | 13 В |
| Гістерезис UVLO | 2,8 В |
| Температура переходу Tj (макс.) | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 80 °C/Вт |
| Діапазон робочих температур | 0…70 °C |
| Корпус | 16-pin PDIP (P16), 16 виводів |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
Мікросхема MIP3E3 , DIP
Немає в наявності
123,61 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic |
| Напруга Vd (макс.) | 700 В |
| Напруга керування Vc (макс.) | 8 В |
| Струм стоку Id (макс.) | 0,88 А |
| Піковий струм стоку Idp (макс.) | 1,7 А |
| Температура каналу Tch (макс.) | 150 °C |
| Частота генератора | 100 кГц (мін. 90, макс. 110; Vc = Vc(CNT) – 0,2 В, Vd = 5 В; Tc 25 °C ± 3 °C) |
| Струм захисту Ilimit | 0,80 А (мін. 0,72, макс. 0,88; Tc 25 °C ± 3 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 8,0 Ом (макс. 10,0; Id = 0,2 А; Tc 25 °C ± 3 °C) |
| Температура теплового захисту | 140 °C (мін. 130, макс. 150) |