Мікросхеми
Мікросхема CT3582 ( TC3582DA , TC3582B , HT3582DA , TC3582CA , DH3582 ) , DIP8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Контролер заряду акумулятора з індикацією |
| Виробник | HotChip Tech |
| Вхідна напруга VDD | 5–10 В |
| Напруга закінчення заряду | 4,25 В (тип.) |
| Струм заряду (VDD = 6 В) | 200 мА тип. / 300 мА макс. |
| Поріг виявлення КЗ (VDD = 6 В) | 1,5 В (тип.) |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема CW7815 оригінал, DPAK
В наявності
155,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідна напруга Vo (typ) | 15 В |
| Номінальний вихідний струм | 1.5 А |
| Макс. вхідна напруга | 35 В |
| Мін. різниця вхід–вихід | 3 В |
| Струм спокою Iq (max, 25 °C, Vi 20 В, Io 500 мА) | 8 мА |
| Придушення пульсацій (min, Vi 20 В, Io 500 мА, 100 Гц) | 54 дБ |
| Температура зберігання | -65…+150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема CXA1213BS демонтаж ( CXA1213AS , CXA1213S )
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sony |
| Корпус | 48-pin SDIP (Plastic) |
| Кількість виводів | 48 шт |
| Напруга живлення Vcc (рекомендовано) | 9 ±1 В |
| Макс. напруга живлення (Ta 25 °C) | 12 В |
| Потужність розсіювання (Ta 25 °C) | 2,2 Вт |
| Робоча температура | -20…+75 °C |
| Температура зберігання | -65…+150 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема CXA1214P б/в
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Обробка сигналу кольоровості в телевізорі SECAM |
| Технологія | Біполярна кремнієва монолітна ІС |
| Напруга живлення | 8,5–9,5 В (робочі умови) |
| Потужність розсіювання | 1,3 Вт (Ta = 25 °C) |
| Робоча температура | –20…+75 °C |
| Корпус | DIP-24 (пластик) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема CXA1664M , so-16
В наявності
266,49 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Гетеродин і змішувач VHF/CATV та UHF, підсилювач ПЧ |
| Напруга живлення | 9,0 ± 0,9 В (робочі умови) |
| Потужність розсіювання | 980 мВт (Ta = 25 °C, на платі) |
| Робоча температура | –20…+75 °C |
| Струм споживання VHF | 45 мА (типове, Vcc 9 В) |
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема CXA3809AM ( A3809AM , CXA3809M ) оригінал
В наявності
197,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sony |
| Призначення | PFC (критичний режим CRM) і резонансний контролер |
| Корпус | SOP-24 |
| Напруга живлення VCC, рекомендована | 12,0–18,0 В |
| Напруга живлення, макс. | 24,0 В |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
| Робоча температура | –25…+85 °C |
| Температура зберігання | –55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема CXA3810M ( A3810M )
В наявності
352,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sony Semiconductor Solutions |
| Призначення | AC-DC контролер: PFC і резонансний |
| Режим PFC | критичний режим провідності |
| Корпус | SOP-24 |
| VCC, макс. | 24,0 В |
| VREF | 5,00 В (4,85–5,15 В) при VCC 10,5–18 В; Ta 27 °C |
| Vact (UVLO) | 11,0 В (10,2–11,8 В) при Ta 27 °C, VCC 12 В |
| Voff (UVLO) | 9,6 В (9,0–10,2 В) при Ta 27 °C, VCC 12 В |
| Струм споживання в роботі | 3,0 мА (макс. 3,5 мА) |
Мікросхема D1875 ( CD1875 )
В наявності
104,81 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Одноканальний Hi-Fi підсилювач потужності НЧ |
| Напруга живлення VCC | 16–60 В |
| Вихідна потужність | 25 Вт (THD 1 %, RL 8 Ом, VCC ±25 В, 1 кГц) |
| Максимальний вихідний струм | 4 А |
| Струм спокою | 70 мА (макс. 100 мА) |
| Корпус | TO220-5 |
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
Мікросхема D3011K ( SQD3011K ) , DIP8
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Виробник | Sanken Electric Co., Ltd. |
Мікросхема D9329A ( BD9329A , BD9329 , D9329 ) , so-8
В наявності
72,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Вхідна напруга | 4,2–18 В (типово 12 В) |
| Макс. вхідна напруга VIN | 20 В (Absolute Maximum Ratings) |
| Вихідна напруга | 0,9 – (VIN × 0,7) В |
| Вихідний струм | 3,0 А (макс., безперервний) |
| Частота перемикання | 380 кГц (типово, фіксована) |
| Опір верхнього ключа | 0,15 Ом (типово, ISW −0,8 А, VIN 12 В, Ta 25 °C) |
| Опір нижнього ключа | 0,13 Ом (типово) |
| Робоча температура | −40…+85 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
Мікросхема DAP013C , smd
В наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Тип | квазірезонансний контролер AC-DC (flyback) |
| Макс. напруга VCC | 28 В |
| Піковий струм драйвера | +500 / −800 мА (витік / втік) |
| М'який старт | 5 мс (внутрішній) |
| Корпус | smd |
Мікросхема DAP018A , so-14
В наявності
68,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | SO-14 |
| Корпус (докладно) | SOIC-14 (D suffix, CASE 751A) |
| Частота перетворення | 65 кГц (версія A) |
| Мін. частота при малому навантаженні | 25 кГц |
| Макс. напруга живлення VCC | 28 В |
| Макс. напруга на виводі HV (14) | 500 В |
| VCC увімкнення | 15 В (14–16 В, TJ 25 °C) |
| Піковий струм драйвера, джерело | 500 мА (VDRV = 10,5 В) |
| Піковий струм драйвера, стік | 800 мА (VDRV = 0 В) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–повітря | 120 °C/Вт |
Мікросхема DDA002C ( DDA002 ) , smd
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Призначення | контролер напівмостових перетворювачів з драйвером верхнього ключа |
| Корпус | SOIC-19 без виводу 17 (SO19W) |
| Частота перемикання | 30–500 кГц |
| Мертвий час | 100 нс – 2 мс |
| Напруга драйвера верхнього ключа (HB) | 600 В |
| Vcc, макс. | 20 В |
| Поріг вмикання Vcc | 12 В |
| Струм драйвера, пік | 0,5 / 0,25 А |
| Tj, макс. | 150 °C |
Мікросхема DH0265R , DIP8
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Виробник | Fairchild (onsemi) |
| Напруга Drain / Vstr (макс.) | 650 В, Ta 25 °C |
| Імпульсний струм стоку | 8.0 А, Ta 25 °C |
| Rds(on) | 5.0 Ом (тип.), 6.0 Ом (макс.), Vgs 10 В, Id 0,5 А |
| Частота перетворення | 92 / 100 / 108 кГц (мін. / тип. / макс.) |
| Напруга живлення Vcc (макс.) | 20 В, Ta 25 °C |
| Поріг UVLO (запуск) | 12 В |
| Розсіювана потужність | 1.56 Вт, Ta 25 °C |
| Робоча температура | -25…+85 °C |
Мікросхема DH321 , DIP8
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер зі вбудованим ключем SENSEFET |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга ключа BVDSS | 650 В |
| Частота перетворення | 100 кГц |
| Rds(on) | 14 Ом |
| Id (Tc 25 °C) | 0.7 А |
| Id (Tc 100 °C) | 0.32 А |
| Idm | 1.5 А |
| Напруга живлення Vcc (макс., Ta 25 °C) | 20 В |
| Pd (Ta 25 °C) | 1.40 Вт |
| Робоча температура | -25…85 °C |
Мікросхема DK112 , DIP8 ( Заміна для DK106 )
В наявності
33,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер зі вбудованим BJT |
| Виробник | Shenzhen Dongke Semiconductor Co., Ltd |
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга мережі | 85–265 В AC |
| Частота генератора | 65 кГц |
| Вихідна потужність (макс., вхід 85–264 В AC) | 12 Вт |
| Вихідна потужність (макс., вхід 85–145 В AC або 180–264 В AC) | 18 Вт |
| Напруга живлення Vcc (макс.) | 9 В |
| Напруга колектор–земля (макс.) | 780 В |
| Піковий струм (макс.) | 800 мА |
| Pd | 1000 мВт |
| Споживання в режимі очікування | <0.3 Вт |
Мікросхема DK1203 , DIP8
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | AC-DC контролер flyback зі вбудованим транзистором |
| Виробник | Dongke Semiconductor (Anhui) Co., Ltd |
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга мережі | 85–264 В AC |
| Пробивна напруга транзистора (Ioc 1 мА, мін.) | 700 В |
| Частота ШІМ | 65 кГц |
| Вихідна потужність (вхід 85–264 В AC, 45 °C) | 12 Вт |
| Вихідна потужність, друга версія | 15 Вт |
| Піковий струм (макс.) | 800 мА |
| Струм захисту за піком (типово) | 720 мА |
| Pd | 1000 мВт |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 8 В |
| Робоча температура | -25…125 °C |
Мікросхема DK124T ( DK124 ) оригінал ( заміна для CSC7224 ) , DIP8
В наявності
33,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Anhui Dongke Semiconductor Co., Ltd |
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга мережі | 90–265 В AC |
| Пробивна напруга вбудованого транзистора | 700 В (Ioc 1 мА, мін.) |
| Частота ШІМ | 65 кГц (VCC 5 В, Fb 1.5–2.5 В) |
| Типова вихідна потужність | 18 Вт (вхід 90–265 В AC, тест при 45 °C) |
| Піковий струм (макс.) | 1300 мА |
| Потужність розсіювання Pd | 1000 мВт |
| Напруга живлення Vcc (макс.) | 8 В |
| Робоча температура корпусу | -25…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема DK3113 , DIP8
В наявності
43,71 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shenzhen Dongke Semiconductor Co., Ltd. |
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга AC | 85–265 В |
| Макс. вихідна потужність | 15 Вт (вхід AC 85–265 В) |
| Напруга вбудованого силового ключа | 700 В |
| Допустима напруга ключа | 730 В (граничне значення) |
| Струм силового ключа | 1.5 А (граничне значення) |
| Робоча напруга Vcc | 4–6 В |
| Частота перемикання | 65 кГц |
Мікросхема DL0165R , DIP8
В наявності
52,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга стік–витік BVDSS | 650 В (VGS=0 В, ID=50 мкА, Ta 25 °C, мін.) |
| Опір RDS(on) | 8.0 Ом тип., 10.0 Ом макс. (VGS=10 В, ID=0.5 А, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку IDM | 4.0 А |
| Частота перетворення | 50 кГц (45–55) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % (71–83) |
| Макс. напруга живлення Vcc | 20 В |
| Розсіювана потужність Pd | 1.25 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема DM0365R , DIP8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга стік–витік BVDSS | 650 В |
| Rds(on) | 3.6 Ом тип., 4.5 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 0.5 А, 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 12.0 А |
| Частота перемикання | 67 кГц (61–73 кГц), 25 °C |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % (71–83 %) |
| Обмеження піку струму Ilim | 2.15 А (1.89–2.41 А) |
| Старт живлення Vcc | 12 В |
| Розсіювана потужність Pd | 1.56 Вт |
| Потужність в адаптері | 19 Вт (закритий, 230 В AC ±15 %, 50 °C); 30 Вт у відкритій конструкції |
Демонтаж
Мікросхема DM0465R , TO220-6 демонтаж
В наявності
44,18 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO220-6 |
| Напруга стік–витік BVDSS | 650 В |
| Rds(on) макс. | 2.6 Ом |
| Постійний струм стоку | 2.2 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 9.6 А (Tc 25 °C) |
| Частота перемикання | 66 кГц (60–72 кГц), Vfb 3 В |
| Макс. напруга живлення Vcc | 20 В |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема DM0565R демонтаж ,TO220-6 ( GM0565R )
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга стік–витік (Vdss) | 650 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку | 2,8 А (Tc 25 °C); 1,7 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 11 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 1,76 Ом тип.; 2,2 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 2,5 А) |
| Частота перемикання | 66 кГц (60–72 кГц), Vfb 3 В |
| Енергія одиничної лавини | 190 мДж |
| Макс. напруга VCC | 20 В |
| Корпус | TO-220F-6L |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема DM0565R оригінал,TO220-6 ( заміна для GM0565R )
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO220-6 |
| Напруга стік–витік BVDSS | 650 В (мін., Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Rds(on) | 1.76 Ом тип., 2.2 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 2.5 А) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 11 А (Tc 25 °C) |
| Частота перемикання | 66 кГц (60–72 кГц), Vfb 3 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 80 % (75–85 %) |
| Обмеження піку струму | 2.25 А (2.0–2.5 А), Vfb 5 В, Vcc 14 В |
| Макс. напруга живлення Vcc | 20 В |
| Пороги Vcc запуск / зупинка | 12 / 8 В |
| Розсіювана потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C, з радіатором) |
| Потужність в адаптері | 60 Вт (закритий, 230 В AC ±15 %, 50 °C); 70 Вт у відкритій конструкції |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема DM07652R , TO220F
В наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 650 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 3.8 А (Tc 25 °C); 2.4 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 15 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 1.4 Ом, макс. 1.6 Ом (Vgs 10 В, Id 2.5 А) |
| Робоча частота | 66 кГц (60–72 кГц) |
| Струм обмеження | 2.5 А (2.2–2.8 А) |
| Корпус | TO-220F-6L |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
Мікросхема DM311 , DIP8 (Заміна для M605)
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга BVdss | 650 В |
| Струм стоку Id | 0.5 А (Tc 25 °C); 0.32 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 1.5 А (Ta 25 °C) |
| Rds(on) | 14 Ом (Vgs 10 В, Id 0.5 А) |
| Робоча частота | 67 кГц |
| Розсіювана потужність | 1.4 Вт (Ta 25 °C) |
| Корпус | DIP8 |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
Мікросхема DP104C оригінал , TO220-5
В наявності
80,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | контролер імпульсного БЖ (Switch Control IC) |
| Корпус | TO220-5 |
| Стан | Оригінал |