Мікросхеми
Мікросхема BD9486F
В наявності
112,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Призначення | 1-канальний boost драйвер білих LED підсвічування LCD |
| Робоча напруга живлення | 9,0–18,0 В |
| Максимальна напруга VCC | 20 В (Ta 25 °C) |
| Частота генератора DC/DC | 150 кГц (142,5–157,5 кГц) при RT = 100 кОм, VCC = 12 В, Ta 25 °C |
| Струм споживання | 2,6 мА typ. (макс. 5,2 мА) при VCC = 12 В, Ta 25 °C |
| Діапазон ADIM | 0,2–3,0 В |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема BD9766FV
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Призначення | DC-AC Inverter Control IC, 2 канали, напівміст |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 12 В (Ta 25 °C) |
| Напруга живлення Vcc, робоча | 5,0–11,0 В |
| Частота генератора CT | 35–200 кГц |
| Частота BURST-генератора BCT | 0,10–0,50 кГц |
| Потужність розсіювання Pd | 850 мВт (Ta 25 °C, плата 70×70×1,6 мм) |
| Температура переходу, макс. | 125 °C |
| Робоча температура | -35…+85 °C |
| Корпус | SSOP-B28 |
Мікросхема BD9883AF , sop-20
В наявності
124,08 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Призначення | DC-AC Inverter Control IC, 1 канал, напівміст, процес 36 В |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 30 В (Ta 25 °C) |
| Напруга живлення Vcc, робоча | 6,0–22,0 В |
| Напруга BST, макс. | 40 В (Ta 25 °C) |
| Частота генератора CT | 20–150 кГц |
| Частота BURST-генератора BCT | 0,10–0,50 кГц |
| Струм споживання Icc1 | 9,0 мА тип., 17,0 мА макс. (Ta 25 °C, Vcc 12 В, fCT 100 кГц) |
| Вихідна напруга REG | 5,50 В (5,30–5,70 В) при Ta 25 °C, Vcc 12 В |
| Потужність розсіювання Pd | 550 мВт (Ta 25 °C, плата 70×70×1,6 мм) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | SO-20 |
Мікросхема BD9883FV ( BD9883-маркування ), ssop-20
В наявності
86,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Призначення | DC-AC Inverter Control IC, 1 канал, напівміст, процес 36 В |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 30 В (Ta 25 °C) |
| Напруга живлення Vcc, робоча | 6,0–22,0 В |
| Напруга BST, макс. | 40 В (Ta 25 °C) |
| Частота генератора CT | 20–150 кГц |
| Частота BURST-генератора BCT | 0,10–0,50 кГц |
| Струм споживання Icc1 | 9,0 мА тип., 17,0 мА макс. (Ta 25 °C, Vcc 12 В, fCT 100 кГц) |
| Вихідна напруга REG | 5,50 В (5,30–5,70 В) при Ta 25 °C, Vcc 12 В |
| Потужність розсіювання Pd | 650 мВт (Ta 25 °C, плата 70×70×1,6 мм) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | SSOP-B20 |
Мікросхема BD9886FV
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Призначення | DC-AC Inverter Control IC, 2 канали, двотактний (push-pull) |
| Напруга живлення Vcc, робоча | 5,0–14,0 В |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 15 В (Ta 25 °C) |
| Частота генератора CT | 20–150 кГц |
| Частота BURST-генератора BCT | 0,05–0,50 кГц |
| Потужність розсіювання Pd | 850 мВт (Ta 25 °C, плата 70×70×1,6 мм) |
| Температура переходу, макс. | 125 °C |
| Робоча температура | -40…+90 °C |
| Корпус | SSOP-B28 |
Мікросхема BD9897FS , smd
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Призначення | DC-AC Inverter Control IC, 1 канал, повний міст |
| Напруга живлення Vcc, робоча | 7,5–30,0 В |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 36 В (Ta 25 °C) |
| Напруга BST, макс. | 40 В (Ta 25 °C) |
| Частота генератора CT | 60–180 кГц |
| Частота BURST-генератора BCT | 0,05–1,00 кГц |
| Потужність розсіювання Pd | 950 мВт (Ta 25 °C, плата 70×70×1,6 мм) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | SSOP-A32 |
Мікросхема BH0170A ( BH0170 ) , DIP8
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Призначення | Зелений ШІМ-контролер зі вбудованим SenseFET 700 В (flyback) |
| Напруга Vds (BVDSS) SenseFET | 700 В (VDS=700 В, VGS=0 В) |
| Імпульсний струм стоку IDM | 4.0 А |
| Опір Rds(on) | 8.8 Ом тип. / 11.0 Ом макс. (VGS=10 В, ID=0.5 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 1.5 Вт (TA не вище 50 °C) |
| Макс. напруга живлення VDD | 30 В |
| Поріг увімкнення VDD-ON | 11–13 В |
| Мін. робоча напруга VDD-OFF | 7–9 В |
| Частота генератора fOSC | 94–106 кГц |
| Частота в green-режимі fOSC-G | 14–22 кГц |
| Робоча температура | -40…+105 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема BI3101A , so-16
В наявності
130,66 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Двоканальний ШІМ-контролер CCFL |
| Виробник | Beyond Innovation Technology |
| Напруга живлення VDD | 4.5–13.2 В |
| Макс. напруга VDD | –0.3…+15 В (Ta=25 °C) |
| Робоча частота | 50–250 кГц (140 кГц при Rt=100 кОм) |
| Опорна напруга | 1.5 В (VDD=12 В, Ta=25 °C) |
| Поріг OLP | 325 мВ |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема BIT3102A , so-8
В наявності
71,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | ШІМ-контролер CCFL із захистом від обриву лампи |
| Виробник | Beyond Innovation Technology (BiTEK) |
| Напруга живлення VDD | 4.5–8.5 В |
| Макс. напруга VDD | –0.3…+9.0 В (Ta=25 °C) |
| Робоча частота | 50–250 кГц (140 кГц при RT=100 кОм) |
| Струм споживання | 1 мА (типове значення) |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема BIT3102B , so-14
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | ШІМ-контролер CCFL із захистом від обриву навантаження |
| Виробник | BiTEK (Beyond Innovation Technology) |
| Струм споживання | 1 мА (типове значення, CMOS) |
| Корпус | SO-14 |
Мікросхема BIT3105 , so-20
В наявності
115,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Повномостовий ШІМ-контролер CCFL з ZVS і ШІМ-димінгом |
| Напруга живлення AVDD=PVDD | 4.5–13.2 В |
| Робоча частота | 30–250 кГц |
| ККД | понад 85 % (повномостова ZVS-схема) |
| Поріг OLP | 300 мВ (після періоду запалювання) |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Корпус | SO-20 |
| Виробник | Beyond Innovation Technology |
Мікросхема BIT3105P ( BIT3105 ) , DIP
В наявності
84,13 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер CCFL-інвертора, повний міст ZVS, PWM-димування |
| Напруга живлення AVDD=PVDD | 4.5–13.2 В (рекомендована) |
| Макс. напруга живлення | 15 В (Ta 25 °C) |
| Струм споживання | 2 мА (12 В, Ta 25 °C, типово) |
| Опорна напруга | 1.25 В |
| Робоча частота лампи | 30–250 кГц |
| Частота PWM-димування | 10 Гц–100 кГц (VDD 12 В) |
| Розсіювана потужність | 800 мВт (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Корпус | DIP |
| Виробник | Beyond Innovation Technology (BiTEK) |
Мікросхема BIT3193G ( BIT3193 ) , so-16
В наявності
60,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | ШІМ-контролер із низькочастотним PWM-генератором і захистом із фіксацією вимкнення |
| Напруга живлення VDD | 4.0–8 В (рекомендовано 4.5–8 В) |
| Макс. напруга живлення | 9 В (Ta 25 °C) |
| Струм споживання | 4 мА (VDD 8 В, Ta 25 °C, типово) |
| Частота основного ШІМ | 50–400 кГц |
| Опорна напруга | 1.25 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення PWM | 92 % (VDD 12 В) |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Корпус | SO-16 |
| Виробник | Beyond Innovation Technology (BiTEK) |
Мікросхема BIT3251 , so-8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | ШІМ-контролер підвищувального перетворювача, LED-підсвічування |
| Напруга живлення VDD | 4–8 В |
| Робоча частота | 330 кГц |
| Опорна напруга | 0.2 В (VDD 5 В, Ta 25 °C) |
| Поріг UVLO | 3.8 В (Ta 25 °C) |
| Поріг OVP | 1.55 В (VDD 5 В, Ta 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 93 % (VDD 5 В, Ta 25 °C, 330 кГц) |
| Вихід | CMOS totem pole |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема BIT3252A , so-8
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | ШІМ-контролер з вбудованим NMOS, LED-підсвічування |
| Напруга живлення VDD | 4–8 В |
| Vds вбудованого NMOS | 55 В (Ids 250 мкА, ключ закритий) |
| Струм NMOS | 1.2 А (безперервний, типово) |
| Робоча частота | 330 кГц |
| Поріг UVLO | 3.8 В (Ta 25 °C) |
| Поріг OVP | 1.55 В (VDD 5 В, Ta 25 °C) |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема BIT3368, so-8
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | BiTEK (Beyond Innovation Technology) |
| Напруга живлення VDD | 8–18 В |
| Робоча частота | 55 / 110 / 220 кГц |
| Опорна напруга | 0,21 В |
| Поріг UVLO | 7 В |
| Робоча температура | –20…85 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема BK1080 , so-16
В наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Beken |
| Призначення | FM-радіоприймач із цифровою демодуляцією (low-IF) |
| Діапазон прийому | 64–108 МГц |
| Напруга живлення VD/VA | 2,5–3,6 В (корпус SOP16, BK1080SB) |
| Напруга інтерфейсу VIO | 1,6–3,6 В |
| Струм споживання | 20 мА тип., 22 мА макс. (ENABLE = 1, VD = VA = 3,3 В, 25 °C) |
| Робоча температура | -20…85 °C |
| Інтерфейс керування | 3-wire або I2C |
| Опорна частота | 32,768 кГц (кварцовий резонатор) |
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема BL0202B оригінал, sop-18
В наявності
142,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Призначення | 2-канальний драйвер світлодіодів підсвічування з підвищувальним перетворювачем |
| Кількість каналів | 2 |
| Частота ШІМ перетворювача | 100 кГц (95–105 кГц), Tа 25 °C, VCC = 12 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 90 % (85–95 %), Tа 25 °C, VCC = 12 В |
| Напруга виходу REG | 5,0 В ±1,5 % (4,925–5,075 В), Tа 25 °C, VCC = 12 В |
| Макс. напруга VCC | 20 В (абс. максимум, Tа 25 °C) |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Контрастність ШІМ-димінгу | 1/5000 |
| Корпус | SOP-18 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема BP2833A , so-8
В наявності
25,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | BPS (Bright Power Semiconductor) |
| Вхідна напруга | 85–265 В AC |
| Напруга ключа DRAIN | 500 В |
| Точність струму | ±5 % |
| Поріг CS | 400 мВ |
| Корпус | SO-8 |
| Робоча температура | -40…105 °C |
Демонтаж
Мікросхема BP2836D демонтаж, DIP8
В наявності
33,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | BPS (Bright Power Semiconductor) |
| Призначення | Понижувальний драйвер світлодіодів зі стабілізацією струму, режим критичної провідності |
| Вхідна напруга мережі | 85–265 В AC |
| Пробивна напруга MOSFET | 500 В мін. (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Опір відкритого каналу | 3 Ом тип. (VGS = 15 В, IDS = 0,4 А) |
| Поріг обмеження струму CS | 400 мВ (388–412 мВ), VCC = 15 В, Tа 25 °C |
| Точність струму світлодіодів | ±5 % |
| Поріг вмикання VCC | 13,8 В |
| Поріг вимикання VCC | 9 В |
| Макс. розсіювана потужність | 0,9 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура | -40…105 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема BP2857D , DIP7
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | неізольований понижувальний драйвер світлодіодів |
| Виробник | BPS |
| Вхідна напруга мережі | 85–265 В AC |
| Vds вбудованого MOSFET | 500 В |
| Rds(on) | 2 Ом |
| Поріг обмеження струму CS | 400 мВ |
| Точність вихідного струму | ±5 % |
| Робоча температура | −40…105 °C |
| Корпус | DIP7 |
Мікросхема BP2858 , DIP7
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP7 |
| Вхідна напруга мережі | 85–265 В AC (за BP2858F) |
| Напруга силового ключа | 500 В (за BP2858F) |
| Опір силового ключа | 3 Ом (за BP2858F, умови виміру не вказано) |
| Вихідна потужність | менше 50 Вт (за BP2858F) |
| Точність струму світлодіодів | ±5 % (за BP2858F) |
| Діапазон ШІМ-димування | 1–100 % (за BP2858F) |
Мікросхема BP2958 оригінал , DIP7
В наявності
51,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | неізольований понижувальний LED-драйвер з PWM-димуванням |
| Корпус | DIP7 |
| Вхід | 85–265 Vac |
| Напруга пробою ключа BVDSS | 500 В |
| Точність струму LED | ±5 % |
| Діапазон PWM-димування | 1–100 % |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема BQ24780S ( BQ24780SRUYR ) , QFN-28
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Призначення | синхронний контролер заряду Li+ акумуляторів, Hybrid Power Boost |
| Кількість елементів акумулятора | 1–4 послідовних Li+ |
| Робоча напруга VCC/ACP/ACN | 4,5–24 В |
| Діапазон напруги батареї | 1,024–19,2 В |
| Частота перемикання ШІМ | 600 / 800 / 1000 кГц |
| Точність напруги заряду | ±0,4 % |
| Точність вхідного струму | ±2 % |
| Точність струму заряду | ±2 % |
| Робоча температура повітря TA | від –40 до 85 °C |
| Інтерфейс | SMBus (SDA, SCL) |
| Корпус | WQFN-28 (RUY), 4,00 × 4,00 мм |
Мікросхема BSP3505D B3 , SDIP-52
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Micronas |
| Корпус | SDIP52 |
| Живлення AHVSUP | 8,0 В (7,6–8,4 В) при TA 0–70 °C |
| Живлення DVSUP | 5,0 В (4,75–5,25 В) при TA 0–70 °C |
| Живлення AVSUP | 5,0 В (4,75–5,25 В) при TA 0–70 °C |
| Тактова частота кварцу | 18,432 МГц |
| Входи SCART | 2 стерео + 1 моно, рівень входу до 2 В RMS |
| Сигнал/шум | не менше 85 дБ (АЦП / ЦАП, 20 Гц–16 кГц) |
| Інтерфейс керування | I2C |
| Робоча температура | 0…70 °C |
Мікросхема BTS142D оригінал, TO252
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Тип | N-канальний вертикальний MOSFET Smart SIPMOS із вбудованим захистом |
| Напруга Vds | 42 В |
| Rds(on) | 28 мОм (умови не вказані) |
| Струм ID(Nom) | 4.6 А |
| Енергія затискання EAS | 3.5 Дж |
| Вхідна напруга VIN | -0.2…10 В (неперервна) |
| Напруга затискання VDS(AZ) | 42–55 В (ID = 10 мА, Tj = -40…150 °C) |
| Температура переходу Tj | -40…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема BTS409L1 оригінал демонтаж, TO263-5
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO263-5 |
| Виробник | Infineon |
| Робоча напруга Vbb(on) | 5,0–34 В (Tj -40…+150 °C) |
| Захист Vbb(AZ) | 43 В |
| Опір каналу RON | 200 мОм макс. (IL = 1,8 A, Vbb = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Струм IL(ISO) | 2,3 А (VON = 0,5 В, TC = 85 °C) |
| Потужність Ptot | 18 Вт (TC ≤ 25 °C) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема BTS428L2 ( 428L2 ) оригінал демонтаж, TO252-5
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | інтелектуальний ключ верхнього плеча (PROFET, N-канальний MOSFET) |
| Корпус | TO252-5L |
| Rds(on) тип. | 50 мОм (IL = 2 А, VBB ≥ 7 В, Tj = 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 60 мОм (IL = 2 А, VBB ≥ 7 В, Tj = 25 °C) |
| Робоча напруга Vbb(on) | 4,75…41 В (Tj = -40 °C; до 43 В при Tj = +25…+150 °C) |
| Напруга живлення Vbb макс. | 43 В (Tj = 25 °C) |
| Номінальний струм IL(ISO) | 7,0 А (ISO 10483-1, VON = 0,5 В, TC = 85 °C) |
| Обмеження струму IL(SCr) | 17 А |
| Розсіювана потужність Ptot | 75 Вт (TC ≤ 25 °C) |
| Температура Tj | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема BTS432E2 оригінал, TO263-5
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO263-5 |
| Виробник | Siemens Semiconductor Group |
| Робоча напруга Vbb | 4,5–42 В (Tj -40…+150 °C) |
| Опір каналу RON | 38 мОм макс. (IL = 2 A, Vbb = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Струм IL(ISO) | 11 А (VON = 0,5 В, TC = 85 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (DC) |
| Енергія EAS | 1,7 Дж (одиночний імпульс, Tj,start = 150 °C) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема BTS441R оригінал демонтаж, TO263-5
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | інтелектуальний ключ верхнього плеча (PROFET, N-канальний MOSFET) |
| Корпус | TO263-5 |
| Rds(on) тип. | 15 мОм (IL = 2 А, Vbb ≥ 7 В, Tj = 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 20 мОм (IL = 2 А, Vbb ≥ 7 В, Tj = 25 °C) |
| Робоча напруга Vbb(on) | 4,75…41 В (Tj = -40 °C; 4,75…43 В при +25 і +105 °C) |
| Напруга живлення Vbb макс. | 43 В (Tj = 25 °C) |
| Номінальний струм IL(ISO) | 21 А (ISO 10483-1, VON = 0,5 В, TC = 85 °C) |
| Обмеження струму IL(lim) | 65 А |
| Розсіювана потужність Ptot | 125 Вт (TC ≤ 25 °C) |
| Температура Tj | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема BTS442E2 оригінал, TO263-5
В наявності
160,27 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | інтелектуальний ключ верхнього плеча (PROFET, N-канальний MOSFET) |
| Корпус | TO263-5 |
| Rds(on) тип. | 15 мОм (IL = 5 А, Vbb = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 18 мОм (IL = 5 А, Vbb = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Робоча напруга Vbb(on) | 4,5…42 В (Tj = -40…+150 °C) |
| Напруга живлення Vbb макс. | 63 В (Tj = 25 °C) |
| Номінальний струм IL(ISO) | 21 А (VON = 0,5 В, TC = 85 °C) |
| Обмеження струму IL(SCr) | 70 А |
| Розсіювана потужність Ptot | 167 Вт (DC, Tj = 25 °C) |
| Температура Tj | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема BTS452R ( BTS452 ) оригінал, TO252-5
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Робоча напруга Vbb(on) | 6–52 В |
| Напруга захисту Vbb(AZ) | 62 В |
| Опір каналу RON | 150 мОм тип., 200 мОм макс. (Tj = 25 °C, IL = 1 А, Vbb = 9–52 В) |
| Струм IL(ISO) | 1,8 А мін., 2,2 А тип. (TC = 85 °C, VON = 0,5 В, на платі) |
| Час вмикання ton | 80 мкс тип. (RL = 47 Ом) |
| Час вимикання toff | 80 мкс тип. (RL = 47 Ом) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | TO252-5L |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема BTS611L1 оригінал демонтаж, TO263-7
В наявності
204,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Кількість каналів | 2 |
| Робоча напруга Vbb(on) | 5,0–34 В |
| Захист від перенапруги Vbb(AZ) | 43 В |
| RON на канал (IL = 1,8 А, Vbb = 12 В, Tj 25 °C) | 200 мОм макс. |
| Струм IL(ISO) на канал (VON = 0,5 В, TC 85 °C) | 2,3 А |
| Розсіювана потужність | 36 Вт (TC ≤ 25 °C) |
| Температура переходу | –40…150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема BTS6142D ( 6142D ) , TO252-5
В наявності
110,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Одноканальний розумний ключ верхнього плеча (PROFET) |
| Виробник | Infineon |
| Робоча напруга Vbb(on) | 5,5–24 В |
| Макс. напруга Vbb | 38 В (Tj 25 °C) |
| Напруга захисту VON(CL) | 39 В |
| RDS(ON) | 12 мОм тип. / 17 мОм макс. (Vbb = 5,5 В, Tj 25 °C) |
| Струм IL(nom) | 7 А мін. (Ta = 85 °C) |
| Обмеження струму IL6(SC) | 50 А |
| Струм спокою Ibb(off) | 6 мкА |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Корпус | TO252-5L |
Мікросхема BTS6143D ( 6143D ) , TO252-5
В наявності
92,59 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Розумний ключ верхнього плеча (PROFET) |
| Корпус | TO252-5L |
| Робоча напруга живлення Vbb(on) | 5,5…38 В |
| Опір RON (Tj = 25 °C, IL = 7,5 A) | 10 мОм (тип.), 14 мОм (макс.) |
| Номінальний струм IL(nom) | 8 A |
| Обмеження струму IL12(SC) | 75 A |
| Робоча температура | -40…+150 °C |
Демонтаж
Мікросхема BTS6163D ( 6163D ) оригінал демонтаж, TO252-5
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO252-5L |
| Робоча напруга Vbb(on) | 5,5–62 В (VIN = 0, Tj −40…150 °C) |
| RON | 16 мОм тип. / 20 мОм макс. (VIN = 0, Vbb 12–24 В, IL = 7,5 А, Tj 25 °C) |
| RON при Vbb = 5,5 В | 19 мОм тип. / 25 мОм макс. (IL = 7,5 А, Tj 25 °C) |
| Номінальний струм IL(nom) | 5,5 А мін. / 6,5 А тип. (TA = 85 °C) |
| Обмеження струму IL12(SC) | 70 А |
| Струм спокою Ibb(off) | 3 мкА тип. / 6 мкА макс. (Tj −40…+120 °C) |
| Потужність Ptot | 59 Вт |
| EAS | 0,25 Дж (IL = 20 А, Vbb = 24 В, Tj = 150 °C) |
| ESD | 3,0 кВ |
| Тепловий опір RthJC | 1,1 К/Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема BTS621L1 оригінал демонтаж, TO263-7
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Кількість каналів | 2 |
| Робоча напруга Vbb(on) | 5,0–34 В |
| Захист від перенапруги Vbb(AZ) | 43 В |
| RON на канал (IL = 2 А, Vbb = 12 В, Tj 25 °C) | 100 мОм макс. |
| Струм IL(ISO) на канал (VON = 0,5 В, TC 85 °C) | 4,4 А |
| Розсіювана потужність | 75 Вт (TC ≤ 25 °C) |
| Температура переходу | –40…150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |