Магазин
Мікросхема UC3842B , DIP8
Немає в наявності
26,32 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення Vi (макс.) | 30 В (низькоомне джерело) |
| Піковий вихідний струм | ±1 А |
| Опорна напруга Vref | 5,00 В (Tj 25 °C, Io 1 мА) |
| Частота генератора | 52 кГц (Tj 25 °C, RT 10 кОм, CT 3,3 нФ) |
| Макс. робоча частота | 500 кГц |
| Розсіювана потужність | 1,25 Вт (Tamb 25 °C, Minidip) |
Мікросхема UC3842AL ( UC3842AN , UC3842 ) , DIP
Немає в наявності
26,32 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | UTC (Unisonic Technologies) |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення Vcc (макс.) | 30 В (низькоомне джерело) |
| Піковий вихідний струм | ±1 А |
| Опорна напруга Vref | 5 В (Tj 25 °C, Iout 1 мА) |
| Частота генератора | 52 кГц (Tj 25 °C, RT 10 кОм, CT 3,3 нФ) |
| Макс. робоча частота | 500 кГц |
| Розсіювана потужність | 1250 мВт (TA 25 °C, DIP-8) |
Мікросхема UC3825N , DIP16
Немає в наявності
195,99 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | DIP16 |
| Напруга живлення (макс.) | 30 В (виводи 13, 15, абс. макс.) |
| Вихідний струм, пік | 2,0 А (імпульс 0,5 мкс, абс. макс.) |
| Вихідний струм, постійний | 0,5 А (абс. макс.) |
| Потужність розсіювання | 1 Вт (абс. макс.) |
| Частота генератора | 400 кГц (RT = 3,65 кОм, CT = 1 нФ, VCC = 15 В) |
| Поріг запуску UVLO | 9,2 В |
Мікросхема UC3825DW , sop16
Немає в наявності
119,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | SOIC-16, пакет DW (ширина 7,5 мм) |
| Напруга живлення (макс.) | 30 В (виводи 13, 15, абс. макс.) |
| Вихідний струм, пік | 2,0 А (імпульс 0,5 мкс, абс. макс.) |
| Вихідний струм, постійний | 0,5 А (абс. макс.) |
| Потужність розсіювання | 1 Вт (абс. макс.) |
| Частота генератора | 400 кГц (RT = 3,65 кОм, CT = 1 нФ, VCC = 15 В) |
| Практична частота перемикання | до 1 МГц |
| Поріг запуску UVLO | 9,2 В |
| Гістерезис UVLO | 0,8 В |
| Температура зберігання | −65…+150 °C |
Мікросхема UC2845B ( UC2845BN ) оригінал, DIP8
Немає в наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Minidip (DIP8), UC2845BN |
| Напруга живлення (макс.) | 30 В (джерело з малим опором) |
| Потужність розсіювання | 1,25 Вт (Tamb ≤ 25 °C, Minidip) |
| Опорна напруга Vref | 5,00 В (Tj 25 °C, Io = 1 мА) |
| Частота генератора | 250 кГц (Tj 25 °C, RT = 6,2 кОм, CT = 1 нФ) |
| Робоча частота (режим за струмом) | до 500 кГц |
| Поріг запуску UVLO | 8,4 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 48 % |
| Робочий діапазон температур | −25…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор FGH60N60UFD оригінал , TO247
Немає в наявності
343,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В |
| Напруга затвор-емітер Vges | ±20 В (короткочасно ±30 В) |
| Струм колектора Ic | 120 А (Tc 25 °C); 60 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 180 А (Tc 25 °C, ширина імпульсу обмежена Tj max) |
| Розсіювана потужність Pd | 298 Вт (Tc 25 °C); 119 Вт (Tc 100 °C) |
| Повний заряд затвора Qg | 188 нКл (Vce 400 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.9 В тип. / 2.4 В макс. (Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C); 2.1 В тип. (Tc 125 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 4.0 / 5.0 / 6.5 В (мін. / тип. / макс.; Ic 250 мкА, Vce = Vge) |
| Час спаду tf | 40 / 80 нс (тип. / макс.; Vcc 400 В, Ic 60 А, Rg 5 Ом, Vge 15 В, індуктивне навантаження, Tc 25 °C) |
| Вбудований діод | є |
| Пряма напруга діода Vfm | 2.0 В тип. / 2.6 В макс. (If 30 А, Tc 25 °C); 1.8 В тип. (Tc 125 °C) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 47 нс (If 30 А, diF/dt 200 А/мкс, Tc 25 °C); 179 нс (Tc 125 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.33 °C/Вт (IGBT, макс.); діод 1,1 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 (фланець – колектор) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UC2825DW , sop16
Немає в наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | SOIC-16, пакет DW (ширина 7,5 мм) |
| Напруга живлення (макс.) | 30 В (виводи 13, 15, абс. макс.) |
| Вихідний струм, пік | 2,0 А (імпульс 0,5 мкс, абс. макс.) |
| Вихідний струм, постійний | 0,5 А (абс. макс.) |
| Потужність розсіювання | 1 Вт (абс. макс.) |
| Частота генератора | 400 кГц (RT = 3,65 кОм, CT = 1 нФ, VCC = 15 В) |
| Практична частота перемикання | до 1 МГц |
| Поріг запуску UVLO | 9,2 В |
| Гістерезис UVLO | 0,8 В |
| Температура зберігання | −65…+150 °C |
Мікросхема UBA2024P , DIP8
Немає в наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга на виводі HV, робоча (макс.) | 373 В |
| Напруга на виводі HV, імпульси (макс.) | 550 В (мережеві викиди до 0,5 с) |
| Опір відкритого каналу RDS(on) | 9 Ом |
| Струм насичення | 900 мА (VDS = 30 В, Tj ≥ 125 °C, мін.) |
| Напруга живлення VDD (макс.) | 14 В |
| Напруга запуску VDD(startup) | 10–12 В (Tj 25 °C) |
| Напруга зупинки VDD(stop) | 8–9 В (Tj 25 °C) |
| Потужність навантаження | до 23 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
Мікросхема TPA3124D2 , smd
Немає в наявності
100,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Вихідна потужність на канал | 10 Вт (навантаження 8 Ом, живлення 24 В); 15 Вт (навантаження 4 Ом, живлення 22 В) |
| Напруга живлення | 10–26 В |
| Коефіцієнт підсилення | 20; 26; 32; 36 дБ (вибір виводами GAIN0, GAIN1) |
| Струм споживання в спокої | 16 мА, макс. 30 мА (SD = 2 В, MUTE = 0 В, без навантаження, Vcc 24 В) |
| Струм у режимі вимкнення | 0,39 мА, макс. 1 мА (SD = 0,8 В, без навантаження) |
| Мінімальний опір навантаження | 4 Ом |
| Робоча температура | -40–85 °C |
Мікросхема TPA3005D2 , smd
Немає в наявності
92,59 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Вихідна потужність на канал | 6 Вт (навантаження 8 Ом, живлення 12 В) |
| ККД | до 92 % (клас D) |
| Напруга живлення | 8,5–18 В (PVCC, AVCC; одне живлення) |
| Коефіцієнт підсилення | 15,3; 21,2; 27,2; 31,8 дБ (вибір виводами GAIN0, GAIN1) |
| Частота генератора | 200–300 кГц (задається ROSC і COSC) |
| Струм споживання в спокої | 11 мА, макс. 22 мА (SHUTDOWN = 2 В, без навантаження) |
| Мінімальний опір навантаження | 8 Ом |
| Робоча температура | -40–85 °C |
Мікросхема TP4057 , sot23-6
Немає в наявності
24,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Лінійний зарядний пристрій для одного Li-ion акумулятора |
| Корпус | SOT23-6 |
| Вхідна напруга Vcc | 4–6,5 В |
| Напруга завершення заряду | 4,24 В (0–85 °C, Ibat 40 мА, точність ±1 %) |
| Струм заряду | 500 мА (Rprog 2 кОм, 465–535 мА); 100 мА при Rprog 10 кОм |
| Струм попереднього заряду | 50 мА (Vbat < Vtrikl, Rprog 2 кОм, 40–60 мА) |
| Напруга попереднього заряду | 2,9 В |
| Закінчення заряду | C/10 (струм падає до 1/10 від заданого) |
| Струм споживання в режимі зупинки | 25 мкА |
| Робоча температура | -40–85 °C |
Мікросхема TOP260EN , eSIP-7C
Немає в наявності
93,06 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Тип | AC/DC імпульсний перетворювач (off-line switcher) TOPSwitch-HX |
| Корпус | eSIP-7C |
| Корпус (докладно) | eSIP-7C (E) |
| Частота перемикання | 132 кГц (режим повної частоти) |
| Вихідна потужність, адаптер, 230 В AC | 147 Вт (230 В AC ±15 %) |
| Вихідна потужність, відкрита рама, 230 В AC | 275 Вт (230 В AC ±15 %) |
| Вихідна потужність, адаптер, 85–265 В AC | 93 Вт |
| Вихідна потужність, відкрита рама, 85–265 В AC | 200 Вт |
Мікросхема TOP257YN оригінал, TO220
Немає в наявності
144,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Тип | AC/DC імпульсний перетворювач (off-line switcher) TOPSwitch-HX |
| Корпус | TO-220-7C (Y) |
| Частота перемикання | 132 кГц (режим повної частоти) |
| Вихідна потужність, адаптер, 230 В AC | 85 Вт (230 В AC ±15 %) |
| Вихідна потужність, відкрита рама, 230 В AC | 157 Вт (230 В AC ±15 %) |
| Вихідна потужність, адаптер, 85–265 В AC | 55 Вт |
| Вихідна потужність, відкрита рама, 85–265 В AC | 119 Вт |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TOP249YN ( TOP249Y ) оригінал, TO220-6
Немає в наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Напруга пробою стоку BVDSS | 700 В (мін.; IC 4 мА, Tj 25 °C) |
| Піковий струм стоку | 8.64 А |
| Струм обмеження ILIMIT | 5.40 А (тип.; Tj 25 °C) |
| Опір каналу RDS(on) | 1.30 Ом (тип.; ID 600 мА, Tj 25 °C) |
| Частота перемикання | 132 кГц (IC 3 мА, Tj 25 °C) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | TO220-6 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TOP248YN ( TOP248Y ) , TO220-6
Немає в наявності
118,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Напруга пробою стоку BVDSS | 700 В (мін.; IC 4 мА, Tj 25 °C) |
| Піковий струм стоку | 7.20 А |
| Струм обмеження ILIMIT | 4.50 А (тип.; Tj 25 °C) |
| Опір каналу RDS(on) | 1.56 Ом (тип.; ID 500 мА, Tj 25 °C) |
| Частота перемикання | 132 кГц (IC 3 мА, Tj 25 °C) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | TO220-6 |
Мікросхема TOP247YN , TO220-6
Немає в наявності
82,72 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Напруга пробою стоку BVDSS | 700 В (мін.; IC 4 мА, Tj 25 °C) |
| Піковий струм стоку | 5.76 А |
| Струм обмеження ILIMIT | 3.60 А (тип.; Tj 25 °C) |
| Опір каналу RDS(on) | 1.95 Ом (тип.; ID 400 мА, Tj 25 °C) |
| Частота перемикання | 132 кГц (IC 3 мА, Tj 25 °C) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | TO220-6 |
Мікросхема TOP245Y ( TOP245YN ) , TO220-6
Немає в наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Off-line ШІМ-перемикач (TOPSwitch-GX) |
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | TO220-6 |
| Напруга пробою BVDSS | 700 В (мін.; IC 4 мА, Tj 25 °C) |
| Піковий струм стоку | 2.88 А (Absolute Maximum Ratings) |
| Струм обмеження ILIMIT | 1.80 А тип. (Tj 25 °C) |
| Опір RDS(on) | 3.90 Ом тип. (ID 200 мА, Tj 25 °C) |
| Опір RDS(on) при 100 °C | 6.45 Ом тип. (ID 200 мА, Tj 100 °C) |
| Частота перемикання | 132 кГц (IC 3 мА, Tj 25 °C) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
Мікросхема TOP234Y ( TOP234YN ) , TO220-5
Немає в наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Off-line ШІМ-перемикач (TOPSwitch-FX) |
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | TO220-5 |
| Напруга пробою BVDSS | 700 В (мін.; ID 100 мкА, Tj 25 °C) |
| Піковий струм стоку | 2.4 А (Absolute Maximum Ratings) |
| Струм обмеження ILIMIT | 1.5 А тип. (Tj 25 °C) |
| Опір RDS(on) | 5.2 Ом тип. (ID 150 мА, Tj 25 °C) |
| Опір RDS(on) при 100 °C | 8.6 Ом тип. (ID 150 мА, Tj 100 °C) |
| Частота перемикання | 132 кГц (IC 4 мА, Tj 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення DCMAX | 78 % |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
Мікросхема TOP227YN ( TOP227Y ) , TO220-3
Немає в наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Off-line ШІМ-перемикач (TOPSwitch-II) |
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга пробою Vdss | 700 В (ID 100 мкА, TA 25 °C) |
| Опір RDS(on) | 2.6 Ом тип. (ID 300 mA, TJ 25 °C) |
| Опір RDS(on) при 100 °C | 4.3 Ом тип. (ID 300 mA, TJ 100 °C) |
| Струм обмеження ILIMIT | 3.00 А тип. (TJ 25 °C) |
| Частота fOSC | 100 кГц тип. (IC 4 мА, TJ 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення DMAX | 67 % тип. (IC = ICD1 + 0,4 мА) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
Мікросхема TOP225YN , TO220-3
Немає в наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга пробою Vdss | 700 В (ID = 100 мкА, TA = 25 °C) |
| Напруга Drain, макс. | 700 В (абсолютний максимум, відносно SOURCE, TA = 25 °C) |
| Опір відкритого каналу RDS(on) | 3.9 Ом тип. (ID = 200 мА, TJ = 25 °C; макс. 4.5 Ом) |
| RDS(on) при 100 °C | 6.4 Ом тип. (ID = 200 мА, TJ = 100 °C) |
| Струм обмеження ILIMIT | 2.00 А тип. (TJ = 25 °C; діапазон 1.80–2.20 А) |
| Частота перетворення fOSC | 100 кГц тип. (IC = 4 мА, TJ = 25 °C; діапазон 90–110 кГц) |
| Макс. коефіцієнт заповнення DMAX | 67 % тип. (діапазон 64–70 %) |
| Макс. потужність, вхід 85–265 В AC | 60 Вт (з радіатором, Tj не вище 100 °C) |
| Макс. потужність, вхід 100/115/230 В AC ±15 % | 100 Вт (з радіатором, Tj не вище 100 °C) |
| Напруга CONTROL, макс. | 9 В (абсолютний максимум) |
| Температура переходу | -40…150 °C (абсолютний максимум) |
Демонтаж
Мікросхема TOP224YN ( TOP224Y ) оригінал демонтаж, TO220-3
Немає в наявності
91,18 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга пробою Vdss | 700 В (ID = 100 мкА, TA = 25 °C) |
| Напруга Drain, макс. | 700 В (абсолютний максимум, відносно SOURCE, TA = 25 °C) |
| Опір відкритого каналу RDS(on) | 5.2 Ом тип. (ID = 150 мА, TJ = 25 °C; макс. 6.0 Ом) |
| RDS(on) при 100 °C | 8.6 Ом тип. (ID = 150 мА, TJ = 100 °C) |
| Струм обмеження ILIMIT | 1.50 А тип. (TJ = 25 °C; діапазон 1.35–1.65 А) |
| Частота перетворення fOSC | 100 кГц тип. (IC = 4 мА, TJ = 25 °C; діапазон 90–110 кГц) |
| Макс. коефіцієнт заповнення DMAX | 67 % тип. (діапазон 64–70 %) |
| Макс. потужність, вхід 85–265 В AC | 45 Вт (з радіатором, Tj не вище 100 °C) |
| Макс. потужність, вхід 100/115/230 В AC ±15 % | 75 Вт (з радіатором, Tj не вище 100 °C) |
| Напруга CONTROL, макс. | 9 В (абсолютний максимум) |
| Температура переходу | -40…150 °C (абсолютний максимум) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема TOP222YN , TO220-3
Немає в наявності
51,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга пробою Vdss | 700 В (ID = 100 мкА, TA = 25 °C) |
| Напруга Drain, макс. | 700 В (абсолютний максимум, відносно SOURCE, TA = 25 °C) |
| Опір відкритого каналу RDS(on) | 15.6 Ом тип. (ID = 50 мА, TJ = 25 °C; макс. 18.0 Ом) |
| RDS(on) при 100 °C | 25.7 Ом тип. (ID = 50 мА, TJ = 100 °C) |
| Струм обмеження ILIMIT | 0.50 А тип. (TJ = 25 °C; діапазон 0.45–0.55 А) |
| Частота перетворення fOSC | 100 кГц тип. (IC = 4 мА, TJ = 25 °C; діапазон 90–110 кГц) |
| Макс. коефіцієнт заповнення DMAX | 67 % тип. (діапазон 64–70 %) |
| Макс. потужність, вхід 85–265 В AC | 15 Вт (з радіатором, Tj не вище 100 °C) |
| Макс. потужність, вхід 100/115/230 В AC ±15 % | 25 Вт (з радіатором, Tj не вище 100 °C) |
| Напруга CONTROL, макс. | 9 В (абсолютний максимум) |
| Температура переходу | -40…150 °C (абсолютний максимум) |
Мікросхема TOP222P , DIP8
Немає в наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга пробою BVDSS | 700 В (ID 100 мкА, TA 25 °C) |
| Максимальна напруга Drain | 700 В |
| RDS(on) при TJ 25 °C | 15,6 Ом тип., 18,0 Ом макс. (ID 50 мА) |
| RDS(on) при TJ 100 °C | 25,7 Ом тип. (ID 50 мА) |
| Струм обмеження ILIMIT | 0,50 А тип. (0,45–0,55 А, TJ 25 °C, di/dt 80 мА/мкс) |
| Частота перетворення | 100 кГц тип. (90–110 кГц) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 67 % тип. (64–70 %) |
| Вихідна потужність (100/115/230 В AC ±15 %) | 15 Вт |
| Вихідна потужність (85–265 В AC) | 10 Вт |
| Напруга CONTROL, макс. | 9 В |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
Мікросхема TOP221PN , DIP8
Немає в наявності
83,66 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | DIP8 |
| Максимальна напруга Drain | 700 В |
| Пробивна напруга BVDSS | 700 В (мін., ID 100 мкА) |
| RDS(on) при TJ 25 °C | 31,2 Ом тип., 36,0 Ом макс. (ID 25 мА) |
| RDS(on) при TJ 100 °C | 51,4 Ом тип., 60,0 Ом макс. (ID 25 мА) |
| Струм самозахисту | 0,25 А (0,23–0,28 А, di/dt 40 мА/мкс, TJ 25 °C) |
| Частота перемикання | 100 кГц (90–110 кГц) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 67 % (64–70 %) |
| Вихідна потужність (100/115/230 В AC ±15 %) | 9 Вт |
| Вихідна потужність (85–265 В AC) | 6 Вт |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
Демонтаж
Мікросхема TOP210PFI ( TOP210PN ) демонтаж, DIP8
Немає в наявності
48,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | DIP8 |
| Максимальна напруга Drain | 700 В |
| Пробивна напруга BVDSS | 700 В (мін., ID 100 мкА) |
| RDS(on) при TJ 25 °C | 31,2 Ом тип., 36,0 Ом макс. (ID 25 мА) |
| RDS(on) при TJ 100 °C | 51,4 Ом тип., 59,4 Ом макс. (ID 25 мА) |
| Струм самозахисту | 0,230–0,300 А (di/dt 40 мА/мкс, TJ 25 °C) |
| Частота перемикання | 100 кГц (90–110 кГц) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 67 % (64–70 %) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема TOP209PN ( TOP209P ) демонтаж, DIP8
Немає в наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TOPSwitch |
| Максимальна напруга Drain | 700 В (TA 25 °C) |
| Пробивна напруга BVDSS | 700 В мін. (ID 100 мкА, TA 25 °C) |
| RDS(on) | 31,2 Ом тип., 36,0 Ом макс. (ID 25 мА, TJ 25 °C) |
| Струм самозахисту | 0,150–0,230 А (TJ 25 °C) |
| Частота перемикання | 70 кГц (55–85, TJ 25 °C) |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TOP204YAI оригінал ( TOP204YN ) , TO220-3
Немає в наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TOPSwitch |
| Максимальна напруга Drain | 700 В (TA 25 °C) |
| Пробивна напруга BVDSS | 700 В мін. (IC 4 мА, ID 500 мкА, TA 25 °C) |
| RDS(on) | 2,6 Ом тип., 3,0 Ом макс. (ID 300 мА, TJ 25 °C) |
| Струм самозахисту | 2,25–3,15 А (TJ 25 °C) |
| Частота перемикання | 100 кГц (90–110, TJ 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TNY277PN , DIP7
Немає в наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TinySwitch-III |
| Максимальна напруга Drain | 700 В (TA 25 °C) |
| Пробивна напруга BVDSS | 700 В мін. (VBP/M 6,2 В, VEN/UV 0 В, TJ 25 °C) |
| RDS(on) | 7,8 Ом тип., 9,0 Ом макс. (ID 45 мА, TJ 25 °C) |
| Струм обмеження | 450 мА (419–481, TJ 25 °C) |
| Частота перемикання | 132 кГц (124–140, TJ 25 °C) |
| Корпус | DIP7 |
Мікросхема TNY276PN оригінал ( TNY276PG ) , DIP7
Немає в наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Напруга DRAIN, максимум | 700 В (абсолютний максимум, від –0.3 В) |
| Піковий струм DRAIN | 720 мА, короткочасно 1350 мА (TNY276, абсолютний максимум) |
| Частота перетворення | 132 кГц (124…140 кГц, середня, TJ 25 °C) |
| Обмеження струму ILIMIT | 256 / 275 / 294 мА (мін./тип./макс., BP/M 0.1 мкФ, di/dt 55 мА/мкс, TJ 25 °C) |
| Rds(on) | 14 Ом (тип.) / 16 Ом (макс.) (ID 35 мА, TJ 25 °C; 21 / 24 Ом при TJ 100 °C) |
| Температура переходу | –40…150 °C (абсолютний максимум) |
| Потужність, 230 В AC ±15 % | 10 Вт (адаптер) / 19 Вт (відкрита конструкція) (TNY276 P/G, 50 °C) |
| Потужність, 85–265 В AC | 7 Вт (адаптер) / 15 Вт (відкрита конструкція) (TNY276 P/G, 50 °C) |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TNY267PN , DIP7 ( MIP0254 )
Немає в наявності
62,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Напруга DRAIN, максимум | 700 В (абсолютний максимум, від –0.3 В) |
| Напруга пробою BVDSS | 700 В (мін., VBP 6.2 В, VEN/UV 0 В) |
| Піковий струм DRAIN | 720 мА (абсолютний максимум) |
| Частота перетворення | 132 кГц (124…140 кГц, середня, TJ 25 °C) |
| Обмеження струму ILIMIT | 419 / 450 / 481 мА (мін./тип./макс., di/dt 90 мА/мкс, TJ 25 °C) |
| Rds(on) | 7.8 Ом (тип.) / 9.0 Ом (макс.) (ID 45 мА, TJ 25 °C) |
| Температура переходу | –40…150 °C (абсолютний максимум) |
| Потужність, 230 В AC ±15 % | 13 Вт (адаптер) / 19 Вт (відкрита конструкція) (TNY267 P/G, 50 °C) |
| Потужність, 85–265 В AC | 8 Вт (адаптер) / 12 Вт (відкрита конструкція) (TNY267 P/G, 50 °C) |
| Корпус | DIP7 |
| Корпус (докладно) | DIP-8B |
Мікросхема TNY256PN оригінал, DIP8
Немає в наявності
77,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Напруга DRAIN, максимум | 700 В (абсолютний максимум, відносно SOURCE, TA 25 °C) |
| Піковий струм DRAIN | 800 мА (абсолютний максимум) |
| Частота перетворення | 130 кГц (115…140 кГц, середня, TJ 25 °C) |
| Обмеження струму ILIMIT | 450 мА (мін.) / 500 мА (тип.) (di/dt 120 мА/мкс, TJ 25 °C) |
| Rds(on) | 15.6 Ом (тип., ID 50 мА, TJ 25 °C) |
| Температура переходу | –40…150 °C (абсолютний максимум) |
| Потужність, 230 В AC | 8–15 Вт (TNY256P, DIP-8) |
| Потужність, 85–265 В AC | 5–10 Вт (TNY256P, DIP-8) |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TNY254GN , smd
Немає в наявності
80,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Тип | Малопотужний off-line перетворювач TinySwitch |
| Корпус | SMD-8 |
| Напруга DRAIN, максимум | 700 В (абсолютний максимум, від –0.3 В, відносно SOURCE, TA 25 °C) |
| Піковий струм DRAIN | 400 (500) мА (TNY253/254; більше значення – при VDS <400 В) |
| Rds(on) | 31 (тип.) / 36 (макс.) Ом (ID 25 мА, TJ 25 °C) |
| Частота перетворення | 44 кГц |
| Обмеження струму ILIMIT | 230 / 255 / 280 (мін./тип./макс.) мА (TNY254, di/dt 25 мА/мкс, TJ 25 °C) |
| Температура переходу, робоча | –40…150 °C (абсолютний максимум) |
| Споживання без навантаження | 30 / 60 мВт (115 / 230 В AC) |
Демонтаж
Мікросхема TNY180PN демонтаж, DIP7
Немає в наявності
35,25 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Тип | Off-line ШІМ-перетворювач TinySwitch-LT із силовим MOSFET |
| Корпус | DIP-8C (літера P; за назвою товару DIP7) |
| Напруга силового MOSFET | 650 В (номінал для застосувань без активного PFC) |
| Потужність, закритий адаптер, 230 В AC ±15 % | 20 Вт (50 °C) |
| Потужність, закритий адаптер, 85–265 В AC | 14 Вт (50 °C) |
| Потужність, відкрита конструкція / пік, 85–265 В AC | 28.5 Вт |
| Напруга внутрішнього живлення BP/M | 5.85 В |
| Споживання без навантаження | <150 мВт (265 В AC, без обмотки зміщення; <50 мВт з обмоткою) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TL084CN ( TL084CP ) , DIP14
Немає в наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Чотириканальний операційний підсилювач з JFET-входом |
| Корпус | DIP14 |
| Корпус (докладно) | DIP-14 (N), CASE 646 |
| Макс. напруга живлення | ±18 В (VCC = 18 В, VEE = –18 В, абсолютний максимум) |
| Напруга зсуву входу, макс. | 20 мВ (VCC = 15 В, VEE = –15 В, 0…70 °C) |
| Вхідний струм зсуву, макс. | 5.0 нА (0…70 °C) |
| Вхідний струм зміщення, макс. | 10 нА (0…70 °C) |
| Смуга пропускання | 4.0 МГц |
| Швидкість наростання вихідної напруги | 13 В/мкс |
| Струм споживання на один підсилювач | 1.4 мА |
| Розсіювана потужність | 680 мВт (пластиковий корпус N, P) |
| Робочий температурний діапазон | 0…70 °C |
Мікросхема TL074C ( 074C , TL074CD , TL074CDT ) оригінал, so-14
Немає в наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Малошумний ОП з JFET-входом |
| Виробник | Texas Instruments |
| Макс. напруга живлення | ±18 В (абсолютний максимум) |
| Смуга одиничного підсилення | 3 МГц (типове значення, 25 °C) |
| Швидкість наростання вихідної напруги | 13 В/мкс (типове значення) |
| Шум напруги | 18 нВ/√Гц (f = 1 кГц, типове значення) |
| Нелінійні спотворення | 0.003 % (типове значення) |
| Напруга зсуву входу | 3 мВ тип., 10 мВ макс. (VCC± = ±15 В, 25 °C) |
| Вхідний струм зсуву | 5 пА тип., 100 пА макс. (VCC± = ±15 В, 25 °C) |
| Вхідний струм зміщення | 65 пА тип., 200 пА макс. (VCC± = ±15 В, 25 °C) |
| Струм споживання на один підсилювач | 1.4 мА тип., 2.5 мА макс. (без навантаження, 25 °C) |
| Робочий температурний діапазон | 0…70 °C |
| Корпус | SO-14 |
| Корпус (докладно) | SOIC-14 (D) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TL072CP ( TL072CN ) , DIP8
Немає в наявності
11,28 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Малошумний операційний підсилювач з JFET-входом |
| Виробник | Texas Instruments |
| Шум напруги | 18 нВ/√Гц (f = 1 кГц, типове значення) |
| Нелінійні спотворення | 0.003 % (типове значення) |
| Швидкість наростання вихідної напруги | 13 В/мкс (типове значення) |
| Напруга зсуву входу, макс. | 10 мВ (при 25 °C, суфікс C) |
| Робочий температурний діапазон | 0…70 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | PDIP-8 (P) |
Мікросхема TL062CP ( TL062CN ) , DIP8
Немає в наявності
12,22 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Здвоєний операційний підсилювач з JFET-входом |
| Виробник | Texas Instruments |
| Струм споживання на один підсилювач | 200 мкА (типове значення) |
| Швидкість наростання вихідної напруги | 3.5 В/мкс (типове значення) |
| Напруга зсуву входу, макс. | 15 мВ (при 25 °C, TL062CP) |
| Робочий температурний діапазон | 0…70 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | DIP-8 (P) |
| Кількість виводів | 8 |
Мікросхема TL062CD , smd
Немає в наявності
15,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Малопотужні операційні підсилювачі з JFET-входом (серія TL06x) |
| Струм споживання на один підсилювач | 200 мкА (типове значення) |
| Швидкість наростання вихідної напруги | 3.5 В/мкс (типове значення) |
| Напруга зсуву входу, макс. | 15 мВ (при 25 °C) |
| Робочий температурний діапазон | 0…70 °C (суфікс C) |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Виробник | Texas Instruments |
Мікросхема TL061 , so-8
Немає в наявності
9,87 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Одинарний швидкий операційний підсилювач із JFET-входом і малим споживанням |
| Струм споживання | 200 мкА, макс. 250 мкА (VCC = ±15 В, Tamb 25 °C, без навантаження) |
| Напруга живлення | 6–36 В |
| Макс. напруга живлення (абс. макс.) | ±18 В |
| Добуток коефіцієнта підсилення на смугу | 1 МГц (VCC = ±15 В, Tamb 25 °C) |
| Швидкість наростання | 3.5 В/мкс, мін. 1.5 В/мкс (Vi = 10 В, RL = 10 кОм, CL = 100 пФ, Av = 1) |
| Розмах вихідної напруги | 20 В, тип. 27 В (RL = 10 кОм, VCC = ±15 В, Tamb 25 °C) |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | STMicroelectronics |
Мікросхема TEA1755T ( TEA1755LT ) оригінал, so-16
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер імпульсного блока живлення: PFC (DCM/QR) і flyback (DCM/QR) в одній мікросхемі, пуск від випрямленої мережі |
| Потужність блока живлення | до 250 Вт |
| Мережа живлення | 70–276 В AC (універсальний вхід) |
| Напруга запуску Vstartup | 12.4–14.4 В, типово 13.4 В (Tamb 25 °C, VCC = 20 В) |
| Тепловий опір перехід–середовище | 127 К/Вт (у повітрі, плата JEDEC) |
| Корпус | SO-16 |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Стан | Оригінал |