Мікросхеми
Мікросхема DS1307 , DIP8
В наявності
39,95 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення Vcc | 4.5–5.5 В |
| Напруга резервної батареї Vbat | 2.0–3.5 В |
| Струм у режимі резервного живлення | менше 500 нА (генератор працює) |
| Інтерфейс | двопровідний послідовний (I2C) |
| Пам'ять RAM з батарейним живленням | 56 байт |
| Кварцовий резонатор | 32.768 кГц (зовнішній) |
| Температурний діапазон (комерційний) | 0…+70 °C |
| Температурний діапазон (промисловий) | -40…+85 °C |
Мікросхема DS1307Z , smd
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення Vcc | 4.5–5.5 В |
| Напруга резервної батареї Vbat | 2.0–3.5 В |
| Струм у режимі резервного живлення | менше 500 нА (генератор працює) |
| Інтерфейс | двопровідний послідовний (I2C) |
| Пам'ять RAM з батарейним живленням | 56 байт |
| Кварцовий резонатор | 32.768 кГц (зовнішній) |
| Температурний діапазон (комерційний) | 0…+70 °C |
| Температурний діапазон (промисловий) | -40…+85 °C |
Мікросхема DS18B20 ( 18B20 ) DALLAS , to-92 (із старих запасів ,працюють і у двопровідній, і у трипровідній схемі )
В наявності
109,98 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | цифровий термометр, інтерфейс 1-Wire |
| Напруга живлення VDD | 3.0–5.5 В |
| Діапазон вимірюваних температур | -55…+125 °C |
| Похибка (-10…+85 °C) | ±0,5 °C |
| Похибка (-55…+125 °C) | ±2 °C |
| Роздільна здатність | 9–12 біт, за замовчуванням 12 біт |
| Час перетворення (12 біт, макс.) | 750 мс |
| Унікальний код | 64 біти |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | Maxim Integrated (Dallas Semiconductor) |
Мікросхема EG2103 оригінал, so-8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Драйвер півмоста (верхній і нижній ключі) для MOSFET і IGBT |
| Напруга VB (макс.) | 600 В |
| Напруга живлення VCC | 10–20 В |
| Макс. напруга VCC | 20 В |
| Рівень логічних входів | 3,3 / 5 В |
| Макс. частота | 500 кГц |
| Вихідний струм вгору IO+ | 0,3 А |
| Вихідний струм вниз IO− | 0,6 А (Vo = 12 В, VIN = VIL, імпульс 10 мкс) |
| Температура TA | -45…125 °C |
| Температура зберігання | -55…150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | EG Micro |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG2106 оригінал, so-8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | драйвер затворів MOSFET і IGBT верхнього і нижнього ключа для DC-DC перетворювачів |
| Максимальна напруга плаваючого каналу VB | 600 В (абсолютний максимум, TA 25 °C) |
| Напруга живлення VCC | 10–20 В |
| Напруга живлення VCC, абсолютний максимум | 20 В (TA 25 °C) |
| Вихідний струм (джерело / стік) | 0,3 / 0,6 А |
| Логічні входи | сумісні з 3,3 / 5 В |
| Максимальна частота | 500 кГц |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | EG Micro |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG2113D оригінал, SOW-16 широкий корпус
В наявності
64,86 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EGmicro (Electronic Giant) |
| Тип | Драйвер затворів напівмоста |
| Напруга VB | 600 В |
| Напруга живлення Vcc | 10–20 В |
| Вихідний струм IO+/IO- | 2 / 2 А (PW 10 мкс) |
| Макс. частота | 500 кГц |
| Статичний струм | 50 мкА типово, макс. 100 мкА (входи не підключені, Vcc 15 В) |
| Мертвий час | 130 нс (TA 25 °C, Vcc 15 В, CL 1 нФ, типовий) |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG2126 оригінал, SOP28L
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EGmicro (Electronic Giant) |
| Тип | Драйвер двох напівмостів |
| Напруга VB | 600 В (абсолютний максимум VB1/VB2) |
| Напруга живлення VDD (VCC) | 3–20 В |
| Вихідний струм IO+/IO- | +2.0 / -2.0 А |
| Макс. частота | 500 кГц |
| Стабілізатор | 5 В (4.9–5.1 В, AVDD 12 В) |
| Вбудовані вузли | ОП (3 виводи) і компаратор (3 виводи) |
| Затримка вмикання LO | 280 нс (TA 25 °C, Vcc 12 В, CL 10 нФ, типова) |
| Затримка вимикання LO | 100 нс (TA 25 °C, Vcc 12 В, CL 10 нФ, типова) |
| Корпус | SOP-28 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG27324 , so-8
В наявності
34,78 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EGmicro |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість каналів | 2 незалежні (INA/OUTA, INB/OUTB) |
| Напруга живлення VCC | 2.8–20 В (25 °C) |
| Вихідний струм IO– | 2.5 А (мін. 2 А), VCC 12 В, CL 1 нФ, імпульс до 10 мкс |
| Струм спокою Icc | менше 1 мкА (VCC 12 В, 25 °C) |
| Поріг логічної одиниці | від 2.5 В |
| Поріг логічного нуля | до 1.0 В |
| Робоча температура | –45…+125 °C |
Мікросхема EG3002 , so-8
В наявності
34,78 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EGmicro |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість каналів | 1 |
| Напруга живлення VCC | 3–30 В (рекомендовано 8–20 В) |
| Пік струму витоку OUTD | 1 А (мін. 0.8 А) |
| Пік струму втікання OUTS | 1.2 А (мін. 1 А) |
| Струм споживання Icc | 2 мА (макс. 3.5 мА), VCC 12 В |
| Час наростання Tr | 80 нс (CL = 0), 160 нс (CL = 1000 пФ) |
| Час спаду Tf | 20 нс (CL = 0) |
| Затримка вмикання Ton | 200 нс (CL 1 нФ) |
| Затримка вимикання Toff | 80 нс (CL 1 нФ) |
| Робоча температура | –45…+105 °C |
Мікросхема EG3525S , so-16
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер |
| Виробник | EG Micro |
| Напруга живлення VCC | 8…35 В |
| Опорна напруга Vref | 5,1 ±2 % (VCC = 15 В, TA 25 °C) |
| Частота генератора | 100 Гц…500 кГц |
| Струм споживання Icc | 14 мА тип., 20 мА макс. (VCC = 15 В) |
| Вихідний струм (абс. максимум) | 500 мА (TA 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 1000 мВт (TA 25 °C) |
| Робоча температура | -45…105 °C |
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема EG8015 оригінал , QFN39
В наявності
149,93 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EG Micro |
| Корпус | QFN39 (6 × 6 мм) |
| Напруга живлення VDD | 2,0–5,5 В (типово 5 В) |
| Напруга живлення драйверів VDD_12V | 10–20 В (типово 15 В) |
| Напруга високої сторони VB | 600 В (гранична, TA 25 °C) |
| Струм драйвера затвора | ±1,8 А |
| Частота вихідної синусоїди | 50 або 60 Гц |
| Несуча частота SPWM | 20 кГц |
| Мертвий час | 300 нс або 1,0 мкс |
| Робоча температура | -45…105 °C (гранична) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG8020 оригінал , LQFP48
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EG Micro |
| Корпус | LQFP48 |
| Напруга живлення VDD | 2,7–5,5 В (типово 5 В; TA = 25 °C, кварц 4 МГц) |
| Максимальна напруга живлення | 7 В (абсолютний максимум) |
| Споживаний струм | 30 мА (типово, VDD = 5 В) |
| Вихідна частота | 50 / 60 Гц (вибір виводом FRQSEL) |
| Частота ШІМ | 20 кГц |
| Мертвий час | 300 нс / 500 нс / 1 мкс / 1,5 мкс |
| Інтерфейс | UART |
| Тактовий кварц | 4 МГц |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EN25F80-100HCP , smd
В наявності
69,09 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Eon Silicon Solution |
| Тип | Послідовна флеш-пам’ять SPI |
| Корпус | smd |
| Обсяг пам'яті | 8 Мбіт (1024 Кбайт) |
| Напруга живлення | 2.7–3.6 В |
| Граничне значення VCC | -0.5…+4.0 В |
| Тактова частота | 100 МГц (FAST_READ, запис, стирання), 66 МГц (READ) |
| Струм в активному режимі | 5 мА (тип.) |
| Струм під час читання | 25 мА (макс., CLK 100 МГц) |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Ресурс | 100 тис. циклів запису/стирання |
Мікросхема EST7502C ( EST.7502C ) оригінал, DIP16
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EST |
| Тип | ШІМ-контролер із супервізором живлення |
| Корпус | DIP16 |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 7 В |
| Частота ШІМ | 75 кГц (мін. 70 кГц), Rt 100 кОм, Vcc 5 В, Tj 25 °C |
| Опорна напруга | 2.45 В (мін. 2.40 В), Vcc 5 В, Tj 25 °C |
| Струм споживання | 6 мА, REM 5 В, Vcc 5 В, Tj 25 °C |
| Виходи ШІМ | 2 (двотактний режим OP1/OP2) |
| Робоча температура | -20…+85 °C |
| Температура зберігання | -65…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ETA1467 ( ETA1467S2G , G1xx ) оригінал, sot23-6
В наявності
124,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Синхронний понижувальний DC-DC перетворювач, адаптивний COT |
| Вхідна напруга | 4,5–18 В |
| Вихідний струм | до 3 А |
| Вихідна напруга | 0,8–5,5 В |
| Частота перемикання | 700 кГц (typ) |
| Опір верхнього ключа | 110 мОм (typ) |
| Опір нижнього ключа | 65 мОм (typ) |
| Обмеження струму верхнього ключа | 3,8 А (typ) |
| Захист OVP на вході | 19 В |
| Діапазон Tj | -40…125 °C |
| Корпус | SOT23-6 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ETA9640 , so-8
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | синхронний boost до 5 В/1 А плюс лінійний зарядний пристрій до 1 А для Li-Ion |
| Вихідна напруга USB | 5,05 В (4,9–5,2 В), VBAT = 3,6 В, Tj 25 °C |
| Вихідний струм boost | до 1 А (від Li-Ion, при 5 В) |
| Вихідна потужність boost | 5 Вт |
| ККД у режимі boost | до 96 % |
| Струм спокою від акумулятора | 100 мкА макс. (VBAT = 3,6 В, без навантаження) |
| Частота перемикання | 1,8 МГц (1,4–2,2 МГц), VBAT = 3,6 В |
| Rds(on) нижнього ключа | 180 мОм (типово) |
| Rds(on) синхронного ключа | 120 мОм (типово) |
| Обмеження струму ключа | 1,85 А (1,6 А мін.) |
| Напруга закінчення заряду | 4,2 В (4,15–4,24 В) |
| Струм заряду | 1 А (0,85–1,15 А), Rset = 1 кОм |
| Робоча температура | −40…+85 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
| Виробник | ETA Solution |
Мікросхема ETA9740 , so-8
В наявності
34,78 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ETA Solutions |
| Тип | зарядний пристрій Li-Ion з підвищувальним перетворювачем |
| Корпус | ESOP-8 |
| Корпус (докладно) | SO-8 (ESOP8, 8 виводів + відкрита площадка) |
| Напруга USB на вході | 4.5–5.5 В |
| Максимальний струм заряду | 3 А (Riset 56 кОм) |
| Напруга закінчення заряду | 4.21 В (4.17–4.25 В), Ibat 0 мА |
| Вихід у режимі підвищення | 5.1 В (5.05–5.15 В), Iout 0 |
| Вихідний струм boost | 2.4 А, 5 В, з акумулятора |
| ККД, макс. | 96 % |
| Частота перетворення | 650 кГц (550–750 кГц), Vin < 4.3 В |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
Мікросхема ETA9742 , so-8
В наявності
39,95 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | заряд Li-Ion акумулятора з підвищуючим перетворювачем 5 В |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальний струм заряду | 3 А (Riset = 56 кОм) |
| Вхід USB, режим заряду | 4,5–5,5 В |
| Напруга заряду акумулятора | 4,21 В |
| Вихід у режимі підвищення | 5,1 В |
| Струм у режимі підвищення | 2,4 А (5 В) |
| ККД | до 96 % |
| Частота перемикання | 650 кГц |
| Робоча температура | -40…85 °C |
Мікросхема EUA6011A smd ( TPA6011 , TPA6019 )
В наявності
156,98 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Eutech Microelectronics |
| Тип | стереопідсилювач потужності ЗЧ |
| Корпус | TSSOP-24 з тепловідвідною площадкою знизу |
| Вихідна потужність | 2 Вт, THD 1 %, f 1 кГц, VDD = PVDD = 5 В, RL = 3 Ом, підсилення 6 дБ, 25 °C |
| Вихідна потужність (THD 10 %) | 3 Вт, f 1 кГц, VDD = 5,5 В, RL = 3 Ом |
| Напруга живлення VDD, макс. | 6 В |
| Струм у режимі вимкнення | 20 мкА (макс.), SHUTDOWN = 0 В, VDD = PVDD = 5,5 В |
| Регулювання гучності | від –40 до 20 дБ, крок 2 дБ |
| Робоча температура | –40…85 °C |
Мікросхема FA1A50N ( 1A50 , FA1A50 ) , so-8
В наявності
149,93 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Корпус | SO-8 |
| Макс. напруга живлення Vcc | 28 В (абсолютний максимум) |
| Рекомендована напруга Vcc | 10–26 В (типово 12 В) |
| Поріг запуску | 9,6 В (типово) |
| Струм запуску | 500 мкА (типово) |
| Робочий струм | 1,5 мА (типово) |
| Поріг захисту за струмом CS | 0,6 В ±2 % |
| Піковий вихідний струм OUT (джерело) | 500 мА |
| Піковий вихідний струм OUT (приймач) | 1000 мА |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема FA1A60N ( 1A60 , FA1A60 ) оригінал, so-8
В наявності
95,88 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер PFC (режим критичної провідності) |
| Виробник | Fuji Electric |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення Vcc (макс.) | 28 В |
| Струм запуску | 250 мкА (тип.) |
| Робочий струм | 0.8 мА (тип.) |
| Поріг захисту за струмом | 0.6 В (±2 %) |
| Піковий струм драйвера затвору | +500 / -1000 мА |
| Розсіювана потужність | 625 мВт (Ta = 25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура середовища | -50…+105 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FA5317P ( FA5317 ) , DIP8
В наявності
71,91 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення VCC (рекомендована) | 10–30 В |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 31 В |
| Частота генератора | 5–600 кГц |
| Максимальний коефіцієнт заповнення | 70 % (тип.; Ta 25 °C, VCC 18 В) |
| Вихідний струм | ±1,0 А |
| Поріг вмикання UVLO | 15,5 В |
| Поріг вимикання UVLO | 8,4 В |
| Розсіювана потужність | 800 мВт (DIP-8, Ta 25 °C) |
| Робоча температура | –30…85 °C |