Мікросхеми

Показано 1561–1600 із 1978

Показати 20 40 80

Мікросхема CS8508E , so-8

Немає в наявності

42,30 ₴
ПараметрЗначення
Призначеннямоноаудіопідсилювач 8 Вт, перемикання режимів AB/D
Робоча напруга живлення2,5–8,8 В
Максимальна напруга живлення9 В
Потужність, режим D, 4 Ом8,50 Вт (VDD 8,5 В, THD+N 10 %, f 1 кГц)
Потужність, режим D, 8 Ом4,20 Вт (VDD 8,5 В, THD+N 10 %)
Потужність, режим AB, 4 Ом8,00 Вт (VDD 8,5 В, THD+N 10 %)
Потужність, режим AB, 8 Ом4,00 Вт (VDD 8,5 В, THD+N 10 %)
ККД у режимі Dдо 90 %
Частота перемикання750 кГц (VDD 2,5–8,8 В)
КорпусESOP-8

Мікросхема CS8655E , so-16

Немає в наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
КорпусSO-16

Мікросхема CX2812 , so-8

Немає в наявності

79,90 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіCX2812
КорпусSO-8

Мікросхема CXA1191M ( CXA1691BM , CD1691BM )

Немає в наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняОдночипове FM/AM радіо для магнітол з підсилювачем НЧ
ВиробникSony
Напруга живлення, макс.14 В (Ta 25 °C)
Напруга живлення, рекомендована2–7.5 В (для CXA1691BM)
Струм споживання, FM5.8 мА (VCC 3 В, тип.)
Струм споживання, AM4.7 мА (VCC 3 В, тип.)
Вихідна потужність підсилювача НЧ500 мВт (VCC 6 В, навантаження 8 Ом, EIAJ, тип.)
Допустима розсіювана потужність700 мВт (CXA1691BM)
Робоча температура-10…+60 °C
КорпусSOP-28

Мікросхема CXA1238S , DIP

Немає в наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіCXA1238S
КорпусDIP

Мікросхема CXA1538M, smd ( CXA1238M )

Немає в наявності

52,64 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняОдночипова біполярна ІС для FM стерео / AM радіо
ВиробникSony
Напруга живлення, макс.14 В (Ta 25 °C, абсолютний максимум)
Робоча напруга живлення2–9 В (рекомендовані умови)
Струм споживання, режим FM11.0 мА (Vcc 6.0 В)
Струм споживання, режим AM8.5 мА (Vcc 6.0 В)
Допустима потужність розсіювання500 мВт (версія CXA1538M, Ta 25 °C)
Макс. температура переходу125 °C
Робоча температура-10…+60 °C
Температура зберігання-55…+150 °C
КорпусSOP, 30 виводів

Мікросхема CXA1691BS , sdip

Немає в наявності

52,17 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSony
ПризначенняОдночипова ІС FM/AM радіо
КорпусSDIP, 30 виводів
Напруга живлення, макс.14 В (Ta 25 °C, абсолютний максимум)
Робоча напруга живлення2–8.5 В
Струм споживання, режим FM5.8 мА (Vcc 3 В, типово)
Струм споживання, режим AM4.7 мА (Vcc 3 В, типово)
Вихідна потужність ПНЧ (EIAJ)500 мВт (Vcc 6 В, навантаження 8 Ом, типово)
Потужність розсіювання1000 мВт (Ta 25 °C)
Робоча температура-10…+60 °C
Температура зберігання-50…+125 °C

Мікросхема DAP018B , so-14

Немає в наявності

68,62 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
ПризначенняШІМ-контролер струмового режиму
КорпусSO-14
Корпус (докладно)SOIC-14 (CASE 751A)
Кількість виводів14
Частота перетворення65 кГц (версія B, фіксована; спад до 25 кГц при малому навантаженні)
Brown-outє (версія B)
Захист від КЗ на виходіавто-відновлення (версія B)
Піковий струм драйвера+500 / -800 мА
Напруга живлення Vcc, макс.28 В (безперервно, абсолютний максимум)
Напруга на виводі HV (14), макс.500 В
Макс. температура переходу150 °C
Тепловий опір перехід–повітря120 °C/Вт

Мікросхема DAP08 , so-8

Немає в наявності

41,36 ₴
ПараметрЗначення
КорпусSO-8

Мікросхема DAP6A , so-8

Немає в наявності

18,80 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
ПризначенняКвазірезонансний ШІМ-контролер струмового режиму
КорпусSO-8
Корпус (докладно)SO-8 (CASE 751)
Кількість виводів8
Піковий струм драйвера500 мА (джерело/стік)
Напруга живлення Vcc / Drv, макс.18 В (безперервно; 20 В короткочасно, <10 мс, Ivcc <10 мА)
Напруга на виводі HV (8), макс.450 В (Vcc (6) з розв’язкою 10 мкФ)
Макс. температура переходу150 °C
Тепловий опір перехід–повітря178 °C/Вт (версія SOIC)
Температура зберігання-60…+150 °C

Мікросхема DAP8A smd

Немає в наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипМікросхема
МонтажSMD

Мікросхема DAS001 , so-8 ( TSM103AIW , 103AIW )

Немає в наявності

49,35 ₴
ПараметрЗначення
КорпусSO-8
Корпус (докладно)SO-8 (D), 8 виводів
Напруга живлення3–32 В
Струм споживання (без опорного джерела)0,7 мА тип., 1,2 мА макс. (Vcc+ = 5 В, без навантаження)
Смуга пропускання (одиничне підсилення)0,9 МГц тип. (Vcc = 30 В, RL 2 кОм, CL 100 пФ, f = 100 кГц)
Швидкість наростання0,4 В/мкс тип. (Vcc = 15 В, RL 2 кОм, CL 100 пФ)
Опорна напруга2,5 В тип.

Мікросхема DDA009 , so-24

Немає в наявності

148,05 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіDDA009
КорпусSOP-24

Мікросхема DK125 , DIP8

Немає в наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
КорпусDIP8
Вхідна напруга AC90–265 В
Типова потужність24 Вт (90–265 В AC, у закритому корпусі при 45 °C)
Напруга вбудованого ВВ-транзистора700 В (Ioc = 1 мА)
Частота ШІМ65 кГц (Vcc = 5 В, Fb = 1,5…2,5 В)
Частота у режимі Burst22 кГц (Fb = 2,5…2,8 В)
Споживання в режимі очікування< 0,3 Вт (AC 265 В, без навантаження)
Напруга запуску5,2 В (AC 85–265 В)
Захист від ESD4 кВ

Мікросхема DM0265RN ( DM0265R ) DIP8

Немає в наявності

33,84 ₴
ПараметрЗначення
КорпусDIP8
Макс. напруга стоку650 В (Ta 25 °C)
Імпульсний струм стоку8,0 А
Опір відкритого каналу Rds(on)5,0 Ом тип., 6,0 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 0,5 А, Ta 25 °C)
Частота перетворення67 кГц (61–73 кГц), Ta 25 °C
Обмеження пікового струму1,5 А тип. (1,3–1,7 А)
Поріг запуску Vcc12 В
Поріг вимкнення Vcc8 В
Розсіювана потужність1,56 Вт
Робоча температура середовища-25…+85 °C

Мікросхема DM0465R , TO220-6 ( Заміна для GM0465R )

Немає в наявності

69,09 ₴
ПараметрЗначення
КорпусTO-220F-6L
Напруга стоку BVDSS650 В (Ta 25 °C)
Постійний струм стоку2,2 А (Tc 25 °C), 1,4 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм стоку9,6 А (Tc 25 °C)
Частота перетворення66 кГц (60–72 кГц), Vfb 3 В
Поріг запуску Vcc12 В
Поріг вимкнення Vcc8 В
Розсіювана потужність45 Вт (Tc 25 °C, з радіатором)
Робоча температура середовища-25…+85 °C

Мікросхема DNP015 ( DNP015NA ) , DIP8

Немає в наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
КорпусDIP8
Напруга пробою BVDSS700 В (мін.; VGS 0 В, ID 250 мкА, TJ 25 °C)
Імпульсний струм стоку IDM12 А (Absolute maximum)
Потужність розсіювання PD1.55 Вт (TA ≤ 50 °C)
Частота перетворення fOSC100 кГц (типово, діапазон 94–106 кГц; у режимі Green 23 кГц)
Макс. скважність80 %
Поріг обмеження струму1.00 А (типово, діапазон 0.85–1.15 А; Duty > 40 %)
Напруга пуску UVLO VDD-ON12 В (типово, діапазон 11–13 В; VDD 15 В, TA 25 °C)
Напруга живлення VDD макс.30 В (Absolute maximum)
Робочий діапазон температур–40…+105 °C
Тепловий опір θJA81 °C/Вт

Мікросхема DW01 ( DW01-P ), sot23-6

Немає в наявності

5,64 ₴
ПараметрЗначення
КорпусSOT23-6
Робоча напруга живлення1,0–5,5 В
Струм споживання1,5 мкА тип., 5,0 мкА макс. (Vcc 3,5 В, Ta 25 °C)
Поріг захисту від перезаряду4,280 В (4,230–4,330 В)
Поріг повернення після перезаряду4,080 В (4,030–4,130 В)
Поріг захисту від переразряду2,400 В (2,300–2,500 В)
Поріг повернення після переразряду3,000 В (2,900–3,100 В)
Поріг захисту за струмом (Vm–Vss)0,150 В (0,120–0,180 В)
Робоча температура-40…+85 °C

Мікросхема EG3013 ( EG3013S ), so-8

Немає в наявності

40,42 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникEGmicro
КорпусSO-8
Напруга живлення Vcc4.5–30 В (типово 15 В, TA 25 °C)
Vcc макс.35 В (TA 25 °C)
Напруга VB (bootstrap) макс.100 В (Absolute maximum, TA 25 °C)
Струм спокою Icc4.5 мА (типово, макс. 6 мА; Vcc 15 В, входи не підключені)
Вихідний струм IO–1 А (типово, мін. 0.8 А)
Мертвий час120 нс (типово, діапазон 80–400 нс; CL 0)
Робоча температура TA–45…85 °C
Температура зберігання–65…125 °C

Мікросхема EG3525 , so-16

Немає в наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
Напруга живлення VCC8–35 В (TA 25 °C, VCC 15 В)
Напруга живлення, макс.36 В (абсолютний максимум)
Опорна напруга5,1 В (±2 %)
Діапазон частоти генератора100 Гц – 500 кГц
Вихідний струм, макс.500 мА (абсолютний максимум)
Потужність розсіювання1000 мВт (TA 25 °C)
Струм плавного старту50 мкА (вивід 8)
КорпусSO-16

Мікросхема EN25F80-100QCP , DIP8

Немає в наявності

39,95 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіEN25F80-100QCP
КорпусDIP8

Мікросхема ENC28J60 SP

Немає в наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMicrochip
КорпусSPDIP-28 (код SP, Skinny Plastic DIP)
Кількість виводів28
Напруга живлення VDD3,1–3,6 В (типово 3,3 В; входи толерантні до 5 В)
Частота SPIдо 20 МГц
Тактовий вхід25 МГц
Буфер пакетів8 Кбайт (двопортова SRAM для передачі та прийому)
Струм споживання при передачі пакетів160 (тип.), 180 (макс.) мА (VDD 3,30 В, FSCK 10 МГц, SO без навантаження, світлодіоди LEDA/LEDB відкриті, ECON2 = 0)
Струм споживання без передачі пакетів120 (тип.) мА (VDD 3,30 В, світлодіоди LEDA/LEDB відкриті, ECON2 = 0)
Температурний діапазон-40…+85 °C (промисловий)

Мікросхема F9222L ( F9221L )

Немає в наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
НомерF9222L
Додатково у назвіF9221L
КатегоріяМікросхеми

Мікросхема F9223L

Немає в наявності

122,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFuji Electric
Напруга Vds (Q1 і Q2)500 В (Tc = Tch = 25 °C, Vcc = 19 В)
Струм стоку Id5.3 А (Tc = 25 °C; імпульсний Id(pulse) 21.2 А)
Потужність розсіювання MOSFET Pd35 Вт (Tc = 25 °C)
Вхідна ємність Ciss1200 пФ тип. (Vds 25 В, Vgs = 0, f 1 МГц)
Опір Rds(on)0.40 Ом тип. / 0.50 Ом макс. (Id = 2.5 А, Vgs = 10 В, Tc = 25 °C)
Поріг Vgs(th)3.5–4.5 В (тип. 4.0 В; Id = 250 мкА, Vds = Vgs)
Живлення керуючої ІС Vcc28 В (абсолютний максимум)
Робоча частота15–150 кГц
Tj макс. (Tch)150 °C

Мікросхема FA3641N ( FA3641 ) ( 3641-маркування ) , so-8

Немає в наявності

39,01 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFuji Electric
КорпусSO-8
Робоча напруга живлення Vcc10–28 В (рекомендовані умови)
Напруга живлення Vcc130 В (абсолютний максимум, Icc > 15 мА, Ta = 25 °C)
Блокування UVLO16.5 В вмик. / 9 В вимик.
Опорна напруга Vref5.00 В тип. (Tj = 25 °C)
Частота генератора100 кГц тип. (Rt = 47 кОм, Vcc = 18 В, Tj = 25 °C)
Макс. коефіцієнт заповнення70 % тип. (Vfb = 2.5 В)
Потужність розсіювання Pd400 мВт (SOP, Ta = 25 °C)
Робоча температура-30..+85 °C

Мікросхема FA5760N ( FA5760 ) , so-16

Немає в наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFuji Electric
ПризначенняКонтролер LLC-резонансного напівмостового перетворювача
Діапазон робочої частоти25–220 кГц
Напруга драйвера верхнього плеча630 В
Напруга пускового пристрою600 В
Напруга живлення Vcc (макс.)–0.3…+30 В (абсолютний максимум)
Напруга живлення VBS (макс.)–0.3…+30 В (абсолютний максимум)
Вхідна напруга виводу VH–0.3…+600 В (абсолютний максимум)
Допустима швидкість зміни зсуву живлення dV/dt±50 кВ/мкс (макс.)
Повні втрати0.83 Вт
Робоча температура переходу–40…+150 °C
КорпусSO-16

Мікросхема FAN4800A ( FAN4800 ) оригінал , DIP16

Немає в наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Призначеннякомбінований контролер PFC (boost) і PWM для блоків живлення
ВиробникFairchild Semiconductor
КорпусDIP16
Діапазон робочих температур-40…+105 °C
Співвідношення частот PFC:PWM1:1
Частота PFC і PWM64 кГц (RT 6,8 кОм, CT 1000 пФ, VDD 15 В, TA 25 °C)
Напруга живлення VDD30 В (абсолютний максимум)
Поріг вмикання VDD11 В (діапазон 10–12 В, TA 25 °C)
Робочий струм споживання2,6 мА (VDD 13 В, виходи без навантаження, TA 25 °C)
Опорна напруга VREF7,5 В (діапазон 7,4–7,6 В, TA 25 °C)
Захист VDD від перенапруги28 В (діапазон 27–29 В)
Максимальний коефіцієнт заповнення PWM49,9 %
Розсіювана потужність800 мВт (TA < 50 °C, абсолютний максимум)
СтанОригінал

Мікросхема FAN4800IN оригінал демонтаж, DIP16

Немає в наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипКонтролер PFC/PWM
ВиробникFairchild Semiconductor
КорпусDIP16
Макс. напруга живлення Vcc20 В (абсолютний максимум)
Поріг вмикання UVLO Vth(start)13,00 В (типово; 12,74–13,26 В)
Гістерезис UVLO3,00 В (типово; 2,80–3,20 В)
Струм запуску Ist100 мкА (типово; макс. 200 мкА)
Робочий струм Iop2,5 мА (типово; макс. 7,0 мА; Vcc 12 В, CL 0 пФ)
Макс. частота ШІМ250 кГц
Піковий струм виходів PFC OUT і PWM OUT1 А (абсолютний максимум)
Робочий діапазон температур-40…+125 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Мікросхема FAN6961 ( FAN6961SZB , FAN6961SZ ) , so-8

Немає в наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
КорпусSO-8
Кількість виводів8
Напруга живлення Vcc, DC30 В (абсолютний максимум)
Поріг вмикання Vcc-on12.5 В тип. (11.5–13.5 В; Vcc = 15 В, Tj від -40 до 125 °C)
Поріг вимикання Vcc-off9.5 В тип. (8.5–10.5 В; Tj від -40 до 125 °C)
Струм запуску10 мкА тип. (не більше 20 мкА)
Робочий струм4.5 мА тип.
Опорна напруга2.500 В тип. (2.475–2.525 В)
Потужність розсіювання Pd400 мВт (SOP)
Робоча температура переходу-40 .. +125 °C

Мікросхема FAN7380 ( FAN7380G ) , so-8

Немає в наявності

91,65 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
КорпусSO-8
Корпус (докладно)SOIC-8 (8-SOP)
Напруга плаваючого каналу VS600 В
Вихідний струм (втік)90 мА тип., мін. 60 мА (Vo = 0 В, Vin = 5 В, Vbias = 15 В, Ta = 25 °C)
Вихідний струм (витік)180 мА тип., мін. 130 мА (Vo = 15 В, Vin = 0 В, Vbias = 15 В, Ta = 25 °C)
Напруга живлення Vcc10–20 В (рекомендовані умови)
Поріг UVLO вмикання Vcc9.2 В тип. (8.2–10.0 В; Vbias = 15 В, Ta = 25 °C)
Поріг UVLO вимикання Vcc8.7 В тип. (7.6–9.6 В; Vbias = 15 В, Ta = 25 °C)
Tj макс.150 °C

Мікросхема FAN7530 ( FAN7530M ) , so-8

Немає в наявності

42,30 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
КорпусSO-8
Кількість виводів8
Поріг вмикання UVLO12 В (11–13 В; VCC зростає)
Поріг вимикання UVLO8,5 В (7,5–9,5 В; VCC зменшується)
Гістерезис UVLO3,5 В (3,0–4,0 В)
Напруга стабілізації входу живлення22 В (20–24 В; ICC = 20 мА)
Струм споживання при старті40 мкА (макс. 70 мкА; VCC = Vth(start) – 0,2 В)
Робочий струм споживання1,5 мА (макс. 3,0 мА; 50 кГц, Cl = 1 нФ)
Опорна напруга входу INV2,5 В (2,465–2,535 В; TA = 25 °C)
Поріг обмеження струму (вхід CS)0,8 В (0,7–0,9 В)
Піковий струм драйвера затвора+500 / –800 мА (TA = 25 °C)
Робочий діапазон температур–40…+125 °C
Максимальна температура переходу150 °C
Тепловий опір перехід–середовище110 °C/Вт (корпус 8-SOP)

Мікросхема FAN7601 , so-8

Немає в наявності

65,33 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor
ТипШІМ-контролер струмового режиму
КорпусSO-8
Кількість виводів8
Максимальна напруга живлення Vcc20 В (Ta = 25 °C)
Поріг вмикання (UVLO)12 В (11–13 В)
Поріг вимикання (UVLO)8 В (7–9 В)
Робочий струм споживання3 мА (макс. 4 мА), Vcc = 14 В
Опорна напруга Vref5,0 В (4,85–5,15 В), Io = 1 мА
Частота генератора100 кГц (90–110 кГц), Rt = 9,5 кОм, Ct = 2,2 нФ
Максимальний коефіцієнт заповнення95 % (92–98 %), Ta = 25 °C
Захист від перенапруги (OVP) по Vcc19 В (18–20 В)
Максимальна температура переходу150 °C

Мікросхема FS8205A ( 8205A , GM8205A , CEG8205A ) , TSSOP-8

Немає в наявності

13,16 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFortune Semiconductor
ТипДва N-канальні MOSFET в одному корпусі
КорпусTSSOP8
Напруга Vds20 В
Напруга затвор–витік Vgs±12 В
Струм стоку Id6 А (TA = 25 °C, на платі 1 дюйм² міді); 5 А (TA = 70 °C)
Імпульсний струм стоку25 А
Опір відкритого каналу Rds(on)макс. 28 мОм (тип. 23 мОм), Vgs = 4,5 В, Id = 4 А, Tj 25 °C
Rds(on) при Vgs 2,5 Вмакс. 37 мОм (тип. 30 мОм), Id = 3 А, Tj 25 °C
Порогова напруга Vgs(th)0,45–1,2 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА)
Розсіювана потужність1 Вт (TA = 25 °C)
Максимальна температура переходу150 °C
Тепловий опір перехід–середовище125 °C/Вт (макс.), на платі 1 дюйм² міді
Пряма напруга вбудованого діодамакс. 1,2 В (Is = 1,25 А, Vgs = 0, Tj 25 °C)

Мікросхема FSFR1800L

Немає в наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
Напруга сток–витік500 В (ID 200 мкА, TA 25 °C)
Опір відкритого каналу0,95 Ом макс. (VGS 10 В, ID 3,0 А)
Постійний струм стоку7,0 А (TC 25 °C)
Потужність розсіювання23 Вт (на один MOSFET, коли відкриті обидва)
Час відновлення діода160 нс макс. (VGS 0 В, ID діода 7,0 А)
Робоча частотадо 300 кГц
Мертвий час350 нс (фіксований)
Вихідна потужність без радіатора120 Вт (VIN 350–400 В)
Температура переходу–40…+130 °C (рекомендована)
Корпус9-SIP (L-forming)

Мікросхема FSL106HR ( FSL106MR ) , DIP

Немає в наявності

22,09 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor
ТипШІМ-контролер із вбудованим SenseFET
КорпусDIP8
Напруга пробою сток–витік SenseFET650 В (VCC = 0 В, Id = 250 мкА)
Частота перетворення100 кГц (90–110 кГц)
Піковий струм обмеження0,70 А (0,62–0,84 А), Tj = 25 °C, di/dt = 300 мА/мкс
Верхній поріг UVLO по VCC12 В
Робочий струм споживання1,8 мА (макс. 2,5 мА), VCC = 14 В
М'який старт20 мс
Споживання в режимі очікуванняменше 50 мВт (265 В AC, без навантаження, Burst Mode)
Максимальна вихідна потужність9 Вт (адаптер) / 13 Вт (відкрита рама), 230 В AC ±15 %
Температура теплового захисту137 °C (125–150 °C)

Мікросхема FT232RL ( SSOP28 )

Немає в наявності

158,39 ₴
ПараметрЗначення
Призначенняміст USB – асинхронний послідовний UART
КорпусSSOP-28
Інтерфейс USBUSB 2.0 Full Speed
Швидкість передачі300 бод – 3 Мбод (рівні TTL)
Буфериприйом 128 байт, передача 256 байт
Вбудована EEPROM1024 біт
Напруга живлення VCC4,0–5,25 В (з внутрішнім генератором)
Напруга живлення портів VCCIO1,8–5,25 В
Робочий струм15 мА
Струм у режимі USB Suspend70 мкА
Робоча температура–40…+85 °C

Мікросхема GC2263AP ( OB2263AP ) , DIP8

Немає в наявності

28,20 ₴
ПараметрЗначення
КорпусDIP8
Частота в нормальному режимі65 кГц (RI = 100 кОм, TA 25 °C; діапазон 60–70 кГц)
Базова частота burst-режиму22 кГц (VDD = 16 В, RI = 100 кОм)
Обмеження VDD34 В (TA 25 °C)
Робочий струм1,4 мА
Макс. температура переходу150 °C

Мікросхема GD32F103CBT6 оригінал, LQFP48

Немає в наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіGD32F103CBT6
КорпусLQFP48
СтанОригінал

Мікросхема GM0765R ( FSGM0765R )

Немає в наявності

98,70 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild)
ТипШІМ-контролер з вбудованим високовольтним ключем (FPS)
Напруга пробою стік-витік BVDSS650 В (VCC = 0 В, ID = 250 мкА)
Опір відкритого каналу RDS(on)1,3 Ом тип., 1,6 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 1 А)
Піковий струм обмеження ILIM2,60 А (2,37–2,83 А, di/dt = 300 мА/мкс)
Частота перемикання66 кГц (60–72 кГц, VCC = 14 В, VFB = 4 В)
Робоча напруга живлення VCC13–23 В
Безперервний струм стоку ID6,4 А (TC = 25 °C)
Потужність розсіювання Pd45 Вт (TC = 25 °C)
Напруга ізоляції2,5 кВ
КорпусTO-220F-6L

Мікросхема HA13164A ( HA13164 , HA13164AH )

Немає в наявності

131,60 ₴
ПараметрЗначення
Призначеннябагатоканальний стабілізатор напруги для автомобільної аудіосистеми
КорпусHSIP-15 (SP-15TGV), 15 виводів
Кількість виводів15 шт
Робоча напруга Vcc (макс.)18 В (Ta 25 °C; рекомендовано 10–16 В)
Напруга живлення DC (макс.)26 В (не довше 30 с)
Пікова напруга Vcc50 В (імпульс перенапруги)
Вихід VDD OUT5.7 В (Io = 80 мА, Vcc = 13.2 В, Ta 25 °C)
Вихід CD OUT8.0 В (Io = 1.0 А, Vcc = 13.2 В, Ta 25 °C)
Вихід AUDIO OUT9.0 В (Io = 400 мА, Vcc = 13.2 В, Ta 25 °C)
Вихід ILM OUT9.85 В (Io = 400 мА, Vcc = 13.2 В, Ta 25 °C)
Вихід SW5V OUT5.0 В (Io = 80 мА, Vcc = 13.2 В, Ta 25 °C)
Вихід ACC5.0 В (Io = 40 мА, Vcc = 13.2 В, Ta 25 °C)
Розсіювана потужність36 Вт (Ta 25 °C, радіатор необмеженої площі)
Макс. температура переходу150 °C
Робоча температура–40…+85 °C