Мікросхеми
Мікросхема LD7550 ( LD7550BBN ) ,DIP8
Немає в наявності
46,53 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Leadtrend Technology |
| Призначення | ШІМ-контролер струмового режиму з «зеленим» режимом |
| Макс. напруга живлення Vcc | 36 В (абсолютний максимум) |
| Поріг вмикання UVLO | 16.0 В (типово, VCC = 15 В, 25 °C) |
| Поріг вимикання UVLO | 11.4 В (типово, 25 °C) |
| Струм старту | 5 мкА (типово), 25 мкА (макс.), 25 °C |
| Частота перемикання | 66.5 кГц (типово, RT = 100 кОм, 25 °C) |
| Макс. напруга на вході CS | 0.85 В (типово, 25 °C) |
| Струм драйвера виходу | 300 мА |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема LD7591GS ( LD7591T , LD7591TGS ) , so-8
Немає в наявності
49,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Leadtrend |
| Призначення | PFC-контролер, режим переходу (transition mode) |
| Макс. напруга живлення Vcc | 26 В (абсолютний максимум) |
| Поріг вмикання UVLO | 12.0 В (типово, VCC = 14 В, 25 °C) |
| Поріг вимикання UVLO | 8.5 В (типово, 25 °C) |
| Струм старту | 20 мкА (типово), 30 мкА (макс.), 25 °C |
| Опорна напруга Vref | 2.5 В (VINV = 1–4 В, 25 °C) |
| Рівень захисту VCC OVP | 21 В (типово, 25 °C) |
| Поріг вимірювання струму CS | 0.8 В (типово, 25 °C) |
| Струм драйвера виходу | 800 / -1200 мА |
| Розсіювана потужність | 400 мВт (при 85 °C навколишнього середовища) |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема LF355N , DIP8
Немає в наявності
61,57 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Операційний підсилювач з JFET-входом |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення, макс. | ±22 В (абсолютний максимум для серії LF155–LF357) |
| Напруга зміщення нуля Vio | 3 мВ типово, 10 мВ макс. (Rs = 50 Ом, Tamb = 25 °C, Vcc = ±15 В) |
| Вхідний струм зміщення Iib | 20 пА типово, 200 пА макс. (Tamb = 25 °C, Vcc = ±15 В) |
| Коефіцієнт підсилення Avd | 25 В/мВ мін., 200 В/мВ типово (RL = 2 кОм, Vo = ±10 В, Tamb = 25 °C) |
| Добуток підсилення на смугу GBP | 2.5 МГц (типово, Tamb = 25 °C, Vcc = ±15 В) |
| Швидкість наростання SR | 5 В/мкс (типово, Av = 1, Tamb = 25 °C) |
| Струм споживання | 2 мА типово, 4 мА макс. (без навантаження, Tamb = 25 °C, Vcc = ±15 В) |
| Розсіювана потужність Ptot | 570 мВт (абсолютний максимум) |
| Робоча температура | 0…70 °C (серія LF355) |
Мікросхема LF356N , DIP8
Немає в наявності
41,36 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | Операційний підсилювач з JFET-входом (BI-FET) |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | DIP-8 (N08E) |
| Напруга живлення, макс. | ±18 В (абсолютний максимум для LF355/6/7) |
| Напруга зміщення нуля VOS | 3 мВ типово, 10 мВ макс. (RS = 50 Ом, TA = 25 °C) |
| Вхідний струм зміщення IB | 30 пА типово, 200 пА макс. (TJ = 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення AVOL | 25 В/мВ мін., 200 В/мВ типово (VS = ±15 В, VO = ±10 В, RL = 2 кОм, TJ = 25 °C) |
| Добуток підсилення на смугу GBW | 5 МГц (типово, TA = TJ = 25 °C, VS = ±15 В) |
| Швидкість наростання SR | 12 В/мкс (типово, AV = 1, TA = TJ = 25 °C, VS = ±15 В) |
| Струм споживання | 5 мА типово, 10 мА макс. (LF356, TA = TJ = 25 °C, VS = ±15 В) |
| Макс. температура переходу | 115 °C (для LF355/6/7) |
| Розсіювана потужність | 670 мВт (TA = 25 °C) |
Мікросхема LF357N ( КР544УД2А ) , DIP8
Немає в наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | Операційний підсилювач з JFET-входом (BI-FET) |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга зміщення нуля VOS | 3 мВ типово, 10 мВ макс. (RS = 50 Ом, TA = 25 °C, серія LF35x) |
| Вхідний струм зміщення IB | 30 пА типово, 200 пА макс. (TJ = 25 °C, серія LF35x) |
| Добуток підсилення на смугу GBW | 20 МГц (типово, LF357, AV = 5) |
| Швидкість наростання SR | 50 В/мкс (типово, LF357, AV = 5) |
| Час встановлення | 1.5 мкс (типово, LF357, AV = 5) |
| Струм споживання | 5 мА типово, 10 мА макс. (LF357, TA = TJ = 25 °C, VS = ±15 В) |
| Макс. температура переходу | 115 °C (корпус P (PDIP), серія LF35x) |
Мікросхема LM1875T оригінал ( Заміна для LM1875L )
Немає в наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | підсилювач потужності НЧ, 20 Вт |
| Корпус | TO-220B-5 (5 виводів) |
| Напруга живлення (діапазон) | 16–60 В |
| Напруга живлення Vs (макс.) | 60 В |
| Вихідна потужність | 25 Вт (мін.) (THD 1 %, Vcc=+25 В, –VEE=–25 В, RL=8 Ом, f=1 кГц, Tамб 25 °C) |
| Нелінійні спотворення | 0.015 % (Pout=20 Вт, f=1 кГц, RL=8 Ом, Vcc=±25 В, тип.) |
| Струм обмеження | 4 А (Vout=Vsupply–10 В, тип.; мін. 3 А) |
| Струм споживання | 70 мА (Pout=0 Вт, тип.; макс. 100 мА) |
| Добуток підсилення на смугу | 5.5 МГц (f=20 кГц) |
| Швидкість наростання | 8 В/мкс (20 Вт, 8 Ом, смуга 70 кГц, тип.) |
| Тепловий опір кристал–корпус | 3 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LM1881N оригінал, DIP8
Немає в наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Роздільник синхросигналів відео |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення | 5–12 В (одинарне живлення) |
| Макс. напруга живлення | 13,2 В (абсолютний максимум) |
| Струм споживання | 5,2 мА (типово; макс. 10 мА; Vcc 5 В, виходи в лог. 1) |
| Розсіювана потужність корпусу | 1100 мВт (абсолютний максимум) |
| Частота рядків | до 150 кГц |
| Вхідний опір | понад 10 кОм |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LM2576S-ADJ , TO-263
Немає в наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | понижувальний DC-DC перетворювач 3 А |
| Корпус | TO-263-5L (5 виводів) |
| Вхідна напруга | 4.3–40 В |
| Вихідний струм | 3 А |
| Частота перетворення | 53 кГц (Tj=25 °C, тип.) |
| Опорна напруга (ADJ) | 1.23 В (Vin=12 В, Iload=0.5 А; мін. 1.217, макс. 1.243) |
| Вхідна напруга (макс.) | 45 В (Absolute Maximum Ratings, Tamb 25 °C) |
Мікросхема LM2577T-ADJ
Немає в наявності
153,22 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | підвищувальний перетворювач (boost), а також flyback і forward |
| Корпус | TO220-5 |
| Вхідна напруга | 3.5–40 В |
| Струм ключа NPN | 3.0 А (ключ витримує до 65 В) |
| Напруга на ключі (макс.) | 65 В (Absolute Maximum Ratings) |
| Напруга живлення (макс.) | 45 В (Absolute Maximum Ratings) |
| Частота генератора | 52 кГц (Tj=25 °C; мін. 48, макс. 56) |
| Опорна напруга (ADJ) | 1.230 В (VIN=3.5–40 В; мін. 1.214, макс. 1.246) |
| Температура переходу (макс.) | 150 °C (Absolute Maximum Ratings) |
Мікросхема LM2596T-5.0
Немає в наявності
71,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | понижувальний DC-DC перетворювач з ШІМ |
| Вихідна напруга | 5 В (Vin 7–40 В, Iload 0.2–3 А: 4.8–5.2 В) |
| Вихідний струм | 3 А |
| Вхідна напруга | 4.5–40 В |
| Частота перетворення | 150 кГц (VFB=0, 127–173 кГц) |
| ККД | 80 % (Vin 12 В, Vout 5 В) |
| Робочий діапазон Tj | –40…+125 °C |
Мікросхема LM2903 , smd
Немає в наявності
9,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | два незалежні малопотужні компаратори напруги |
| Корпус | smd |
| Напруга живлення | 2–36 В (або ±1…±18 В) |
| Струм споживання | 0.4 мА (Vcc=5 В, без навантаження, тип.; макс. 1 мА) |
| Напруга зсуву входу | 1 мВ (Vcc=5 В, Tамб 25 °C, тип.; макс. 7 мВ) |
| Вхідний струм зсуву | 25 нА (тип.) |
| Вихідна напруга низького рівня | 250 мВ (Isink=4 мА, Vid=–1 В, тип.; макс. 400 мВ) |
| Час відгуку | 1.3 мкс (RL=5.1 кОм до Vcc+) |
| Температура переходу (макс.) | 150 °C |
| Робочий діапазон температур | –40…+125 °C |
Мікросхема LM2904 , smd
Немає в наявності
13,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | малопотужний здвоєний операційний підсилювач із внутрішньою частотною компенсацією |
| Корпус | smd |
| Напруга живлення (робоча) | 3–30 В (одне живлення) |
| Напруга живлення (макс. допустима) | ±16 або 32 В (абсолютний максимум) |
| Струм споживання | 0,7 мА тип., 1,2 мА макс. (VCC+ = 5 В, без навантаження, Tamb 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення за напругою | 100 В/мВ тип. (VCC+ = 15 В, RL = 2 кОм) |
| Смуга пропускання | 1,1 МГц тип. (f = 100 кГц, VCC+ = 30 В) |
| Швидкість наростання | 0,6 В/мкс тип. (VCC+ = 15 В) |
| Робочий діапазон температур | −40…125 °C |
Мікросхема LM301AN
Немає в наявності
27,26 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | Операційний підсилювач (одинарний, із зовнішньою компенсацією) |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення (робоча) | ±5…±15 В (двополярне живлення) |
| Напруга живлення (макс.) | ±18 В (абсолютний максимум) |
| Напруга зміщення входу | 2,0 мВ тип., 7,5 мВ макс. (TA 25 °C, RS ≤ 50 кОм) |
| Вхідний струм зміщення | 70 нА тип., 250 нА макс. (TA 25 °C) |
| Струм споживання | 1,8 мА тип., 3,0 мА макс. (VCC/VEE = ±15 В, TA 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 625 мВт (пластиковий DIP) |
| Робочий діапазон температур | 0…70 °C |
Мікросхема LM308N , DIP
Немає в наявності
66,74 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | Прецизійний операційний підсилювач |
| Корпус | DIP |
| Напруга живлення (робоча) | ±2…±20 В (для серії LM108/LM208/LM308) |
| Напруга живлення (макс.) | ±18 В (абсолютний максимум, LM308) |
| Розсіювана потужність | 500 мВт (абсолютний максимум) |
| Максимальна температура переходу | 85 °C |
| Робочий діапазон температур | 0…70 °C |
| Вхідна напруга (макс.) | ±15 В (при живленні менше ±15 В дорівнює напрузі живлення) |
Мікросхема LM311P , DIP8
Немає в наявності
12,22 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | Компаратор напруги зі стробуванням |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення (робоча) | від одного джерела 5 В до ±15 В |
| Диференціальна вхідна напруга (макс.) | ±30 В (абсолютний максимум) |
| Напруга зміщення входу | 2 мВ тип., 7,5 мВ макс. (TA 25 °C, VCC± = ±15 В) |
| Вихідна напруга низького рівня | 0,23 В тип., 0,4 В макс. (TA 25 °C, VCC+ = 4,5 В, IOL = 8 мА) |
| Час відгуку | 115 / 165 нс (RC = 500 Ом до 5 В, CL = 5 пФ) |
| Робочий діапазон температур | 0…70 °C |
Мікросхема LM338T , TO220-3
Немає в наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Діапазон вихідної напруги | 1,2–32 В |
| Вихідний струм | 5 А (гарантований; піковий до 7 А) |
| Різниця напруг вхід – вихід | 3–40 В (рекомендований діапазон) |
| Опорна напруга | 1,24 В (тип.), 1,19–1,29 В |
| Мінімальний струм навантаження | 3,5 мА (тип.), 10 мА (макс.) |
| Робоча температура переходу | 0…125 °C |
| Корпус | TO-220 |
Мікросхема LM350T ( LM350 ) , TO220
Немає в наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідний струм | 3 А (падіння напруги не більше 1,5 В) |
| Опорна напруга VREF | 1.250 В (тип.), 1.231–1.269 В |
| Струм обмеження | 6.5 А (тип.), 5.5 А (мін.) |
| Робоча температура переходу TJ | 0…+125 °C |
| Корпус | TO-220 |
Мікросхема LM358L ( LM358P , LM358N ) , DIP8
Немає в наявності
14,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення VCC | 3…30 В (робочі умови) |
| Напруга живлення, макс. | 32 В |
| Струм споживання (обидва ОП, без навантаження) | 0.7 мА (тип.), 1.2 мА (макс.) при VCC+ = 5 В |
| Напруга зсуву входу Vio | 2 мВ (тип.), 7 мВ (макс.) |
| Смуга одиничного підсилення GBP | 1.1 МГц (тип.) |
| Швидкість наростання SR | 0.6 В/мкс (тип.) |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема LM3915N-1 , DIP18
Немає в наявності
44,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | National Semiconductor |
| Призначення | драйвер світлодіодної шкали |
| Кількість рівнів | 10 (3 дБ/крок, діапазон 30 дБ) |
| Напруга живлення | 3…25 В (одне джерело живлення) |
| Струм виходу на світлодіод | 1…30 мА |
| Опорна напруга внутрішнього джерела | 1.2…12 В |
| Розсіювана потужність | 1365 мВт (Molded DIP (N)) |
| Допустима перенапруга входу | ±35 В |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Корпус | DIP-18 |
Мікросхема LM4766T
Немає в наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | National Semiconductor |
| Призначення | стереопідсилювач потужності звуку |
| Вихідна потужність на канал | 40 Вт тип., 30 Вт мін. (THD+N 0,1 %, RL 8 Ом, f 1 кГц, VCC +30 В, VEE –30 В, TA 25 °C) |
| Нелінійні спотворення THD+N | 0.06 % (30 Вт/канал, RL 8 Ом, 20 Гц–20 кГц, Av 26 дБ) |
| Напруга живлення |VCC|+|VEE|, робоча | 20…60 В |
| Напруга живлення |VCC|+|VEE|, макс. | 78 В без сигналу, 74 В із сигналом |
| Струм спокою (обидва канали) | 48 мА тип., 100 мА макс. |
| Швидкість наростання SR | 9 В/мкс тип., 5 В/мкс мін. |
| Смуга одиничного підсилення | 8 МГц тип., 2 МГц мін. |
| Розсіювана потужність | 62.5 Вт (гранично допустиме значення) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура | –20…+85 °C |
| Корпус | TO-220, 15 виводів |
Мікросхема LM833N , DIP8
Немає в наявності
20,21 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | здвоєний малошумний операційний підсилювач для аудіо |
| Напруга живлення (VCC–VEE), макс. | 36 В (гранично допустиме значення) |
| Смуга одиничного підсилення | 15 МГц тип., 5 МГц мін. (f 100 кГц, VCC +15 В, VEE –15 В) |
| Швидкість наростання | 7.0 В/мкс тип., 5.0 В/мкс мін. (Vin –10…+10 В, RL 2 кОм, Av +1) |
| Напруга зсуву входу Vio | 0.3 мВ тип., 5.0 мВ макс. (RS 10 Ом, VO 0 В, VCC +15 В, VEE –15 В, TA 25 °C) |
| Температурний коефіцієнт зсуву | 2.0 мкВ/°C |
| Шум напруги на вході | 4.5 нВ/√Гц |
| Спотворення | 0.002 % |
| Розсіювана потужність, макс. | 500 мВт |
| Робоча температура | –40…+85 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема LNK304GN оригінал, SMD-8B
Немає в наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Макс. напруга стоку Vds | 700 В (абсолютний максимум) |
| Вхідна напруга мережі | 85–265 В AC |
| Вихідний струм (MDCM) | 120 мА |
| Вихідний струм (CCM) | 170 мА |
| Струм обмеження ILIMIT | 257 мА (тип., Tj 25 °C) |
| Частота перетворення | 66 кГц (тип., Tj 25 °C) |
| RDS(on) | 24 Ом (тип., ID 25 мА, Tj 25 °C) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | SMD-8B |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LNK364DN, so-7
Немає в наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Макс. напруга стоку Vds | 700 В (абсолютний максимум) |
| Вихідна потужність (адаптер, 230 В AC ±15 %) | 5,5 Вт |
| Вихідна потужність (відкрита плата, 230 В AC ±15 %) | 9 Вт |
| Вихідна потужність (адаптер, 85–265 В AC) | 4 Вт |
| Вихідна потужність (відкрита плата, 85–265 В AC) | 6 Вт |
| Струм обмеження ILIMIT | 250 мА (тип., Tj 25 °C) |
| Частота перетворення | 132 кГц (тип., Tj 25 °C) |
| RDS(on) | 24 Ом (тип., ID 25 мА, Tj 25 °C) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
Мікросхема LNK500PN
Немає в наявності
98,23 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Макс. напруга стоку Vds | 700 В (абсолютний максимум) |
| Піковий струм стоку | 400 мА (абсолютний максимум) |
| Струм обмеження ILIM | 254 мА (тип., Tj 25 °C) |
| Частота перетворення | 42 кГц (тип., IC = IDCT, Tj 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % (тип., IC 1,5 мА) |
| RDS(on) | 28 Ом (тип., ID 25 мА, Tj 25 °C) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | DIP |
| Корпус (докладно) | DIP (P) |
Мікросхема LNK625DG , sop-7
Немає в наявності
54,52 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга пробою ключа BVDSS | 725 В (мін.; Tj 25 °C) |
| Напруга DRAIN, макс. | 725 В (від -0,3 В; абсолютний максимум) |
| Струм обмеження ILIMIT | 330 мА (типово; мін. 307, макс. 353; Tj 25 °C; di/dt 80 мА/мс) |
| Піковий струм DRAIN, макс. | 528 мА (до 790 мА, якщо напруга DRAIN одночасно менша за 400 В) |
| Опір відкритого ключа RDS(on) | 16 Ом (типово; макс. 19 Ом; ID 62 мА; Tj 25 °C) |
| Вихідна потужність (вихід 5 В) | 8 Вт (адаптер, 230 В AC ±15 %) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | SOP-7 |
Мікросхема LNK6776V , DIP-11
Немає в наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Тип | Мережевий ШІМ-перетворювач з вбудованим MOSFET |
| Напруга пробою MOSFET BVDSS | 725 В (мінімум, TJ = 25 °C) |
| Частота перетворення | 132 кГц (при великому навантаженні, з джиттером) |
| Споживання без навантаження | менше 30 мВт (230 В змінного струму, серія LNK67xx) |
| Робочий діапазон температури переходу | -40…150 °C |
| Температура зберігання | -65…150 °C |
| Корпус | DIP-11 (за назвою), для монтажу в отвори |
Мікросхема LT1083CP , TO218
Немає в наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Analog Devices (Linear Technology) |
| Тип | регульований стабілізатор з малим падінням напруги |
| Вихідний струм | 7,5 А |
| Опорна напруга | 1,250 В (типово, IOUT = 10 мА, Tj 25 °C, різниця вхід–вихід 3 В) |
| Падіння напруги | 1,3 В (типово, максимум 1,5 В при максимальному струмі) |
| Струм обмеження | 9,5 А (типово, різниця вхід–вихід 5 В) |
| Макс. різниця вхід–вихід | 30 В |
| Корпус | TO-218 |
Мікросхема LTK5128 , so-8
Немає в наявності
30,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | LTKCHIP |
| Напруга живлення VDD | 2,5–5,5 В (клас D, Ta 25 °C) |
| Макс. напруга живлення | 6,0 В (абсолютний максимум, Ta 25 °C) |
| Вихідна потужність на 4 Ом | 2,9 Вт (VDD = 5 В, THD+N = 10 %, f = 1 кГц, клас D) |
| Коефіцієнт спотворень THD+N | 0,12 % (VDD = 5 В, Po = 0,6 Вт, RL = 8 Ом, f = 1 кГц, клас D) |
| Частота перемикання (клас D) | 480 кГц |
| Струм споживання (клас D) | 5 мА (типове; MODE = VDD, VDD = 5 В, IO = 0 А) |
| Розсіювана потужність | 1 Вт (абсолютний максимум, Ta 25 °C) |
| Корпус | ESOP-8 |
Мікросхема LTK5128D , so-8
Немає в наявності
30,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | LTKCHIP |
| Напруга живлення | 2,5–7 В |
| Максимальна напруга живлення VDD | 7 В (абсолютний максимум) |
| Вихідна потужність (4 Ом) | 6 Вт (VDD = 7 В, навантаження 4 Ом + 33 мкГн, THD+N 10 %) |
| Вихідна потужність (3 Ом) | 7,3 Вт (VDD = 7 В, навантаження 3 Ом + 33 мкГн, THD+N 10 %) |
| Струм у режимі вимкнення | < 1 мкА (вивід SD) |
| Режим роботи | AB / D, перемикання виводом MODE |
| Температура зберігання | –65…150 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
Демонтаж
Мікросхема M52770ASP демонтаж
Немає в наявності
211,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas Electronics |
| Корпус | P-SDIP64-17×56.4-1.78 (PRDP0064BA-A) |
| Кількість виводів | 64 |
| Напруга живлення (виводи 11, 31) | 5.0 В |
| Напруга живлення (виводи 27, 53) | 9.0 В |
| Струм живлення (виводи 11, 31) | 107 мА |
| Струм живлення (виводи 27, 53) | 56 мА |
| Чутливість входу VIF | 47 дБµ |
| Розмах вихідного RGB | 4.2 В пік-пік |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема M52777SP-B ( M52777SP , M52778SP-A )
Немає в наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Mitsubishi |
| Корпус | 52P4B, 52 виводи |
| Напруга живлення (виводи 8, 24) | 5 В (4.75–5.25 В) |
| Напруга живлення (виводи 9, 20) | 8 В (7.6–8.4 В) |
| Струм живлення (виводи 8, 24) | 110 мА (70–150 мА, Ta 25 °C, тип.) |
| Струм живлення (вивід 9) | 60 мА (50–70 мА, Ta 25 °C, тип.) |
| Потужність розсіювання | 1.69 Вт |
| Робоча температура | -20…+65 °C |
Демонтаж
Мікросхема MA8910 оригінал демонтаж
Немає в наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема MAP3249 , so-16
Немає в наявності
112,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип | 4-канальний драйвер світлодіодної підсвітки |
| Кількість каналів | 4 |
| Струм на канал | до 200 мА (максимум на один канал) |
| Напруга живлення | 8,5–28 В (рекомендовані умови роботи) |
| Напруга на виводах FB | 60 В (абсолютний максимум) |
| Напруга запасу на каналі | 0,4 В |
| Частота перетворення (boost) | 100–500 кГц (задається резистором на виводі FSW) |
| Діапазон робочих температур | -40…+85 °C |
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема MAP3612 , so-16
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Корпус | SO-16 |
| Кількість каналів | 2 |
| Напруга живлення VCC | 8.5–18 В (робочий діапазон) |
| VCC, GATE, PWM, MODE, SEL макс. | 20 В (Absolute maximum) |
| Струм спокою IQ | 3.4 мА (типово; VCC 12 В, VPWM 5 В, VCS 0 В) |
| Аналогове димування VADIM | 0.5–3.0 В |
| Струм заряду затвора GATE1/2 | 400 мА (VGATE 0 В, VCC 12 В) |
| Струм розряду затвора GATE1/2 | 800 мА (VGATE = VCC = 12 В, CGATE 1 нФ) |
| Макс. скважність | 97 % |
| Поріг UVLO | 8.0 В (типово, діапазон 7.5–8.5 В) |
| Робоча температура TA | –40…+85 °C |
Мікросхема MC33063AP , DIP8
Немає в наявності
21,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга | 3.0–40 В |
| Макс. напруга живлення | 40 В |
| Струм вихідного ключа | 1.5 А (без зовнішніх транзисторів) |
| Частота роботи | 0.1–100 кГц |
| Пороговий рівень компаратора | 1.24 В (1.21–1.29 В, TA 25 °C) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
Демонтаж
Мікросхема MC33067P демонтаж, DIP16
Немає в наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | DIP16 |
| Призначення | резонансний контролер ZVS |
| Макс. напруга живлення | 20 В |
| Вихідний струм драйвера, постійний | 0,3 А |
| Вихідний струм драйвера, імпульсний | 1,5 А (0,5 мс, скважність 25 %) |
| Смуга підсилювача помилки | 4,0 МГц |
| Потужність розсіювання (PDIP) | 1,25 Вт (TA 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема MC33262 , so-8
Немає в наявності
30,08 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | SO-8 |
| Призначення | контролер коефіцієнта потужності (PFC) |
| Поріг запуску за VCC | 13 В (11,5–14,5 В) |
| Мінімальна робоча напруга після запуску | 8,0 В (7,0–9,0 В) |
| Гістерезис UVLO | 5,0 В (3,8–6,2 В) |
| Поріг зворотного зв'язку підсилювача помилки | 2,5 В (2,465–2,535 В, TA 25 °C) |
| Струм виходу, макс. | 500 мА |
| Робочий струм живлення | 6,5 мА (макс. 12 мА) |
| Потужність розсіювання | 450 мВт (TA 70 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Діапазон температури середовища | -40…+105 °C |