Мікросхеми

Показано 1721–1760 із 1978

Показати 20 40 80

Мікросхема MC33368D , so-16

Немає в наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
КорпусSO-16 (SOIC-16 narrow)
Призначенняактивний PFC-контролер з високовольтним стартом
Опорна напруга5,0 В (4,95–5,05 В, IO 0 мА, TJ 25 °C)
Поріг запуску за VCC13 В (11,5–14,5 В)
Напруга живлення VCC, робоча / короткочасна16 / 20 В
Напруга на вході Line, макс.500 В
Струм запуску від мережі16 мА (5,0–25 мА, VCC 0 В, VLine 50 В)
Потужність розсіювання450 мВт (TA 70 °C)
Макс. температура переходу150 °C
Діапазон температури середовища-25…+125 °C

Мікросхема MC34063AG ( MC34063A , MC34063AL , MC34063 ) , so-8

Немає в наявності

18,80 ₴
ПараметрЗначення
КорпусSO-8
Призначеннякерування DC-DC перетворювачем: понижувальним, підвищувальним та інвертувальним
Напруга живлення VCC3–40 В (рекомендовані умови)
Струм вихідного ключа, макс.1,5 А (гранично допустиме значення)
Частота генератора33 кГц (24–42 кГц) при CT = 1 нФ, TA 25 °C, VCC = 5–40 В
Макс. частота роботи100 кГц
Опорна напруга компаратора1,25 В (1,225–1,275 В) при TA 25 °C
Напруга насичення ключа0,45 В (макс. 0,7 В) при ISW = 1 А
Струм споживання1,4 мА (макс. 4 мА) при VCC = 5–40 В, CT = 1 нФ
Макс. температура переходу150 °C

Мікросхема MC44604P оригінал демонтаж

Немає в наявності

69,56 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
КорпусDIP16
ПризначенняШІМ-контролер із режимом імпульсного очікування
Макс. частота перемикання виходу250 кГц
Опорна напруга2,5 В (2,4–2,6 В) при VCC = 10–15 В
Поріг запуску за VCC14,5 В (13,6–15,4 В)
Напруга живлення виходу VC, макс.18 В (гранично допустиме значення)
Струм виходу, макс.750 мА (гранично допустиме значення)
Потужність розсіювання Pd0,6 Вт при TA = 85 °C
Діапазон температури середовища-25…+85 °C
Макс. температура переходу150 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Мікросхема MCP6002T-I/SN , so-8

Немає в наявності

11,28 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMicrochip
КорпусSO-8
Кількість підсилювачів2
Добуток підсилення на смугу1 МГц (типове значення)
Напруга живлення1,8–6,0 В
Струм споживання на підсилювач100 мкА (50–170 мкА) при IO = 0, VDD = 5,5 В
Напруга зсуву входу±4,5 мВ (макс.) при VCM = VSS, TA 25 °C
Швидкість наростання0,6 В/мкс (типове значення)
Струм короткого замикання виходу23 мА при VDD = 5,5 В
Діапазон температури-40…+85 °C
Макс. температура переходу150 °C

Мікросхема MCP601-I/P , DIP8

Немає в наявності

38,07 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMicrochip
Кількість підсилювачів1 шт
Напруга живлення2,7–6,0 В
Струм спокою на підсилювач230 мкА (типове, IO = 0)
Добуток підсилення на смугу GBWP2,8 МГц (типове, G = +1 В/В)
Швидкість наростання2,3 В/мкс (типове, G = +1 В/В)
Напруга зміщення нуля±0,7 мВ (типове, TA 25 °C)
Температурний діапазон–40…+85 °C
КорпусDIP8

Мікросхема MCP602-I/P , DIP

Немає в наявності

23,97 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMicrochip
Кількість підсилювачів2 шт
Напруга живлення2,7–6,0 В
Струм спокою на підсилювач230 мкА (типове, IO = 0)
Добуток підсилення на смугу GBWP2,8 МГц (типове)
Швидкість наростання2,3 В/мкс (типове, G = +1 В/В)
Напруга зміщення нуля±0,7 мВ (типове, TA 25 °C)
Температурний діапазон–40…+85 °C
КорпусDIP8

Мікросхема MCZ3001DB оригінал демонтаж ( заміна для MCZ3001D , MCZ3001DA , CXD9841P )

Немає в наявності

131,60 ₴
ПараметрЗначення
ТипДрайвер інвертора
СтанОригінал, демонтаж б/в

Мікросхема MIP2C1

Немає в наявності

85,07 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
КорпусDIP8-A1(CF), 7 виводів
Макс. напруга стоку700 В
Макс. напруга живлення VCC45 В (абсолютний максимум)
Макс. струм стоку350 мА (абсолютний максимум)
Макс. температура каналу150 °C
Опір відкритого каналу31 Ом (типове, ID 50 мА; макс. 36 Ом)
Частота генератора100 кГц (типове)
Поріг захисту по струму0,25 А (типове)
Напруга запуску VCC9,0 В (типове)
Поріг захисту від перегріву140 °C (типове)

Мікросхема MIP2C2 , DIP7

Немає в наявності

63,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
КорпусDIP8-A1(CF), 7 виводів
Потужність зарядного пристрою7 Вт (за описом документа)
Макс. напруга стоку700 В (абсолютний максимум)
Макс. напруга живлення VCC30 В (абсолютний максимум)
Макс. температура каналу150 °C
Опір відкритого каналу22 Ом (типове, ID 0,1 А; макс. 27 Ом)
Частота генератора100 кГц (типове)
Макс. коефіцієнт заповнення50 % (типове)
Поріг захисту від перегріву140 °C (типове)

Мікросхема MIP2E4DMY , TO220-3

Немає в наявності

93,53 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
КорпусTO-220-A1, 3 виводи (1 – Control, 2 – Source, 3 – Drain)
Напруга Vd (макс.)700 В (Ta 25 °C ± 3 °C)
Напруга керування Vc (макс.)10 В (Ta 25 °C ± 3 °C)
Струм стоку Id (макс.)1,72 А (Ta 25 °C ± 3 °C)
Піковий струм стоку Idp (макс.)2,4 А (Ta 25 °C ± 3 °C)
Температура каналу Tch (макс.)150 °C
Опір відкритого каналу Rds(on)5,8 Ом (макс. 6,7; Id 0,3 А)
Частота генератора100 кГц (мін. 90, макс. 110)
Макс. коефіцієнт заповнення69 %
Струм захисту Ilimit1,5 А (мін. 1,35, макс. 1,65)
Тепловий опір канал–корпус3,0 °C/Вт

Мікросхема MIP2H2 , DIP7

Немає в наявності

58,75 ₴
ПараметрЗначення
ТипМікросхема
КорпусDIP7

Мікросхема MIP2K3 , DIP7

Немає в наявності

31,96 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
Напруга Vdss700 В
Струм обмеження0,5 А
Опір відкритого каналу R(DS)ON10 Ом
Вихідна потужністьдо 8 Вт (орієнтир; залежить від трансформатора та умов охолодження)
Частота перетворення100 кГц (тип.; з модуляцією частоти ±5,5 кГц, частота модуляції 260 Гц)
КорпусDIP7

Мікросхема MIP2M2 , DIP7

Немає в наявності

126,90 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
КорпусDIP7
Напруга Vd (макс.)700 В (Ta 25 °C ± 3 °C)
Напруга Vcc (макс.)45 В (Ta 25 °C ± 3 °C)
Піковий струм стоку Idp (макс.)0,76 А
Температура каналу Tch (макс.)150 °C
Частота генератора67 кГц (мін. 60,3, макс. 73,7; V4 = 15 В, V3 = 2 В; Tc 25 °C ± 3 °C)
Макс. коефіцієнт заповнення54 % (мін. 50, макс. 58; Tc 25 °C ± 3 °C)
Напруга пуску Vcc(ON)12 В (мін. 11, макс. 13; Tc 25 °C ± 3 °C)
Напруга зупину Vcc(OFF)8,2 В (мін. 7,45, макс. 8,95)
Струм захисту Ilimit0,35 А (мін. 0,315, макс. 0,385; Duty 30 %; Tc 25 °C ± 3 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)16 Ом (макс. 21; I5 = 100 мА, V4 = 15 В, V3 = 2 В; Tc 25 °C ± 3 °C)
Температура теплового захисту140 °C (мін. 130, макс. 150)

Мікросхема MIP3E3 , DIP

Немає в наявності

123,61 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
Напруга Vd (макс.)700 В
Напруга керування Vc (макс.)8 В
Струм стоку Id (макс.)0,88 А
Піковий струм стоку Idp (макс.)1,7 А
Температура каналу Tch (макс.)150 °C
Частота генератора100 кГц (мін. 90, макс. 110; Vc = Vc(CNT) – 0,2 В, Vd = 5 В; Tc 25 °C ± 3 °C)
Струм захисту Ilimit0,80 А (мін. 0,72, макс. 0,88; Tc 25 °C ± 3 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)8,0 Ом (макс. 10,0; Id = 0,2 А; Tc 25 °C ± 3 °C)
Температура теплового захисту140 °C (мін. 130, макс. 150)

Мікросхема ML4800CP , DIP16

Немає в наявності

58,28 ₴
ПараметрЗначення
Призначенняконтролер PFC (boost, середній струм) і ШІМ
Струм драйвера затвора1 А
Макс. частота ШІМ250 кГц
Обмеження заповнення ШІМ50 %
Напруга живлення Vcc (макс.)18 В (абсолютний максимум)
Опорна напруга VREF7,5 В
Поріг UVLO13 В
Гістерезис UVLO2,8 В
Температура переходу Tj (макс.)150 °C
Тепловий опір перехід–середовище80 °C/Вт
Діапазон робочих температур0…70 °C
Корпус16-pin PDIP (P16), 16 виводів
ВиробникFairchild Semiconductor

Мікросхема MP1430DN , so-8

Немає в наявності

65,80 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіMP1430DN
КорпусSO-8

Мікросхема MP1580HS , so-8

Немає в наявності

33,37 ₴
ПараметрЗначення
Призначенняпонижувальний імпульсний перетворювач із вбудованим силовим MOSFET
Вхідна напруга4,75–25 В (робочий діапазон)
Макс. напруга живлення Vin27 В (абсолютний максимум)
Вихідна напруга1,22–21 В (регульована)
Вихідний струм2 А (безперервний)
Частота перетворення380 кГц (фіксована; синхронізація зовнішнім сигналом до 600 кГц)
Опір верхнього ключа0,18 Ом (типове, VIN = 12 В, TA = 25 °C)
Струм у режимі вимкнення23 мкА (типове)
ККДдо 95 %
Макс. температура переходу150 °C
Робоча температура-40…+125 °C
КорпусSO-8
ВиробникMonolithic Power Systems

Мікросхема MP1583DN , so-8

Немає в наявності

25,85 ₴
ПараметрЗначення
Призначенняпонижувальний імпульсний перетворювач із вбудованим силовим MOSFET
Вхідна напруга4,75–23 В (робочий діапазон)
Макс. напруга живлення Vin28 В (абсолютний максимум)
Вихідна напруга1,22–21 В (регульована)
Вихідний струм3 А (безперервний)
Частота перетворення385 кГц (фіксована)
Опір внутрішнього ключа100 мОм
Напруга зворотного зв'язку1,222 В (типове, VIN = 12 В, TA = 25 °C, 4,75 В ≤ VIN ≤ 23 В)
Обмеження струму4,9 А (типове, 4,0–6,0, VIN = 12 В, TA = 25 °C)
Струм у режимі вимкнення20 мкА (VEN = 0 В)
ККДдо 95 %
Макс. температура переходу150 °C
Температура навколишнього повітря-40…+85 °C
КорпусSOIC8E, 8 виводів, теплова площадка
ВиробникMonolithic Power Systems

Мікросхема MP1584EN , so-8

Немає в наявності

20,68 ₴
ПараметрЗначення
Призначеннявисокочастотний понижувальний імпульсний регулятор із вбудованим силовим MOSFET
Вхідна напруга4,5–28 В (робочий діапазон)
Макс. напруга живлення Vin30 В (абсолютний максимум)
Вихідна напруга0,8–25 В (рекомендований діапазон)
Вихідний струм3 А
Частота перетворення100–1500 кГц (програмується резистором на виводі FREQ)
Опорна напруга зворотного зв'язку0,8 В (внутрішня)
Робочий струм спокою100 мкА
Макс. температура переходу150 °C
Температура навколишнього повітря-20…+85 °C
КорпусESOP-8
ВиробникMonolithic Power Systems

Мікросхема MP1593DN , so-8

Немає в наявності

88,83 ₴
ПараметрЗначення
Призначенняпонижувальний імпульсний перетворювач із вбудованим силовим MOSFET
Вхідна напруга4,75–28 В (робочий діапазон)
Макс. напруга живлення Vin30 В (абсолютний максимум)
Мінімальна вихідна напруга1,22 В (регульована)
Вихідний струм3 А (безперервний)
Частота перетворення385 кГц (фіксована)
Опір внутрішнього ключа100 мОм
Напруга зворотного зв'язку1,222 В (типове, 4,75 В ≤ VIN ≤ 28 В)
Струм у режимі вимкнення20 мкА
Макс. температура переходу150 °C
Температура навколишнього повітря-40…+85 °C
КорпусSOIC8E (8 виводів, теплова площадка)
ВиробникMonolithic Power Systems

Мікросхема MP2307DN , so-8

Немає в наявності

48,88 ₴
ПараметрЗначення
Призначеннямонолітний синхронний понижувальний регулятор із двома вбудованими MOSFET
Вхідна напруга4,75–23 В (робочий діапазон)
Макс. напруга живлення Vin26 В (абсолютний максимум)
Вихідна напруга0,925–20 В (регульована)
Вихідний струм3 А (безперервний; пік 4 А)
Частота перетворення340 кГц (фіксована)
Опір ключа100 мОм
Струм у режимі вимкненняменше 1 мкА
ККДдо 95 %
Макс. температура переходу150 °C
Температура навколишнього повітря-40…+85 °C
КорпусSOIC8N (8 виводів, теплова площадка)
ВиробникMonolithic Power Systems

Мікросхема MP2372DN , so-8

Немає в наявності

75,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMonolithic Power Systems
Типпонижувальний DC/DC-регулятор з вбудованим силовим MOSFET
Вхідна напруга4.5–28 В (рекомендований діапазон)
Вихідний струм, постійний3 А (піковий 4 А)
Вихідна напруга0.92–21 В
Частота перетворення925 кГц (VIN 12 В, TA 25 °C)
Опір вбудованого ключа100 мОм
ККДдо 91 %
Розсіювана потужність2.5 Вт (TA 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусESOP-8

Мікросхема MP3399EF , TSSOP28

Немає в наявності

91,65 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMonolithic Power Systems
Типдрайвер світлодіодної підсвітки
Кількість каналів12
Максимальний струм каналу60 мА
Вхідна напруга5–28 В
Точність вирівнювання струмів2.5 %
Напруга регулювання на джерелах струму600 мВ (ILED 30.5 мА, VIN 12 В)
ДимінгPWM або DC-вхід, пакетний PWM
КорпусTSSOP28

Мікросхема MP3411 , so-16

Немає в наявності

31,02 ₴
ПараметрЗначення
КорпусSO-16

Мікросхема MR4020 (105W) , TO220F-7

Немає в наявності

169,20 ₴
ПараметрЗначення
СеріяMR4000, IC-модуль зі 900 В IGBT
Напруга силового ключа900 В
Потужність (з назви товару)105 Вт
КорпусTO-220F-7
ВиробникShindengen

Мікросхема MR4040 , TO220F-7

Немає в наявності

177,66 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіMR4040
КорпусTO-220F-7

Мікросхема MSP3400D C5 , SDIP52

Немає в наявності

220,90 ₴
ПараметрЗначення
Призначеннямультистандартний процесор звуку для аналогового ТВ
Живлення аналогової частини5,0 В (4,75–5,25 В; TA 0…70 °C)
Живлення цифрової частини5,0 В (4,75–5,25 В; TA 0…70 °C)
Живлення вихідних каскадів (AHVSUP)8,0 В (7,6–8,7 В; TA 0…70 °C)
Інтерфейс керуванняI2C
Входи SCART4
КорпусSDIP52
ВиробникMicronas

Мікросхема MX25L4005M2C-15G , smd 8pin SPI-флеш

Немає в наявності

32,90 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіMX25L4005M2C-15G
Корпусsmd 8 pin
ІнтерфейсSPI
Виводи8

Мікросхема MX25L8005M2C-15G , smd 8pin SPI-флеш

Немає в наявності

65,33 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіMX25L8005M2C-15G
Корпусsmd 8 pin
ІнтерфейсSPI

Мікросхема MX25L8006E , smd 8pin SPI-флеш

Немає в наявності

70,50 ₴
ПараметрЗначення
Обсяг пам'яті8 Мбіт (1 МБ)
ІнтерфейсSPI
Напруга живлення2,7–3,6 В
Частота SCLK86 МГц (у режимі Dual Output 80 МГц)
Струм читання12 мА (макс., на 86 МГц)
Струм у режимі очікування15 мкА (тип.)
Струм у Deep Power-down2 мкА (тип.)
Розмір сектора4 КБ
Програмування сторінки0,6 мс (тип.)
Цикли стирання/запису100000 (тип.)
Зберігання даних20 років
Робоча температура-40…85 °C
КорпусSO-8
ВиробникMacronix

Мікросхема NCP1013AP100G ( P1013AP10 – маркування) , DIP-7

Немає в наявності

49,82 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіNCP1013AP100G
МаркуванняP1013AP10
КорпусDIP7

Мікросхема NCP1014AP10 ( NCP1014AP100G , P1014AP10 ) демонтаж, DIP7

Немає в наявності

36,19 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
Напруга MOSFET Vbr(dss)700 В (макс.)
Опір Rds(on)11 Ом (тип., NCP1014AP100G)
Піковий струм450 мА (NCP1014AP100G)
Частота перетворення100 кГц (NCP1014AP100G)
КорпусDIP7
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема NCP1234AD65 ( 34A65 ) , so-7

Немає в наявності

90,71 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіNCP1234AD65
Маркування34A65
КорпусSOP-7

Мікросхема NCP1271A ( NCP1271D65 ) , so-7

Немає в наявності

57,81 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
Частота перетворення65 кГц (Tj 25 °C, 58–69 кГц)
Макс. шпаруватість80 % (мін. 75, макс. 85)
Поріг запуску VCC(on)12,6 В (мін. 11,2, макс. 13,8)
Мін. робоча напруга VCC(off)9,1 В (мін. 8,2, макс. 10)
Струм споживання2,3 мА (VCC 14 В, навантаження 1 нФ, тип.)
Піковий струм драйвера+500 / -800 мА
КорпусSOP-7

Мікросхема NCP1337D ( P1337 , NCP1337 ) , so-7

Немає в наявності

70,50 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
Макс. частота130 кГц
Піковий струм драйвера500 мА (sink)
Soft-start4,0 мс
Поріг запуску VCC12 В (мін. 11, макс. 13)
Поріг вимкнення VCC10 В (мін. 9,0, макс. 11)
Поріг OVP за VCC18,6 В (мін. 17,6, макс. 19,6)
Макс. напруга VCC20 В (абсолютний максимум)
Макс. напруга на HV500 В (абсолютний максимум)
Споживання мікросхеми1,2 мА (навантаження 1 нФ, Fsw 60 кГц, тип.)
КорпусSOP-7

Мікросхема NCP1653 ( N1653 ) , so-8

Немає в наявності

70,50 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
Частота перемикання100 кГц (NCP1653; варіант із суфіксом A – 67 кГц; тип. 102, мін. 90, макс. 110 кГц; VCC = 15 В)
Максимальна напруга живлення VCC18 В
Поріг вмикання UVLO13,25 В (тип.; мін. 12,25, макс. 14,5 В)
Поріг вимикання UVLO8,7 В (тип.; мін. 8,0, макс. 9,5 В)
Максимальний коефіцієнт заповнення94 % (мін., VM = 0 В)
Захист від перенапруги107 % від номінального вихідного рівня
Робочий діапазон температур переходу–40…125 °C
КорпусSO-8

Мікросхема NCS2553 ( N2553 ) , so-8

Немає в наявності

54,99 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
Призначення3-канальний відеопідсилювач із фільтрами відновлення 6-го порядку (Butterworth)
Напруга живлення4,75–5,25 В
Струм споживання23 мА (тип., без навантаження, VCC 5 В, TA 25 °C)
Підсилення6,0 дБ (VIN 1 В, усі канали)
Смуга фільтра9,0 МГц (за рівнем -3 дБ)
Придушення поза смугою45 дБ (на 27 МГц)
Робоча температура-40…85 °C
КорпусSO-8

Мікросхема NE5534 , so-8

Немає в наявності

14,57 ₴
ПараметрЗначення
Призначеннямалошумний операційний підсилювач
Напруга живлення (рекомендована)±5…±15 В (NE5534, TA 0–70 °C)
Напруга живлення, максимум±22 В (абсолютний максимум)
Смуга одиничного підсилення10 МГц (тип., AVD = 30 дБ, CC = 22 пФ, VCC± = ±15 В, TA = 25 °C)
Швидкість наростання13 В/мкс (тип., VCC± = ±15 В, TA = 25 °C)
Шум напруги на вході3,5 нВ/√Гц (тип., f = 1 кГц, VCC± = ±15 В)
Напруга зміщення нуля0,5 мВ (тип., макс. 4 мВ, VO = 0, TA = 25 °C)
Струм споживання4 мА (тип., макс. 8 мА, VCC± = ±15 В, без навантаження)
Придушення синфазного сигналу100 дБ (тип.)
Температура переходу, максимум150 °C
КорпусSOIC-8 (D), 4,9 × 3,91 мм

Мікросхема NE555DR ( NE555DT , NE555L ) , so-8

Немає в наявності

8,46 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникTexas Instruments
Призначенняпрецизійний таймер
Напруга живлення4,5…16 В (NE555, рекомендована)
Напруга живлення, максимум18 В (абсолютний максимум)
Вихідний струмдо 200 мА (сумісний із TTL при живленні 5 В)
Струм споживання10 мА (тип., макс. 15 мА, VCC = 15 В, вихід низький, без навантаження)
Струм споживання при 5 В3 мА (тип., макс. 6 мА, VCC = 5 В, вихід низький, без навантаження)
Початкова похибка інтервалу1 % (тип., макс. 3 %, моностабільний режим, TA = 25 °C)
Робоча температура0…70 °C (NE555)
Температура переходу, максимум150 °C
КорпусSO-8
Корпус (докладно)SOIC-8 (D)

Мікросхема NJM4558M ( RC4558-маркування ) , so-8

Немає в наявності

14,10 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникNisshinbo Micro Devices Inc.
ТипЗдвоєний операційний підсилювач
Кількість виводів8
Напруга живлення±4…±18 В
Напруга живлення, максимум±18 В (V+/V-)
Напруга зміщення нуля0,5 мВ (тип., макс. 6 мВ, RS ≤ 10 кОм, V+/V- = ±15 В, Ta = 25 °C)
Струм споживання3,5 мА (тип., макс. 5,7 мА, V+/V- = ±15 В, Ta = 25 °C)
Швидкість наростання1 В/мкс (тип., V+/V- = ±15 В, Ta = 25 °C)
Добуток підсилення на смугу3 МГц (тип., V+/V- = ±15 В, Ta = 25 °C)
Розсіювана потужність300 мВт (DMP8, Ta = 25 °C)
Робоча температура-40…+85 °C
КорпусSO-8