Мікросхеми
Мікросхема STR50103A ( STR50103 ) оригінал
Немає в наявності
126,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Напруга колектор–емітер Vcex | 900 В (абсолютний максимум) |
| Струм колектора Ic | 6 А (абсолютний максимум) |
| Розсіювана потужність Pd | 27 Вт (Tc 100 °C) |
| Вихідний струм Io | 0.8 А (абсолютний максимум) |
| Вихідна напруга Vo | 103.4 ±1 В (IIN 6 мА) |
| Напруга насичення VCE(sat) | 1.0 В (макс.; Ic 2 А, IB 0.4 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 10–30 (VCE 4 В, Ic 1 А) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура (за корпусом) | -20…125 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1.8 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема STRA6351 ( STR-A6351 , A6351 ) оригінал ( заміна для IRIS-A6351 ), DIP8
Немає в наявності
68,15 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 650 В (MOSFET) |
| Опір Rds(on) | 3.95 Ом (макс.) |
| Піковий струм стоку IDpeak | 2.36 А (одиночний імпульс; V1-2 0.82 В, Ta -20…+125 °C) |
| Макс. напруга живлення керування Vin | 35 В (виводи 3-2) |
| Розсіювана потужність MOSFET Pd1 | 1.35 Вт (виводи 8-1; плата 15×15 мм) |
| Енергія лавини EAS | 56 мДж (VDD 99 В, L 20 мГн, IL 2.36 А) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Робоча температура навколишнього середовища | -20…125 °C |
| Струм запуску | 50 мкА (макс.) |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема STRF6656 демонтаж
Немає в наявності
115,15 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Allegro MicroSystems |
| Напруга Vdss | 650 В (TA 25 °C) |
| Опір rDS(on) | 0.71 Ом (TA 25 °C) |
| Струм стоку ID | 16 А (TA 25 °C) |
| Енергія лавини EAS | 521 мДж (TA 25 °C) |
| Макс. напруга живлення керування VIN | 35 В (абсолютний максимум, TA 25 °C) |
| Напруга вмикання VIN | 16 В (тип.; 14.4–17.6 В; TA 25 °C, VIN 18 В) |
| Макс. температура каналу MOSFET | 150 °C |
| Робоча температура навколишнього середовища | -20…125 °C |
| Корпус | 5-вивідний TO-3P |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема STRF6676
Немає в наявності
188,47 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Напруга Vdss | 900 В |
| Струм стоку ID | 7.8 А (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм IDM | 12 А (TA 25 °C) |
| Опір rDS(on) | 2.81 Ом (VS 10 В, ID 0.9 А, TJ 25 °C) |
| Енергія лавини EAS | 275 мДж (TA 25 °C) |
| Вихідна потужність | 115 Вт (вхід 220 В AC); 44 Вт (вхід 85–265 В AC) |
| Напруга живлення VIN, макс. | 35 В (TA 25 °C) |
| Напруга ізоляції | 2000 В (діюче) |
| Температура каналу TJ, макс. | 150 °C |
| Корпус | 5-pin overmolded TO-3P style |
Демонтаж
Мікросхема STRS5707 оригінал
Немає в наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Напруга ключа VCEX, макс. | 850 В |
| Струм колектора IC | 6 А |
| Імпульсний струм ICM | 12 А (одиночний імпульс 1 мс) |
| Струм стоку IS, макс. | 1.5 А |
| Напруга насичення VCE(sat) | 0.4 В (IC 2 А, IB 400 мА, TA 25 °C, макс.) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 29–61 (VCE 4 В, IC 1 А) |
| Вихідна потужність | 90 Вт (вхід 85–265 В AC); 140 Вт (вхід 220/240 В AC) |
| Напруга живлення VIN, макс. | 15 В |
| Напруга ізоляції | 2000 В (діюче) |
| Температура переходу TJ, макс. | 150 °C |
| Корпус | 9-pin over-molded SIP |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема STRS6708A ( STRS6708 ) оригінал
Немає в наявності
115,62 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Корпус | 9-pin over-molded SIP |
| Напруга ключа VCEX | 850 В (абсолютний максимум) |
| Струм колектора IC | 7.5 А |
| Імпульсний струм ICM | 15 А (одиночний імпульс 1 мс) |
| Струм стоку IS | 1.5 А |
| Напруга живлення VIN | 15 В |
| Напруга VEBO | 7 В |
| Напруга насичення VCE(sat) | 0.4 В (IC 3 А, IB 600 мА, TA 25 °C, макс.) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 29–61 (VCE 4 В, IC 1 А) |
| Напруга вмикання VINT | 8.0 В (мін. 7.6, макс. 8.4) |
| Напруга відключення VINQ (UVLO) | 4.9 В (мін. 4.6, макс. 5.2) |
| Напруга ізоляції | 2000 В (діюче) |
| Температура переходу TJ | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема STRS6709 оригінал (заміна для STRS6707 , STR-S6707 , STRS6709A )
Немає в наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Корпус | 9-pin over-molded SIP |
| Напруга ключа VCEX | 850 В (абсолютний максимум) |
| Струм колектора IC | 10 А |
| Імпульсний струм ICM | 20 А (одиночний імпульс 1 мс) |
| Струм стоку IS | 2 А |
| Напруга живлення VIN | 15 В |
| Напруга VEBO | 7 В |
| Напруга насичення VCE(sat) | 0.4 В (IC 4 А, IB 800 мА, TA 25 °C, макс.) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 29–61 (VCE 4 В, IC 1 А) |
| Напруга вмикання VINT | 8.0 В (мін. 7.6, макс. 8.4) |
| Напруга відключення VINQ (UVLO) | 4.9 В (мін. 4.6, макс. 5.2) |
| Напруга ізоляції | 2000 В (діюче) |
| Температура переходу TJ | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема STRW6052S демонтаж
Немає в наявності
112,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Корпус | TO-220F-6L |
| Кількість виводів | 6 шт |
| Напруга Vdss (MOSFET), мін. | 650 В (вивід 8–1; для серії STR-W605xS) |
| Опір відкритого каналу Rds(on), макс. | 2,8 Ом (вивід 8–1, TA 25 °C) |
| Піковий струм стоку IDPEAK | 7,0 А (одиночний імпульс, виводи 1–3, TA 25 °C) |
| Потужність MOSFET Pd1 | 23,6 Вт (з нескінченним радіатором, TA 25 °C) |
| Температура каналу Tch, макс. | 150 °C |
| Частота перемикання fOSC(AVG) | 67 кГц (VCC 18 В, TA 25 °C) |
| Напруга на виводі VCC, макс. | 32 В (виводи 4–5, TA 25 °C) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема STRW6053N ( STRW6053S ) демонтаж
Немає в наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F-6L |
| Кількість виводів | 6 шт |
| Напруга Vdss (MOSFET), мін. | 650 В (вивід 8–1; для серії STR-W605xS) |
| Опір відкритого каналу Rds(on), макс. | 1,9 Ом (вивід 8–1, TA 25 °C) |
| Піковий струм стоку IDPEAK | 9,5 А (одиночний імпульс, виводи 1–3, TA 25 °C) |
| Потужність MOSFET Pd1 | 26,5 Вт (з нескінченним радіатором, TA 25 °C) |
| Температура каналу Tch, макс. | 150 °C |
| Частота перемикання fOSC(AVG) | 67 кГц (VCC 18 В, TA 25 °C) |
| Напруга на виводі VCC, макс. | 32 В (виводи 4–5, TA 25 °C) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема STRW6253
Немає в наявності
101,52 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Корпус | TO-220F-6L (повністю пластиковий) |
| Кількість виводів | 6 шт |
| Напруга Vdss (MOSFET), мін. | 650 В (виводи 1–3, TA 25 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on), макс. | 1,9 Ом (виводи 1–3, TA 25 °C) |
| Піковий струм стоку IDPEAK | 10 А (одиночний імпульс, виводи 1–3, TA 25 °C) |
| Потужність MOSFET Pd1 | 27,5 Вт (з нескінченним радіатором, TA 25 °C) |
| Температура каналу Tch, макс. | 150 °C |
| Частота перемикання fOSC(AVG) | 67 кГц (VCC 18 В, TA 25 °C) |
| Напруга на виводі VCC | 0…32 В (виводи 4–5, TA 25 °C) |
Демонтаж
Демонтаж
Мікросхема STRW6750F
Немає в наявності
178,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Напруга Vdss | 650 В (мін., Ta 25 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0.73 Ом (макс., Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку IDpeak | 15 А (одиночний імпульс) |
| Потужність MOSFET Pd1 | 29 Вт (з нескінченним радіатором) |
| Потужність керуючої частини Pd2 | 0.8 Вт (визначається Vcc×Icc) |
| Температура каналу Tch | 150 °C (макс.) |
| Напруга пуску Vcc(on) | 18.2 В (мін. 16.3, макс. 19.9, Ta 25 °C) |
| Напруга зупинки Vcc(off) | 9.7 В (мін. 8.8, макс. 10.6, Ta 25 °C) |
| Частота генератора fosc | 22 кГц (мін. 19, макс. 25, Ta 25 °C) |
| Час спаду tf | 400 нс (макс., Ta 25 °C) |
| Корпус | TO-220F-6L |
Мікросхема STRW6754 ( STRW6754R )
Немає в наявності
170,61 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Тип | Квазірезонансний імпульсний регулятор з вбудованим MOSFET |
| Напруга стік–витік MOSFET (VDSS) | 650 В |
| Опір відкритого каналу RDS(on) | 0,96 Ом (максимум) |
| Вихідна потужність, вхід Wide | 100 Вт |
| Вихідна потужність, вхід 230 В | 160 Вт |
| Напруга запуску VCC | 18,2 В |
| Напруга зупинки VCC | 9,7 В (типове значення; максимум 10,6 В) |
| Поріг захисту SS/OLP | 4,9 В |
| Корпус | TO-220, 7 виводів, вивід 2 відсутній |
Демонтаж
Мікросхема STRX6769 ( STRX6769B ) демонтаж
Немає в наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Тип | Квазірезонансний ШІМ-контролер із вбудованим MOSFET |
| Напруга Vdss | 800 В (мін., Idss 300 мкА, Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.66 Ом (макс., Ids 3.0 А, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм IDpeak | 22 А (одиночний імпульс) |
| Потужність MOSFET Pd1 | 46 Вт (з нескінченним радіатором) |
| Потужність керуючої частини Pd2 | 0.8 Вт |
| Напруга пуску Vcc(on) | 18.2 В |
| Напруга зупинки Vcc(off) | 9.7 В |
| Час спаду tf | 700 нс (макс., Ta 25 °C) |
| Температура каналу | 150 °C (макс.) |
| Корпус | TO-3P, 7 виводів |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема STV8223B демонтаж
Немає в наявності
82,25 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Мультистандартний процесор відео- і звукової ПЧ з перемикачами аудіо та відео |
| Напруга живлення Vcc | 9 В (діапазон 8–12.6 В, Tamb 25 °C) |
| Гранично допустима напруга живлення | 13.5 В (абсолютний максимум) |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Температура зберігання | -40…+150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 75 °C/Вт (макс.) |
| Демодуляція | PLL |
| Корпус | SDIP24 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема SY8113B , sot23-6
Немає в наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silergy |
| Призначення | синхронний понижувальний DC-DC перетворювач, 3 А |
| Вхідна напруга | 4.5–18 В (робочий діапазон) |
| Вихідний струм | 3 А |
| Частота перемикання | 500 кГц |
| Rds(on) верхнього / нижнього ключа | 80 / 40 мОм |
| Опорна напруга | 0.6 В (±1.5 %; у таблиці 0.591–0.609 В при VIN 12 В, TA 25 °C) |
| Макс. напруга живлення | 19 В (абсолютний максимум) |
| Розсіювана потужність | 1 Вт (TA 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 100 °C/Вт |
| Корпус | SOT23-6 |
Мікросхема TA7283AP ( TA7283P )
Немає в наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Призначення | двоканальний підсилювач НЧ для портативних радіомагнітофонів |
| Вихідна потужність на канал | 2.5 Вт (VCC 9 В, RL 4 Ом, f 1 кГц, THD 10 %, типово); 4.6 Вт (VCC 12 В, RL 4 Ом, f 1 кГц, THD 10 %, типово) |
| Струм спокою | 19 мА (VCC 9 В, Vin 0, типово) |
| Робоча напруга живлення | 6–15 В |
| Макс. напруга живлення | 16 В (абсолютний максимум, Ta 25 °C) |
| Піковий вихідний струм на канал | 2.5 А (Ta 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 12.5 Вт (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -20…75 °C |
| Корпус | SIP-12 |
Мікросхема TA7358AP ( CD7358GS )
Немає в наявності
24,91 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Призначення | FM front-end для портативного радіо або радіомагнітофона |
| Робоча напруга живлення | 1.6–6.0 В |
| Макс. напруга живлення | 8 В (абсолютний максимум, Ta 25 °C) |
| Струм споживання | 5.2 мА (макс. 8.0 мА) (VCC 3 В, f 83 МГц, Vin 0, Ta 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 500 мВт (Ta 25 °C; зниження 4 мВт/°C вище 25 °C) |
| Робоча температура | -25…75 °C |
| Напруга зриву гетеродина | 0.9 В (макс. 1.3 В) (VCC 3 В, типово) |
| Кількість виводів | 9 |
Мікросхема TA8200AHQ (TA8200AH)
Немає в наявності
125,02 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Призначення | двоканальний підсилювач потужності НЧ для телевізорів і домашніх стереосистем |
| Вихідна потужність на канал | 13 Вт (VCC 28 В, RL 8 Ом, f 1 кГц, THD 10 %, типово, мін. 10) |
| Робоча напруга живлення | 10–37 В (Ta 25 °C) |
| Макс. напруга живлення | 37 В (абсолютний максимум, Ta 25 °C) |
| Піковий вихідний струм на канал | 2.5 А (Ta 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 25 Вт (Ta 25 °C; зниження 200 мВт/°C вище 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення | 34 дБ (VCC 28 В, RL 8 Ом, f 1 кГц, Vout 0.775 В) |
| Струм спокою | 50 мА, макс. 105 (VCC 28 В, Vin 0) |
| Нелінійні спотворення | 0.04 %, макс. 0.2 (Pout 2 Вт) |
| Робоча температура | -20…75 °C |
| Кількість виводів | 12 |
Мікросхема TA8227 ( TA8227P , UTC8227 ) , DIP
Немає в наявності
63,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | DIP |
| Призначення | двоканальний підсилювач НЧ для портативного радіомагнітофона з вимикачем живлення |
| Вихідна потужність на канал | 2.5 Вт (VCC 9 В, RL 4 Ом, f 1 кГц, THD 10 %, типово); 3.0 Вт (RL 3 Ом, ті самі умови) |
| Робоча напруга живлення | 5–12 В (Ta 25 °C) |
| Макс. напруга живлення | 20 В (абсолютний максимум, Ta 25 °C) |
| Піковий вихідний струм на канал | 2.5 А (Ta 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 4.0 Вт (при монтажі на плату) |
| Струм спокою | 21 мА, макс. 45 (VCC 9 В, Vin 0) |
| Коефіцієнт підсилення | 45 дБ (Rf 120 Ом); 56.5 дБ (Rf 0) (f 1 кГц, типово) |
| Робоча температура | -20…75 °C |
| Кількість виводів | 12 |
Мікросхема TA8246AH
Немає в наявності
106,69 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Призначення | двоканальний підсилювач потужності НЧ для телевізорів і стереосистем |
| Вихідна потужність на канал | 6 Вт (VCC = 20 В, RL = 8 Ом, f = 1 кГц, THD = 10 %, типово) |
| Робоча напруга живлення | 10–30 В (Ta = 25 °C) |
| Макс. напруга живлення | 30 В (Ta = 25 °C) |
| Піковий вихідний струм на канал | 2 А (Ta = 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 25 Вт (Ta = 25 °C, зниження 200 мВт/°C вище 25 °C) |
| Струм спокою | 85 мА (VCC = 20 В, Vin = 0, мін. 50, макс. 130) |
| Коефіцієнт підсилення | 34 дБ (VCC = 20 В, RL = 8 Ом, f = 1 кГц, Vout = 0,775 В, мін. 32,5, макс. 35,5) |
| Робоча температура | -20…75 °C |
| Температура зберігання | -55…150 °C |
Мікросхема TA8248K
Немає в наявності
55,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Призначення | Двоканальний підсилювач потужності НЧ |
| Робоча напруга живлення | 6–15 В (Ta = 25 °C) |
| Макс. напруга живлення (VCC) | 20 В (Ta = 25 °C) |
| Вихідна потужність (VCC 9 В) | 2,5 Вт (RL = 4 Ом, f = 1 кГц, THD = 10 %) |
| Вихідна потужність (VCC 12 В) | 4,6 Вт (RL = 4 Ом, f = 1 кГц, THD = 10 %) |
| Піковий вихідний струм на канал | 2,5 А (Ta = 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 15 Вт (Ta = 25 °C) |
| Струм спокою | 21 мА (VCC = 15 В, Vin = 0) |
| Робоча температура | -20…75 °C |
Мікросхема TA8264AHQ оригінал ( Заміна для TA8263BHQ )
Немає в наявності
215,73 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Призначення | 4-канальний BTL-підсилювач потужності НЧ для автомагнітол |
| Робоча напруга живлення | 9–18 В |
| Макс. напруга живлення (DC) | 25 В (Ta = 25 °C) |
| Піковий імпульс напруги живлення | 50 В (0,2 с, Ta = 25 °C) |
| Макс. вихідна потужність на канал | 41 Вт (VCC = 14,4 В, f = 1 кГц, JEITA max, RL = 4 Ом) |
| Макс. вихідна потужність на канал (13,7 В) | 37 Вт (VCC = 13,7 В, f = 1 кГц, JEITA max, RL = 4 Ом) |
| Вихідна потужність на канал | 24 Вт (VCC = 14,4 В, f = 1 кГц, THD = 10 %, RL = 4 Ом) |
| Вихідна потужність на канал (13,2 В) | 21 Вт (VCC = 13,2 В, f = 1 кГц, THD = 10 %, RL = 4 Ом) |
| Коефіцієнт гармонік | 0,02 % (VCC = 13,2 В, f = 1 кГц, Pout = 5 Вт, RL = 4 Ом) |
| Коефіцієнт підсилення | 34 дБ (VCC = 13,2 В, f = 1 кГц, Vout = 0,775 В) |
| Струм спокою | 200 мА (VCC = 13,2 В, Vin = 0) |
| Піковий вихідний струм | 9 А (Ta = 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 125 Вт (Ta = 25 °C, з нескінченним тепловідводом) |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Захисти | Теплозахист, перенапруга, замикання виходу на землю / на VCC / між виходами, обрив гучномовця |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TA8266HQ
Немає в наявності
316,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Призначення | 4-канальний BTL-підсилювач потужності НЧ для автомагнітол |
| Робоча напруга живлення | 9–18 В |
| Макс. напруга живлення (DC) | 25 В (Ta = 25 °C) |
| Піковий імпульс напруги живлення | 50 В (0,2 с, Ta = 25 °C) |
| Макс. вихідна потужність на канал | 35 Вт (VCC = 14,4 В, f = 1 кГц, JEITA max, RL = 4 Ом) |
| Макс. вихідна потужність на канал (13,7 В) | 31 Вт (VCC = 13,7 В, f = 1 кГц, JEITA max, RL = 4 Ом) |
| Вихідна потужність на канал | 23 Вт (VCC = 14,4 В, f = 1 кГц, THD = 10 %, RL = 4 Ом) |
| Вихідна потужність на канал (13,2 В) | 20 Вт (VCC = 13,2 В, f = 1 кГц, THD = 10 %, RL = 4 Ом) |
| Коефіцієнт гармонік | 0,02 % (VCC = 13,2 В, f = 1 кГц, Pout = 5 Вт, RL = 4 Ом) |
| Коефіцієнт підсилення | 34 дБ (VCC = 13,2 В, f = 1 кГц, Vout = 0,775 В) |
| Струм спокою | 200 мА (VCC = 13,2 В, Vin = 0) |
| Піковий вихідний струм | 9 А (Ta = 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 125 Вт (Ta = 25 °C, з нескінченним тепловідводом) |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Захисти | Теплозахист, перенапруга, замикання виходу на землю / на VCC / між виходами, обрив гучномовця |
Мікросхема TA8277HQ
Немає в наявності
295,63 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Кількість каналів | 4 (BTL) |
| Макс. вихідна потужність | 43 Вт (VCC 14,4 В, f 1 кГц, JEITA max, RL 4 Ом) |
| Вихідна потужність при КНВ 10 % | 28 Вт (VCC 14,4 В, f 1 кГц, RL 4 Ом) |
| Робоча напруга живлення | 9–18 В |
| Напруга живлення постійна (макс.) | 25 В (Ta 25 °C) |
| Вихідний струм піковий (макс.) | 9 А (Ta 25 °C) |
| Розсіювана потужність (макс.) | 125 Вт (Ta 25 °C, з нескінченним радіатором) |
| Робоча температура | -40…85 °C |
Мікросхема TB2929HQ оригінал ( заміна для TB2929AHQ )
Немає в наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Максимальна вихідна потужність | 45 Вт (тип.; VCC = 15,2 В, f = 1 кГц, JEITA max, RL = 4 Ом) |
| Вихідна потужність при КНВ 10 % | 24 Вт (тип.; VCC = 14,4 В, f = 1 кГц, RL = 4 Ом) |
| Робоча напруга живлення | 8,0–18 В |
| Напруга живлення постійна (макс.) | 25 В (Ta = 25 °C) |
| Вихідний струм піковий (макс.) | 9 А (Ta = 25 °C) |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TBA820M
Немає в наявності
18,33 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Minidip (8 виводів, DIP-8) |
| Напруга живлення | 3–16 В (Tamb = 25 °C) |
| Вихідна потужність | 1,2 Вт (тип.; Vs = 9 В, RL = 8 Ом, КНВ 10 %, f = 1 кГц) |
| Струм спокою | 4 мА (тип.; Vs = 9 В, Tamb = 25 °C) |
| Вихідний струм піковий (макс.) | 1,5 А |
| Розсіювана потужність (макс.) | 1 Вт (Tamb = 50 °C) |