Мікросхеми
Мікросхема TC4422 , DIP8
Немає в наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip |
| Призначення | швидкий драйвер потужних MOSFET і IGBT з піковим струмом 9 А |
| Робоча напруга живлення | 4,5–18 В |
| Максимальна напруга живлення | 20 В |
| Піковий вихідний струм | 9,0 А (VDD 18 В) |
| Постійний вихідний струм | 2 А (макс.) |
| Час наростання | 60 нс (тип.; макс. 75 нс; CL 10 000 пФ, Ta 25 °C) |
| Час спаду | 60 нс (тип.; макс. 75 нс; CL 10 000 пФ, Ta 25 °C) |
| Затримка розповсюдження | 30–33 нс (тип.; макс. 60 нс; Ta 25 °C) |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема TC4424 ( TC4424CPA ) , DIP8
Немає в наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip |
| Тип | Двоканальний неінвертувальний драйвер MOSFET |
| Напруга живлення VDD | 4,5–18 В (абсолютний максимум +22 В) |
| Піковий вихідний струм | 3 А (типово, TA 25 °C, VDD 4,5–18 В; максимум 5 А) |
| Вихідний опір низького рівня | 3,5 Ом (типово, IOUT 10 мА, VDD 18 В, TA 25 °C; максимум 5 Ом) |
| Вихідний опір високого рівня | 2,8 Ом (типово, IOUT 10 мА, VDD 18 В, TA 25 °C) |
| Час наростання | 23 нс (типово, CL 1800 пФ, TA 25 °C) |
| Час спаду | 25 нс (типово, CL 1800 пФ, TA 25 °C) |
| Вхідна напруга логічної 1 | 2,4 В мін. |
| Діапазон робочих температур | 0…+70 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема TDA1514A
Немає в наявності
145,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Тип | Підсилювач потужності НЧ |
| Напруга живлення | ±10…±30 В |
| Вихідна потужність | 40 Вт (VP = ±27,5 В, RL = 8 Ом, THD = –60 дБ) |
| Вихідна потужність на 4 Ом | 48 Вт (VP = ±23 В, THD = –60 дБ) |
| Струм спокою | 56 мА (VP = ±27,5 В, типово) |
| Підсилення | 30 дБ |
| Вхідний опір | 20 кОм |
| Корпус | SOT131 (9-вивідний SIL) |
Мікросхема TDA1521
Немає в наявності
175,78 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Тип | Двоканальний Hi-Fi підсилювач НЧ |
| Напруга живлення | ±7,5…±21 В |
| Вихідна потужність на канал | 12 Вт (VP = ±16 В, RL = 8 Ом, THD = 0,5 %, f = 1 кГц) |
| Підсилення | 30 дБ |
| Струм спокою | 40 мА (VP = ±16 В, без навантаження) |
| Тепловий опір кристал–корпус | 2,5 К/Вт |
| Корпус | SOT131 (9-вивідний SIL) |
Мікросхема TDA1555Q оригінал
Немає в наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
| Тип | Підсилювач потужності НЧ, клас B |
| Напруга живлення | 6,0–18 В (типове 14,4 В) |
| Вихідна потужність, BTL | 22 Вт (RL = 4 Ом, THD = 10 %, VP = 14,4 В, f = 1 кГц, 2 канали) |
| Вихідна потужність, несиметричний режим | 11 Вт (RL = 2 Ом, THD = 10 %, VP = 14,4 В, f = 1 кГц) |
| Піковий струм виходу | 4 А (макс.) |
| Струм спокою | 160 мА (макс., типово 80 мА, VP = 14,4 В) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | DBS17P |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TDA1557Q демонтаж
Немає в наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Тип | двоканальний BTL підсилювач потужності НЧ |
| Напруга живлення | 6,0…18 В (типово 14,4 В) |
| Вихідна потужність на канал | 22 Вт (VP 14,4 В, RL 4 Ом, THD 10 %, f 1 кГц) |
| Коефіцієнт підсилення | 46 дБ |
| Струм спокою | 80 мА (VP 14,4 В) |
| Корпус | 13-вивідний SIL, пластиковий силовий |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA1905
Немає в наявності
44,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | підсилювач потужності НЧ з функцією mute |
| Напруга живлення | 4…30 В |
| Вихідна потужність | 5,5 Вт (VS 14 В, RL 4 Ом, d 10 %, f 1 кГц, типово) |
| Коефіцієнт підсилення | 40 дБ (VS 14 В, RL 4 Ом, f 1 кГц, Po 1 Вт) |
| Струм спокою | 17 мА (VS 14 В, типово) |
| Корпус | Powerdip (8+8), 16 виводів |
Мікросхема TDA2005R
Немає в наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | двоканальний підсилювач потужності НЧ класу B |
| Робоча напруга живлення | 8–18 В (Tamb 25 °C) |
| Вихідна потужність (міст) | 20 Вт (VS 14,4 В, RL 4 Ом, f 1 кГц, THD 10 %) |
| Вихідна потужність (стерео, на канал) | 10 Вт (RL 2 Ом, THD 10 %) |
| Струм спокою (міст) | 75 мА (VS 14,4 В, RL 4 Ом, тип.) |
| Розсіювана потужність | 20 Вт (Tcase 60 °C) |
| Корпус | Multiwatt11 |
Мікросхема TDA2593 ( К174ХА11 )
Немає в наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | синхронізація та керування рядковою розгорткою кольорових ТБ |
| Напруга живлення (пін 1) | 12 В (типове значення, Tamb 25 °C) |
| Струм споживання | 30 мА (типове значення, V1–16 = 12 В) |
| Вхідний сигнал синхроселектора (пін 9) | 3–4 В розмаху (додатні синхроімпульси) |
| Керуючий імпульс рядкового драйвера (пін 3) | 10,5 В розмаху (типове значення) |
| Розсіювана потужність | 800 мВт (абсолютний максимум) |
| Робоча температура | -20…+70 °C (навколишнє середовище) |
| Температура зберігання | -25…+125 °C |
| Корпус | DIP16 |
Мікросхема TDA2616
Немає в наявності
108,57 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | двоканальний Hi-Fi підсилювач 2 × 12 Вт з режимом mute |
| Напруга живлення (двополярна) | ±7,5…±21 В |
| Вихідна потужність (на канал) | 12 Вт (VP = ±16 В; THD 0,5 %, мін. 10 Вт); при THD 10 % – 15 Вт (мін. 12 Вт) |
| Підсилення за напругою | 30 дБ (29–31 дБ) |
| Нелінійні спотворення | 0,15 % (Po = 6 Вт; тип., макс. 0,2 %) |
| Струм спокою | 40 мА (робочий режим, тип.; діапазон 18–70 мА) |
| Вихідний піковий струм | 4 А (неповторюваний, макс.) |
| Розсіювана потужність | 25 Вт (макс., залежить від радіатора) |
| Корпус | SIL9 (SOT131), 9 виводів |
Мікросхема TDA2822 , DIP16
Немає в наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | двоканальний підсилювач потужності НЧ, стерео або міст |
| Напруга живлення | 3–15 В (Tamb 25 °C) |
| Вихідна потужність (на канал) | 1,7 Вт (VS 9 В; RL 4 Ом; d 10 %; f 1 кГц; тип.) |
| Вихідна потужність (на канал) при 6 В | 0,65 Вт (VS 6 В; RL 4 Ом; d 10 %; f 1 кГц; тип., мін. 0,45 Вт) |
| Струм спокою | 6 мА (VS 6 В; тип.; макс. 12 мА) |
| Підсилення за напругою (стерео) | 39 дБ (f 1 кГц; 36–41 дБ) |
| Вихідний піковий струм | 1,5 А (абсолютний максимум) |
| Розсіювана потужність | 1,25 Вт (Tamb 50 °C; 4 Вт при Tcase 70 °C) |
| Температура переходу і зберігання | -40…150 °C |
| Корпус | DIP16 (Powerdip 12+2+2) |
Мікросхема TDA2822M ( Заміна для D2822A , KA2209 ) , DIP8
Немає в наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Двоканальний підсилювач потужності, стерео або мостове вмикання |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга живлення | 1,8–15 В (Vs = 6 В; Tamb 25 °C) |
| Напруга живлення, макс. допустима | 15 В (абсолютний максимум) |
| Піковий вихідний струм | 1 А (абсолютний максимум) |
| Повна розсіювана потужність | 1 Вт (Tamb = 50 °C; 1,4 Вт при Tcase = 50 °C) |
| Струм спокою | 6 мА типово (макс. 9 мА; Vs = 6 В; Tamb 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення (стерео) | 39 дБ типово (мін. 36, макс. 41; f = 1 кГц; Vs = 6 В) |
| Вхідний опір | 100 кОм мін. (f = 1 кГц) |
| Температура зберігання і переходу | -40…150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 100 °C/Вт макс. |
| Корпус | DIP-8 (8 виводів, Minidip) |
Мікросхема TDA4863G , so-8
Немає в наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Тип | Контролер корекції коефіцієнта потужності (PFC) |
| Корпус | SO-8 |
| Поріг вмикання VCC | 12,5 В (тип.; 12–13 В; VCC = 14,5 В, Tj від -40 до 150 °C) |
| Поріг вимикання VCC | 10 В (тип.; 9,5–10,5 В) |
| Напруга стабілізації живлення | 20 В (ICC + IZ = 20 мА; 18–22 В) |
| Поріг зворотного зв'язку VSENSE/VFB | 2,5 В (2,45–2,55 В; VCC 12–16 В) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 180 K/Вт (корпус PG-DSO-8-3) |
Мікросхема TDA7050 , DIP8
Немає в наявності
43,71 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors |
| Тип | Підсилювач НЧ (моно/стерео) |
| Корпус | DIP8 (8-lead DIL, SOT97-1) |
| Напруга живлення | 1,6–6,0 В |
| Напруга живлення, макс. | 6 В (Absolute Maximum) |
| Струм спокою | 3,2 мА (Vp = 3 В, тип.; макс. 4 мА) |
| Вихідна потужність, міст (BTL) | 140 мВт (Vp = 3 В, Rн = 32 Ом, THD 10 %, тип.) |
| Вихідна потужність на канал, стерео | 35 мВт (Vp = 3 В, Rн = 32 Ом, THD 10 %, тип.) |
| Розділення каналів | 40 дБ (Rs = 0, f = 1 кГц, тип.) |
| Піковий вихідний струм | 150 мА (макс.) |
| Тепловий опір кристал–середовище | 110 К/Вт |
| Температура зберігання | -55…+150 °C |
Мікросхема TDA7052 , DIP8
Немає в наявності
49,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors |
| Тип | Підсилювач НЧ 1 Вт (BTL, моно) |
| Корпус | DIP8 (8-lead DIL, SOT97-1) |
| Напруга живлення | 3–18 В (типово 6) |
| Струм спокою | 4 мА (Vp = 6 В, Rн = ∞, тип.; макс. 8 мА) |
| Вихідна потужність | 1,2 Вт (Vp = 6 В, Rн = 8 Ом, THD 10 %, тип.) |
| Коефіцієнт підсилення | 39 дБ (Vp = 6 В, діапазон 38–40) |
| Нелінійні спотворення | 0,2 % (Po = 0,1 Вт, тип.; макс. 1,0 %) |
| Шум на виході | 150 мкВ (Rs = 5 кОм, тип.; макс. 300 мкВ) |
| Вхідний опір | 100 кОм (тип.) |
| Неповторюваний піковий вихідний струм | 1,5 А (макс.) |
| Тепловий опір кристал–середовище | 110 К/Вт |
| Температура зберігання | -55…+150 °C |
Мікросхема TDA7231 , DIP8
Немає в наявності
37,13 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Підсилювач НЧ |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення | 1,8–15 В (робочий діапазон) |
| Напруга живлення, макс. | 16 В (Absolute Maximum) |
| Струм спокою | 3,6 мА (Vs = 6 В, тип.; макс. 9 мА) |
| Вихідна потужність | 1,8 Вт (Vs = 12 В, Rн = 8 Ом, THD 10 %, f = 1 кГц) |
| Коефіцієнт підсилення | 38 дБ (f = 1 кГц) |
| Вхідний опір | 100 кОм (f = 1 кГц) |
| Піковий вихідний струм | 1 А |
| Розсіювана потужність | 1,25 Вт (Tamb = 50 °C) |
Мікросхема TDA7245 , DIP18
Немає в наявності
88,36 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Підсилювач НЧ з mute і stand-by |
| Корпус | DIP18 (Powerdip 9+9), 18 виводів |
| Напруга живлення | 12–30 В |
| Вихідна потужність | 5 Вт (Vs = 14 В, Rн = 4 Ом, THD 10 %, f = 1 кГц) |
| Музична потужність | 12 Вт (Vs = 24 В, Rн = 4 Ом, THD 10 %) |
| Струм спокою | 17 мА (Vs = 14 В, тип.) |
| Коефіцієнт підсилення | 40 дБ (f = 1 кГц, діапазон 39–41) |
| Піковий вихідний струм | 3 А (неповторюваний, t = 100 мкс) |
| Тепловий опір кристал–корпус | 15 °C/Вт (макс.) |
Мікросхема TDA7253 , clipwatt11
Немає в наявності
58,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Підсилювач НЧ з mute |
| Корпус | Clipwatt11 |
| Напруга живлення | 10–32 В |
| Напруга живлення, макс. | 35 В (Absolute Maximum) |
| Вихідна потужність | 10 Вт (Vs = 26 В, Rн = 8 Ом, THD 10 %, тип.; мін. 8 Вт) |
| Струм спокою | 40 мА (Vs = 26 В, Rн = 8 Ом, тип.) |
| Нелінійні спотворення | 0,03 % (Po = 1 Вт, f = 1 кГц, тип.) |
| Вхідний опір | 200 кОм (тип.; мін. 100 кОм) |
| Піковий вихідний струм | 2,5 А (повторюваний, f > 20 Гц) |
| Розсіювана потужність | 25 Вт (Tcase = 70 °C) |
| Робоча температура | 0…70 °C |
Мікросхема TDA7266 ( TDA7266S )
Немає в наявності
76,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Двоканальний мостовий підсилювач НЧ |
| Корпус | MULTIWATT15 |
| Діапазон напруги живлення | 3–18 В (Tamb 25 °C, RL 8 Ом, f 1 кГц) |
| Макс. напруга живлення | 20 В |
| Вихідна потужність на канал | 7 Вт (типово; мін. 6,3 Вт; VCC 11 В, RL 8 Ом, f 1 кГц, THD 10 %) |
| Коефіцієнт гармонік | 0,05 % (типово; макс. 0,2 %; Po 1 Вт, VCC 11 В, RL 8 Ом, f 1 кГц) |
| Струм спокою | 50 мА (типово; макс. 65 мА; VCC 11 В, RL 8 Ом) |
| Підсилення за напругою | 26 дБ (типово; мін. 25, макс. 27 дБ) |
| Вхідний опір | 30 кОм (типово; мін. 25 кОм) |
| Піковий вихідний струм | 2 А |
| Розсіювана потужність | 33 Вт (Tcase 70 °C) |
| Робоча температура | –10…+85 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1,4 °C/Вт (типово; макс. 2 °C/Вт) |
Мікросхема TDA7266L
Немає в наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Мостовий моно підсилювач НЧ |
| Корпус | SIP10 |
| Діапазон напруги живлення | 3,5–18 В (Tamb 25 °C, RL 8 Ом, f 1 кГц) |
| Макс. напруга живлення | 20 В |
| Вихідна потужність | 7 Вт (типово; мін. 5,5 Вт; VCC 11 В, RL 8 Ом, f 1 кГц, THD 10 %) |
| Коефіцієнт гармонік | 0,05 % (типово; макс. 0,2 %; Po 1 Вт, VCC 11 В, RL 8 Ом, f 1 кГц) |
| Струм спокою | 35 мА (типово; макс. 50 мА; VCC 11 В, RL 8 Ом) |
| Підсилення за напругою | 32 дБ (типово; мін. 31, макс. 33 дБ) |
| Вхідний опір | 31–33 кОм (VCC 11 В) |
| Піковий вихідний струм | 2 А |
| Розсіювана потужність | 10 Вт (Tcase 70 °C) |
| Робоча температура | 0…70 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 8 °C/Вт |
Мікросхема TDA7269A оригінал
Немає в наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Стереопідсилювач НЧ класу AB |
| Корпус | Multiwatt11 |
| Діапазон напруги живлення | ±5…±20 В (RL 8 Ом; при RL 4 Ом – ±5…±15 В) |
| Макс. напруга живлення | ±22 В |
| Вихідна потужність на канал, RL 8 Ом | 14 Вт (типово; мін. 12 Вт; THD 10 %, Vs ±16 В, f 1 кГц) |
| Вихідна потужність на канал, RL 4 Ом | 10 Вт (типово; мін. 8 Вт; THD 10 %, Vs ±12,5 В, f 1 кГц) |
| Коефіцієнт гармонік | 0,03 % (типово; RL 8 Ом, Po 1 Вт, f 1 кГц, Vs ±16 В) |
| Струм спокою | 60 мА (типово; макс. 100 мА; Vs ±16 В) |
| Швидкість наростання | 10 В/мкс (типово; мін. 6,5 В/мкс) |
| Підсилення без зворотного зв'язку | 80 дБ (типово) |
| Піковий вихідний струм | 3 А |
| Розсіювана потужність | 40 Вт (Tamb 70 °C, так у документі) |
| Робоча температура | 0…70 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2,8 °C/Вт (макс.) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA7295
Немає в наявності
128,78 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | MULTIWATT15 |
| Діапазон напруги живлення | ±10…±40 В (Tamb 25 °C, RL 8 Ом) |
| Макс. напруга живлення | ±40 В |
| Вихідна потужність RMS | 50 Вт типово (мін. 45 Вт; d 0,5 %; Vs ±30 В, RL 8 Ом) |
| Музична потужність | 80 Вт (t 1 с, d 10 %; RL 8 Ом, Vs ±34 В) |
| Коефіцієнт гармонік | 0,005 % типово (Po 5 Вт, f 1 кГц, Vs ±30 В, RL 8 Ом) |
| Струм спокою | 30 мА типово (Vs ±30 В) |
| Піковий вихідний струм | 6 А |
| Розсіювана потужність | 50 Вт (Tcase 70 °C) |
| Робоча температура | 0…70 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1,5 °C/Вт макс. |
Мікросхема TDA7296
Немає в наявності
96,35 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | MULTIWATT15 |
| Діапазон напруги живлення | ±10…±35 В (Tamb 25 °C, RL 8 Ом) |
| Макс. напруга живлення | ±35 В (без сигналу) |
| Вихідна потужність RMS | 30 Вт типово (мін. 27 Вт; d 0,5 %; Vs ±24 В, RL 8 Ом) |
| Музична потужність | 60 Вт (t 1 с, d 10 %; Vs ±29 В, RL 8 Ом) |
| Коефіцієнт гармонік | 0,005 % типово (Po 5 Вт, f 1 кГц, Vs ±24 В, RL 8 Ом) |
| Струм спокою | 30 мА типово (Vs ±24 В) |
| Швидкість наростання | 10 В/мкс типово (мін. 7 В/мкс) |
| Піковий вихідний струм | 5 А |
| Розсіювана потужність | 50 Вт (Tcase 70 °C) |
| Робоча температура | 0…70 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1 °C/Вт типово (макс. 1,5 °C/Вт) |
Мікросхема TDA7350A
Немає в наявності
131,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Multiwatt11 |
| Вихідна потужність (міст) | 22 Вт (d = 10 %, Vs = 14,4 В, f = 1 кГц) |
| Підсилення (стерео) | 30 дБ |
| Діапазон напруги живлення | 8–18 В (Tamb = 25 °C, Vs = 14,4 В) |
| Напруга живлення постійна, макс. | 28 В |
| Напруга живлення імпульсна, макс. | 40 В (t = 50 мс) |
| Піковий вихідний струм | 5 А (неповторюваний, t = 100 мкс) |
| Розсіювана потужність | 36 Вт (Tcase = 85 °C) |
| Струм спокою | 120 мА (стерео, Vs = 14,4 В) |
| Струм очікування | 100 мкА (Vs = 14,4 В) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1,8 °C/Вт макс. |
Мікросхема TDA7360
Немає в наявності
131,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | Multiwatt11 |
| Вихідна потужність (міст), RL = 4 Ом | 20 Вт (тип.; d = 10 %, Vs = 14,4 В, f = 1 кГц) |
| Вихідна потужність на канал (стерео), RL = 4 Ом | 6,5 Вт (тип.; d = 10 %, Vs = 14,4 В) |
| Підсилення (стерео) | 20 дБ (фіксоване) |
| Підсилення (міст) | 26 дБ (тип.) |
| Діапазон напруги живлення | 8–18 В (Tamb = 25 °C, Vs = 14,4 В) |
| Напруга живлення постійна, макс. | 28 В |
| Розсіювана потужність | 36 Вт (Tcase = 85 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1,8 °C/Вт (макс.) |
Мікросхема TDA7381
Немає в наявності
152,28 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | Flexiwatt25 |
| Вихідна потужність на канал EIAJ | 25 Вт (RL = 4 Ом) |
| Підсилення | 26 дБ (внутрішньо фіксоване; 25–27 дБ) |
| Напруга живлення робоча, макс. | 18 В |
| Напруга живлення постійна, макс. | 28 В |
| Напруга живлення імпульсна, макс. | 50 В (t = 50 мс) |
| Розсіювана потужність | 80 Вт (Tcase = 70 °C) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1 °C/Вт (макс.) |
| Струм спокою | 180 мА (тип.; макс. 300; Vs = 14,4 В) |
| Нелінійні спотворення | 0,04 % (тип.; макс. 0,3; Po = 4 Вт) |
Мікросхема TDA7419 , so-28
Немає в наявності
126,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOP-28 |
| Входи | 4 шт. |
| Керування | I2C (цифрове) |
| Виходи | 4 незалежні виходи гучномовців + вихід сабвуфера |
| Напруга живлення | 8,5 В (тип.; діапазон 8–10 В) |
| Напруга живлення, макс. | 10,5 В |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Температура зберігання | -55…150 °C |
| Тепловий опір перехід–виводи | 85 °C/Вт (макс.) |
| Вхідний опір | 100 кОм (тип.; 70–130; Vs = 8,5 В, f = 1 кГц) |
Мікросхема TDA7562 оригінал
Немає в наявності
391,98 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення | 8–18 В (VS 14,4 В; Tamb 25 °C) |
| Напруга живлення DC, макс. | 28 В (абсолютний максимум) |
| Вихідна потужність, 4 Ом | 25 Вт на канал (THD 10 %, 1 кГц, VS 14,4 В) |
| Вихідна потужність EIAJ, 4 Ом | 35 Вт на канал (VS 13,7 В) |
| Вихідна потужність, 2 Ом | 38 Вт на канал (THD 10 %, 1 кГц, VS 14,4 В) |
| Макс. вихідна потужність, 2 Ом | 60 Вт на канал (MAX POWER) |
| Струм спокою | 150 мА (типово, макс. 300 мА; VS 14,4 В) |
| Коефіцієнт підсилення | 16 / 30 дБ (вибирається) |
| Піковий вихідний струм | 6 А (повторюваний, f > 10 Гц) |
| Потужність розсіювання | 85 Вт (Tcase 70 °C) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
| Корпус | Flexiwatt27 (вертикальний) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TDA8510J демонтаж
Немає в наявності
176,25 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
| Корпус | SOT243-1 (DBS17P, 17 виводів) |
| Вихідна потужність BTL | 26 Вт (RL = 4 Ом, THD = 10 %) |
| Вихідна потужність SE | 7 Вт (RL = 4 Ом, THD = 10 %); 13 Вт (RL = 2 Ом, THD = 10 %) |
| Напруга живлення | 6–18 В (тип. 15 В) |
| Піковий вихідний струм | 4 А (макс.) |
| Вхідний опір, BTL | 25 кОм (мін.) |
| Вхідний опір, SE | 50 кОм (мін.) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA8561Q оригінал
Немає в наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | SOT243-1 (DBS17P, 17 виводів) |
| Вихідна потужність BTL (2 канали) | 24 Вт (RL = 4 Ом; THD = 10 %; VP = 14,4 В) |
| Вихідна потужність, несиметричний режим (4 канали) | 12 Вт на канал |
| Напруга живлення | 6–18 В (тип. 14,4 В) |
| Захист від викидів напруги (load dump) | 45 В (макс., 50 мс) |
| Піковий вихідний струм, повторюваний | 4 А (макс.) |
| Піковий вихідний струм, неповторюваний | 6 А (макс.) |
| Потужність розсіювання Pd | 60 Вт (макс.) |
| Струм у режимі очікування | 100 мкА (макс.; VP = 14,4 В; Tamb 25 °C) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Температура переходу | 150 °C (макс.) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1,3 К/Вт |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA8568Q
Немає в наявності
198,34 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | SOT411-1 (DBS23P, 23 виводи) |
| Кількість каналів | 4 (BTL) |
| Вихідна потужність на канал | 25 Вт (навантаження 4 Ом) |
| Підсилення замкнутого контуру | 40 дБ (мін. 39, макс. 41) |
| Напруга живлення | 6–18 В (тип. 14,4 В) |
| Захист від викидів напруги (load dump) | 45 В (макс., 50 мс) |
| Піковий вихідний струм, повторюваний | 7,5 А (макс.) |
| Піковий вихідний струм, неповторюваний | 10 А (макс.) |
| Потужність розсіювання Pd | 60 Вт (макс.) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Температура переходу | 150 °C (макс.) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1 К/Вт |
Демонтаж
Демонтаж
Мікросхема TDA8920BJ демонтаж
Немає в наявності
366,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Тип | підсилювач класу D, 2 × 100 Вт |
| Напруга живлення (типова) | ±27 В |
| Напруга живлення (макс., робоча) | ±30 В |
| Струм спокою | 50 мА (типово, макс. 65 мА; без навантаження і фільтра; VP = ±27 В) |
| Вихідна потужність SE | 86 Вт (RL 4 Ом; THD 10 %; VP ±27 В) |
| Вихідна потужність BTL | 210 Вт (RL 6 Ом; THD 10 %; VP ±27 В) |
| Підсилення | 30 дБ (SE) / 36 дБ (BTL) |
| Частота генератора | 317 кГц (типово; ROSC 30 кОм) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | SOT411-1 (DBS23P, 23 виводи) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA9302H
Немає в наявності
49,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Призначення | вихідний каскад кадрової розгортки ТВ |
| Напруга живлення, макс. (pin 2) | 35 В |
| Пікова напруга зворотного ходу, макс. | 60 В |
| Струм спокою (pin 2) | 8–16 мА (VS 35 В; Tamb 25 °C; I3 = 0, I5 = 0) |
| Температура переходу і зберігання | -40…+150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 3 °C/Вт |
| Температура теплового відключення | 140 °C (типово) |
| Корпус | Heptawatt (7 виводів) |
Мікросхема TDA9886TS , SSOP24
Немає в наявності
179,54 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | IF-PLL демодулятор відео- і звукової ПЧ (PAL, SECAM, NTSC), AM і FM звук, керування по I2C |
| Напруга живлення VP | 4.5–5.5 В (тип. 5.0 В, Tamb 25 °C) |
| Струм споживання | 52–70 мА (тип. 63 мА, VP = 5 В, Tamb 25 °C) |
| Повна споживана потужність | 305 мВт (макс. 385 мВт, VP = 5 В, Tamb 25 °C) |
| Розмах відеосигналу на виході | 1.7–2.3 В (тип. 2.0 В, normal mode) |
| Макс. напруга живлення | 5.5 В |
| Робоча температура | –20…+70 °C |
| Частоти ПЧ зображення | 33.4; 33.9; 38.0; 38.9; 45.75; 58.75 МГц |
| Опорна частота | 4 МГц |
| Інтерфейс | I2C, 4 адреси на вибір (pin MAD) |
| Корпус | SSOP24, 5.3 мм (SOT617-3) |
| Виробник | Philips |
Мікросхема TEA1533AP , DIP8
Немає в наявності
40,89 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер квазірезонансного імпульсного БЖ (flyback), до 250 Вт |
| Макс. напруга VCC | 20 В (continuous) |
| Макс. напруга DRAIN | 650 В |
| Напруга запуску VCC(start) | 10.3–11.7 В (тип. 11 В, Tamb 25 °C, VCC = 15 В) |
| Поріг VCC(UVLO) | 8.1–9.3 В (тип. 8.7 В, Tamb 25 °C) |
| Нижня частота генератора | 20–30 кГц (тип. 25 кГц, VCTRL > 1.5 В) |
| Верхня частота генератора | 145–205 кГц (тип. 175 кГц, VCTRL < 1 В) |
| Струм пускового джерела (DRAIN) | 1.0–1.4 мА (тип. 1.2 мА, VCC = 0 В, VDRAIN > 100 В) |
| Робоча температура переходу | –20…+145 °C |
| Потужність розсіювання | 0.75 Вт (Tamb < 70 °C) |
| Тепловий опір перехід–середовище | 100 К/Вт (у повітрі, GND на достатній міді) |
| Реакція на перенапругу і перегрів | безпечний перезапуск (safe restart) |
| Корпус | DIP8, 300 mil (SOT97-1) |
| Виробник | Philips Semiconductors |
Мікросхема TEA1533P , DIP8
Немає в наявності
85,07 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер квазірезонансного імпульсного БЖ (flyback), до 250 Вт |
| Макс. напруга VCC | 20 В (continuous) |
| Макс. напруга DRAIN | 650 В |
| Напруга запуску VCC(start) | 10.3–11.7 В (тип. 11 В, Tamb 25 °C, VCC = 15 В) |
| Поріг VCC(UVLO) | 8.1–9.3 В (тип. 8.7 В, Tamb 25 °C) |
| Нижня частота генератора | 20–30 кГц (тип. 25 кГц, VCTRL > 1.5 В) |
| Верхня частота генератора | 145–205 кГц (тип. 175 кГц, VCTRL < 1 В) |
| Струм пускового джерела (DRAIN) | 1.0–1.4 мА (тип. 1.2 мА, VCC = 0 В, VDRAIN > 100 В) |
| Робоча температура переходу | –20…+145 °C |
| Потужність розсіювання | 0.75 Вт (Tamb < 70 °C) |
| Тепловий опір перехід–середовище | 100 К/Вт (у повітрі, GND на достатній міді) |
| Реакція на перенапругу і перегрів | із фіксацією (latched) |
| Корпус | DIP8, 300 mil (SOT97-1) |
| Виробник | Philips Semiconductors |
Мікросхема TEA1755T ( TEA1755LT ) оригінал, so-16
Немає в наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер імпульсного блока живлення: PFC (DCM/QR) і flyback (DCM/QR) в одній мікросхемі, пуск від випрямленої мережі |
| Потужність блока живлення | до 250 Вт |
| Мережа живлення | 70–276 В AC (універсальний вхід) |
| Напруга запуску Vstartup | 12.4–14.4 В, типово 13.4 В (Tamb 25 °C, VCC = 20 В) |
| Тепловий опір перехід–середовище | 127 К/Вт (у повітрі, плата JEDEC) |
| Корпус | SO-16 |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Стан | Оригінал |