Біполярні транзистори

2SC2061 транзистор NPN TO-92L, фото маркування

Немає в наявності

31,49 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор–емітер Vceo	80 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo	80 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	700 мА (Ta 25 °C; імпульсний 1 А, Pw 20 мс, скважність 1/2)
Потужність розсіювання Pc	750 мВт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	125 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	82–390 (Vce 3 В, Ic 100 мА; ранги P 82–180, Q 120–270, R 180–390)
Напруга насичення Vce(sat)	0.4 В (макс., тип. 0,2 В, Ic 500 мА, Ib 50 мА)
Гранична частота fT	120 МГц (тип., Vce 10 В, Ie −50 мА)
Вихідна ємність Cob	10 пФ (тип., макс. 15, Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц)
Корпус	TO-92L

2SC2073 транзистор NPN TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SC2073

Немає в наявності

35,25 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор–емітер Vceo	150 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo	150 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	5.0 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	1.5 А (постійний, Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	25 Вт (Tc 25 °C; 2,0 Вт при Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	40–140 (тип. 75, Vce 10 В, Ic 500 мА)
Напруга насичення Vce(sat)	1.5 В (макс., Ic 500 мА, Ib 50 мА)
Гранична частота fT	4.0 МГц (тип., Vce 10 В, Ic 500 мА)
Вихідна ємність Cob	35 пФ (тип., Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц)
Корпус	TO-220

2SC2073 транзистор TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SC2073 оригінал

Немає в наявності

58,75 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, кремнієвий
Напруга колектор–база Vcbo	150 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo	150 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	5,0 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	1,5 А (Ta 25 °C)
Струм бази Ib	0,5 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	2,0 Вт (Ta 25 °C); 25 Вт (Tc 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE	40–140, тип. 75 (Vce 10 В, Ic 500 мА)
Напруга насичення Vce(sat)	макс. 1,5 В (Ic 500 мА, Ib 50 мА)
Гранична частота fT	тип. 4,0 МГц (Vce 10 В, Ic 500 мА)
Вихідна ємність Cob	тип. 35 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1,0 МГц)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

2SC2078 транзистор NPN TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SC2078

Немає в наявності

21,62 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Корпус	TO-220
Напруга колектор–база Vcbo	80 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vcer	75 В (Rbe 150 Ом, Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	3 А (постійний, Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icm	5 А
Потужність розсіювання Pc	1.2 Вт (Ta 25 °C); 10 Вт (Tc 50 °C)
Температура переходу Tj max	150 °C
Напруга насичення Vce(sat)	0.6 В макс. (Ic 1 А, Ib 0.1 А)
Коефіцієнт підсилення hFE	25–200 (Ic 500 мА, Vce 5 В; групи B/C/D/E)
Гранична частота fT	100 МГц мін. (Ic 500 мА, Vce 10 В)
Вихідна ємність Cob	60 пФ макс. (Vcb 10 В, f 1 МГц)
Вихідна потужність Po	4.0 Вт мін. (Vcc 12 В, Pin 0.2 Вт, f 27 МГц)

2SC2229 транзистор NPN TO-92MOD, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SC2229

Немає в наявності

11,75 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Корпус	TO-92MOD
Напруга колектор–база Vcbo	200 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo	150 В мін. (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	50 мА (Ta 25 °C)
Струм бази Ib	20 мА (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	800 мВт (Ta 25 °C)
Температура переходу Tj max	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	70–240 (Vce 5 В, Ic 10 мА; O 70–140, Y 120–240)
Напруга насичення Vce(sat)	0.5 В макс. (Ic 10 мА, Ib 1 мА)
Гранична частота fT	120 МГц тип. (Vce 30 В, Ic 10 мА)
Вихідна ємність Cob	5 пФ макс. (тип. 3.5; Vcb 10 В, f 1 МГц)

2SC2240 транзистор NPN TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SC2240

Немає в наявності

16,45 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Корпус	TO-92
Напруга колектор–база Vcbo	120 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo	120 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	5.0 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	100 мА (постійний, Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	300 мВт (Ta 25 °C)
Температура переходу Tj max	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	200–700 (Vce 6 В, Ic 2 мА; GR 200–400, BL 350–700)
Напруга насичення Vce(sat)	0.1 В (Ic 10 мА, Ib 1 мА)

2SC2335 транзистор TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SC2335 (400V,7A,40W) , TO220 ( 2SC3309 , 2SC4160 , 2SC4161 )

Немає в наявності

33,84 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, кремнієвий потужний
Напруга колектор–емітер Vceo	400 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo	500 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	7.0 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	7.0 А (постійний, Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icm	15 А
Струм бази Ib	3.5 А (постійний)
Потужність розсіювання Pc	40 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj max	150 °C
Тепловий опір перехід–корпус	3.125 °C/Вт (макс.)
Напруга насичення Vce(sat)	1.0 В (макс., Ic 3 А, Ib 0.6 А)
Коефіцієнт підсилення hFE	20–80 (Ic 1 А, Vce 5 В; групи M 20–40, L 30–60, K 40–80)
Час спаду tf	1.0 мкс (макс., Ic 3 А, Rl 50 Ом, Ib1 = –Ib2 = 0.6 А, Vcc 150 В)
Корпус	TO-220

2SC2688 транзистор TO-126, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SC2688 (300V-0,2A-10W)

Немає в наявності

21,15 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор–емітер Vceo	300 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo	300 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	200 мА (постійний, Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	1.25 Вт (Ta 25 °C)
Температура переходу Tj max	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	40–250 (Vce 10 В, Ic 10 мА; N 40–80, M 60–120, L 100–200, K 160–250)
Напруга насичення Vce(sat)	0.5 В (макс., Ic 50 мА, Ib 5 мА)
Гранична частота fT	50 МГц (мін., Vce 30 В, Ic 10 мА)
Корпус	SOT-32 (TO-126)

2SC3203 транзистор TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SC3203 (KTC3203)

Немає в наявності

11,28 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, епітаксіально-планарний, кремній
Напруга колектор–емітер Vceo	30 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo	35 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	800 мА (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Ptot	600 мВт (Ta 25 °C)
Температура переходу Tj max	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	100–200 (O); 160–320 (Y) (Vce 1 В, Ic 100 мА)
hFE (мінімум)	35 (Vce 1 В, Ic 700 мА)
Напруга насичення Vce(sat)	0.5 В (макс., Ic 500 мА, Ib 20 мА)
Гранична частота fT	120 МГц (typ, Vce 5 В, Ic 10 мА)
Вихідна ємність Cob	13 пФ (typ, Vcb 10 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-92

2SC3320 транзистор TO-3P, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SC3320 оригінал , TO-3P

Немає в наявності

85,54 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	OSEN
Напруга колектор–емітер Vceo	400 В (Tc 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo	700 В (Tc 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	9 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic	15 А (Tc 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	80 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
hFE	20–35 (Ic 2 А, Vce 5 В)
Vce(sat)	0.3 В typ, 1.0 В макс. (Ic 5 А, Ib 1 А)
Гранична частота fT	від 4 МГц (Vce 10 В, Ic 0.5 А, f 1 МГц)
Корпус	TO-3P
Стан	Оригінал

2SC3866 транзистор TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SC3866

Немає в наявності

68,62 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	SPTECH
Напруга колектор–емітер Vceo	800 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo	900 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	10 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	3 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	40 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
hFE	не менше 10 (Ic 1 А, Vce 5 В)
Vce(sat)	не більше 1.0 В (Ic 1 А, Ib 0.2 А)
Корпус	TO-220F

2SC4204 транзистор TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SC4204

Немає в наявності

18,80 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	Sanyo
Напруга колектор–емітер Vceo	25 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo	30 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	15 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	0.7 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icp	1.5 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	0.6 Вт (Ta 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
hFE1	800–3200, typ 1500 (Vce 5 В, Ic 50 мА)
hFE2	від 600 (Vce 5 В, Ic 500 мА)
Vce(sat)	0.15 В typ, 0.50 В макс. (Ic 500 мА, Ib 10 мА)
Гранична частота fT	270 МГц typ (Vce 10 В, Ic 50 мА)
Вихідна ємність Cob	9 пФ typ (Vcb 10 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-92

2SC4458 транзистор TO-3PML, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SC4458 , TO-3PML оригінал

Немає в наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vcbo	800 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo	7 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	7 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм Icp	14 А (PW ≤ 300 мкс, шпаруватість ≤ 10 %)
Потужність Pc	45 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE1	15–50 (Vce 5 В, Ic 0.6 А)
Напруга насичення Vce(sat)	1 В макс. (Ic 3 А, Ib 0.6 А)
Гранична частота fT	18 МГц (Vce 10 В, Ic 0.6 А)
Корпус	TO-3PML
Виробник	Sanyo
Стан	Оригінал

2SC4804 транзистор ITO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SC4804

Немає в наявності

70,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vcbo	900 В (емітер розімкнений, Ta 25 °C)
Напруга Vceo	600 В (база розімкнена, Ta 25 °C)
Напруга Vebo	7 В (колектор розімкнений)
Струм колектора Ic	3 А (постійний)
Імпульсний струм Icm	5 А
Потужність Pd	30 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj max	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	10 мін. (Ic 0,8 А, Vce 5 В)
Напруга насичення Vce(sat)	0,6 В макс. (Ic 0,8 А, Ib 0,16 А, Tj 25 °C)
Корпус	TO-220F
Виробник	SavantIC

2SC5144 транзистор TO-264, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SC5144 , TO264

Немає в наявності

62,98 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vcbo	1700 В (Ta 25 °C)
Напруга Vceo	600 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo	5 В
Струм колектора Ic	20 А (постійний)
Імпульсний струм Icm	40 А
Потужність Pc	200 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj max	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	10–30 (Ic 2 А, Vce 5 В)
hFE при великому струмі	4,5 мін. (Ic 11 А, Vce 5 В)
Напруга насичення Vce(sat)	3,0 В макс. (Ic 11 А, Ib 2,75 А, Tc 25 °C)
Корпус	TO-264

2SC5253 транзистор TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SC5253, TO220F

Немає в наявності

98,23 ₴

Параметр	Значення
Корпус	TO-220F
Тип	Біполярний транзистор

2SC5386 транзистор Toshiba 2-16E3A, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SC5386 оригінал (без R и без VD)

Немає в наявності

78,49 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	Toshiba
Напруга колектор–база Vcbo	1500 В (Tc 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo	600 В (Tc 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	5 В
Струм колектора Ic	8 А (постійний)
Імпульсний струм колектора Icp	16 А
Потужність розсіювання Pc	50 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj max	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	15–35 (Ic 1 А, Vce 5 В)
Напруга насичення Vce(sat)	3 В (максимум, Ic 6 А, Ib 1,5 А)
Гранична частота fT	1,7 МГц (Vce 10 В, Ic 0,1 А)
Вихідна ємність Cob	105 пФ (Vcb 10 В, f 1 МГц)
Корпус	TOSHIBA 2-16E3A
Стан	Оригінал

2SC5411 транзистор Toshiba 2-16E3A, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SC5411 оригінал

Немає в наявності

72,85 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	Toshiba
Напруга колектор–база Vcbo	1500 В (Tc 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo	600 В (Tc 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	5 В
Струм колектора Ic	14 А (постійний)
Імпульсний струм колектора Icp	28 А
Потужність розсіювання Pc	60 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj max	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	10–40 (Ic 2 А, Vce 5 В)
Напруга насичення Vce(sat)	3 В (максимум, Ic 11 А, Ib 2,75 А)
Гранична частота fT	2 МГц (Vce 10 В, Ic 0,1 А)
Вихідна ємність Cob	190 пФ (Vcb 10 В, f 1 МГц)
Корпус	TOSHIBA 2-16E3A
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SC5696

Немає в наявності

63,92 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	800 В (Ta 25 °C)
Напруга Vcbo	1600 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo	5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	12 А (постійний, Ta 25 °C)
Потужність Pd	85 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Напруга насичення Vce(sat)	макс. 3 В (Ic 7.2 А, Ib 1.8 А, Tc 25 °C)
Напруга Vbe(sat)	макс. 1.8 В (Ic 7.2 А, Ib 1.8 А, Tc 25 °C)
Коефіцієнт hFE	3–11 (Ic 1 А, Vce 5 В, Tc 25 °C)
Коефіцієнт hFE (друга точка)	4–7 (Ic 8 А, Vce 5 В, Tc 25 °C)
Струм Icbo	макс. 100 мкА (Vcb 1500 В, Ie 0, Tc 25 °C)
Вбудований демпферний діод	є

2SC5698 транзистор NPN TO-3PMLH, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SC5698

Немає в наявності

139,12 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	800 В (Ta 25 °C)
Напруга Vcbo	1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo	5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	8 А (постійний, Ta 25 °C)
Потужність Pd	65 Вт (Tc 25 °C; 3 Вт при Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Напруга насичення Vce(sat)	макс. 3 В (Ic 4.5 А, Ib 1.13 А, Ta 25 °C)
Напруга Vbe(sat)	макс. 1.5 В (Ic 4.5 А, Ib 1.13 А, Ta 25 °C)
Коефіцієнт hFE	4–7 (Ic 5 А, Vce 5 В, Ta 25 °C)
Час розсмоктування tstg	3.0 мкс (Ic 3 А, Ib1 0.6 А, Ib2 –1.2 А)
Час спаду tf	0.2 мкс (Ic 3 А, Ib1 0.6 А, Ib2 –1.2 А)
Пряма напруга демпферного діода Vf	макс. 2 В (Iec 6.5 А)
Вбудований демпферний діод	є
Корпус	TO-3PMLH

2SC5793 транзистор TO-3PML, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SC5793 оригінал , TO-3PML

Немає в наявності

244,87 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор–база Vcbo	1600 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo	800 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	20 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icp	40 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	95 Вт (Tc 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE1	мін. 10 (Vce 5 В, Ic 1 А)
Напруга насичення Vce(sat)	макс. 3 В (Ic 13,5 А, Ib 3,4 А)
Час спаду tf	макс. 0,2 мкс (Ic 10 А, Ib1 1,6 А, Ib2 –5 А)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-3PML
Стан	Оригінал

2SC5905 транзистор NPN TOP-3E-A1, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SC5905 оригінал демонтаж

Немає в наявності

106,22 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	600 В (база розімкнена, Tc 25 °C)
Напруга Vces	1700 В (E-B закорочені, Tc 25 °C)
Напруга Vcbo	1700 В (Tc 25 °C)
Напруга Vebo	7 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic	20 А (постійний, Tc 25 °C)
Потужність Pd	70 Вт (Tc 25 °C; 3.5 Вт при Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт hFE	5–12 (Ic 10 А, Vce 5 В)
Напруга насичення Vce(sat)	макс. 3 В (Ic 10 А, Ib 2.5 А)
Напруга Vbe(sat)	макс. 1.5 В (Ic 10 А, Ib 2.5 А)
Гранична частота fT	мін. 3 МГц (Vce 10 В, Ic 0.1 А, f 0.5 МГц)
Час розсмоктування tstg	макс. 3.0 мкс (Ic 10 А, Ib1 2.5 А, Ib2 –5.0 А, резистивне навантаження)
Час спаду tf	макс. 0.2 мкс (Ic 10 А, Ib1 2.5 А, Ib2 –5.0 А)
Корпус	TOP-3E-A1
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD1175 оригінал демонтаж

Немає в наявності

94,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vcbo	1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vces	1500 В (Vbe 0, Ta 25 °C)
Напруга Vebo	5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	5 А (постійний, Ta 25 °C)
Потужність Pd	100 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	130 °C
Напруга насичення Vce(sat)	макс. 6,0 В (Ic 5,0 А; Ib 1,0 А; Tc 25 °C)
Напруга Vbe(sat)	макс. 1,5 В (Ic 5,0 А; Ib 1,0 А; Tc 25 °C)
Коефіцієнт hFE	6–20 (Ic 5 А; Vce 10 В; Tc 25 °C)
Пряма напруга діода C-E	макс. 2,5 В (If 5 А; Tc 25 °C)
Час розсмоктування tstg	макс. 12 мкс (Ic 5 А; Ib1 = Ib2 = 1 А)
Час спаду tf	макс. 0,7 мкс (Ic 5 А; Ib1 = Ib2 = 1 А)
Вбудований демпферний діод	є
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

2SD1616 транзистор NPN TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD1616 ( 2SD1616A ) , to92

Немає в наявності

10,34 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vcbo	120 В (Ta 25 °C)
Напруга Vceo	60 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo	6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	1 А (постійний, Ta 25 °C)
Потужність Pd	750 мВт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт hFE	135–600 (Ic 100 мА; Vce 2 В; групи L 135–270, K 200–400, U 300–600)
Коефіцієнт hFE (Ic 1 А)	мін. 81 (Vce 2 В)
Напруга насичення Vce(sat)	макс. 0,3 В (Ic 1 А; Ib 50 мА)
Напруга Vbe(sat)	макс. 1,2 В (Ic 1 А; Ib 50 мА)
Гранична частота fT	мін. 100 МГц (Vce 2 В; Ic 100 мА)
Вихідна ємність Cob	макс. 19 пФ (Vcb 10 В; Ie 0; f 1 МГц)
Корпус	TO-92

2SD1651 транзистор NPN TO-3PML, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD1651 (2SD1651C) оригінал

Немає в наявності

72,38 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN (кремнієвий, вбудований демпферний діод)
Напруга колектор–база Vcbo	1500 В (емітер відкритий)
Напруга колектор–емітер Vceo	800 В (база відкрита)
Напруга емітер–база Vebo	6 В (колектор відкритий)
Струм колектора Ic	5 А (Tc 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	60 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Напруга насичення Vbe(sat)	макс. 1,5 В (Ic 4 А, Ib 0,8 А; Tj 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE	мін. 8 (Ic 1 А, Vce 5 В)
Пряма напруга демпферного діода Vf	2,0 В (If 5 А)
Корпус	TO-3PML
Стан	Оригінал

2SD1804 транзистор D-Pak, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD1804 (50V,8A,20W) , D-Pak

Немає в наявності

26,32 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор–база Vcbo	60 В (Tc 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo	50 В (Tc 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	6 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic	5 А (постійний; Tc 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icp	8 А (Tc 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	20 Вт (Tc 25 °C; у повітрі 1,0 Вт)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	70–400 (Vce 2 В, Ic 0,5 А)
Напруга насичення Vce(sat)	0,4 В макс. (Ic 3 А, Ib 0,15 А)
Напруга насичення Vbe(sat)	1,3 В макс. (Ic 3 А, Ib 0,15 А)
Гранична частота fT	180 МГц (Vce 5 В, Ic 1 А)
Вихідна ємність Cob	40 пФ (Vcb 10 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-252 (D-PAK)

2SD1853 транзистор TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD1853

Немає в наявності

32,90 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, Дарлінгтон
Виробник	Sanyo
Напруга колектор–база Vcbo	80 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo	60 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	1,5 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icp	3 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	0,7 Вт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	1000 мін. (Vce 2 В, Ic 0,5 А)
Напруга насичення Vce(sat)	1,5 В макс. (Ic 1 А, Ib 2 мА)
Напруга насичення Vbe(sat)	2,0 В макс. (Ic 1 А, Ib 2 мА)
Корпус	TO-92

2SD1878 транзистор TO-3PML, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD1878 оригінал

Немає в наявності

45,59 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, вбудований демпферний діод
Виробник	Sanyo
Напруга колектор–база Vcbo	1500 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo	800 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	5 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icp	20 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	60 Вт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Напруга насичення Vce(sat)	5 В макс. (Ic 4 А, Ib 0.8 А)
Напруга насичення Vbe(sat)	1.5 В макс. (Ic 4 А, Ib 0.8 А)
Коефіцієнт підсилення hFE	8 мін. (Vce 5 В, Ic 1 А)
Пряма напруга демпферного діода Vf	2.0 В (If 5 А)
Час спаду tf	0.1 мкс тип. (Ic 4 А, Ib1 0.8 А, Ib2 –1.6 А)
Корпус	TO-3PML
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD1880

Немає в наявності

65,33 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	Sanyo
Корпус	TO-3PML
Напруга Vcbo	1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vceo	800 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo	6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	8 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм Icp	30 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc	70 Вт (Ta 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
Vce(sat)	5 В макс. (Ic 6 А, Ib 1.2 А)
Vbe(sat)	1.5 В макс. (Ic 6 А, Ib 1.2 А)
hFE	8 мін. (Vce 5 В, Ic 1 А)
Vf демпферного діода	2.0 В (If 8 А)
Час спаду tf	0.1 мкс тип. (макс. 0.3 мкс)

2SD1886 транзистор TO-3PML, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD1886 оригінал

Немає в наявності

55,46 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Корпус	TO-3PML
Напруга Vcbo	1500 В (емітер розімкнений)
Напруга Vceo	800 В (база розімкнена)
Напруга Vebo	6 В (колектор розімкнений)
Струм колектора Ic	8 А
Імпульсний струм Icm	30 А
Потужність Pc	70 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
Vce(sat)	5 В макс. (Ic 6 А, Ib 1,2 А, Tj 25 °C)
hFE (1)	8 мін. (Ic 1 А, Vce 5 В)
hFE (2)	5–10 (Ic 6 А, Vce 5 В)
Час спаду tf	0,3 мкс макс. (тип. 0,1 мкс)
Стан	Оригінал

2SD2058 транзистор TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD2058 (60V,3A,25W) , TO220F

Немає в наявності

32,90 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Корпус	TO-220F
Напруга Vcbo	60 В (емітер розімкнений)
Напруга Vceo	60 В (база розімкнена)
Напруга Vebo	7 В (колектор розімкнений)
Струм колектора Ic	3 А
Струм бази Ib	0,5 А
Потужність Pc	25 Вт (Tc 25 °C)
Потужність Pc (Ta)	1,5 Вт (Ta 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
Vce(sat)	1,5 В макс. (Ic 2 А, Ib 0,2 А, Tj 25 °C)
hFE	60 мін. (Ic 0,5 А, Vce 5 В)
Гранична частота fT	3,0 МГц (Ic 0,5 А, Vce 5 В)
Вихідна ємність Cob	35 пФ (f 1 МГц, Vcb 10 В)

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD2058 (60V,3A,25W) , TO220F демонтаж

Немає в наявності

25,85 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор–база Vcbo	60 В (емітер розімкнений)
Напруга колектор–емітер Vceo	60 В (база розімкнена)
Напруга емітер–база Vebo	7 В (колектор розімкнений)
Струм колектора Ic	3 А
Струм бази Ib	0,5 А
Потужність розсіювання Pc	25 Вт (Tc 25 °C)
Потужність розсіювання Pc (на повітрі)	1,5 Вт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	мін. 60 (Ic 0,5 А, Vce 5 В)
Корпус	TO-220F
Стан	Демонтаж б/в

2SD2092 транзистор SC-67, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD2092 оригінал

Немає в наявності

34,78 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, епітаксіальний кремнієвий
Напруга колектор–база Vcbo	100 В (Tc 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo	100 В (Tc 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	7 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic	3 А (постійний, Tc 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icp	5 А (Tc 25 °C)
Струм бази Ib	1 А (Tc 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	25 Вт (Tc 25 °C)
Потужність розсіювання Pc (на повітрі)	2,0 Вт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	500–1500 (Vce 1 В, Ic 0,5 А)
Напруга насичення Vce(sat)	0,3 В макс. (Ic 1 А, Ib 10 мА)
Напруга насичення Vbe(sat)	1,2 В макс. (Ic 1 А, Ib 10 мА)
Гранична частота fT	140 МГц тип. (Vce 5 В, Ic 0,5 А)
Вихідна ємність Cob	30 пФ тип. (Vcb 10 В, f 1 МГц)
Корпус	SC-67 (TOSHIBA 2-10R1A)
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD2333

Немає в наявності

71,91 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор–база Vcbo	1500 В
Напруга колектор–емітер Vceo	600 В
Напруга емітер–база Vebo	5 В
Струм колектора Ic	5 А (постійний)
Струм бази Ib	2,5 А (постійний)
Потужність розсіювання Pc	80 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Напруга насичення Vce(sat)	5,0 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А, Tc 25 °C)
Напруга насичення Vbe(sat)	1,5 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А)
Коефіцієнт підсилення hFE	8–30 (Ic 0,5 А, Vce 5 В)
Пряма напруга демпферного діода Vecf	2,0 В макс. (If 5 А)
Час спаду tf	1,0 мкс макс. (Icp 4 А, Ib1(end) 0,8 А)
Вбудований демпферний діод	є

2SD2396 транзистор TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD2396 (60V,3A),TO220F

Немає в наявності

48,41 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, Дарлінгтон
Напруга колектор-емітер Vceo	60 В (Ic 1 мА, Ib 0)
Напруга колектор-база Vcbo	80 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер-база Vebo	6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	3 А (Ta 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE	400–2000 (Vce 4 В, Ic 0,5 А)
Напруга насичення Vce(sat)	0,8 В макс. (Ic 2 А, Ib 50 мА)
Напруга насичення Vbe(sat)	1,5 В макс. (Ic 2 А, Ib 50 мА)
Потужність розсіювання Pd	2 Вт (Ta 25 °C)
Гранична частота fT	40 МГц (Vce 5 В, Ic 0,2 А, f 10 МГц)
Вихідна ємність Cob	55 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц)
Температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-220F

2SD2499 транзистор Toshiba, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD2499 оригінал демонтаж

Немає в наявності

64,39 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	Toshiba
Напруга колектор-емітер Vceo	600 В (Tc 25 °C)
Напруга колектор-база Vcbo	1500 В (Tc 25 °C)
Напруга емітер-база Vebo	5 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic	6 А (DC, Tc 25 °C; імпульсний Icp 12 А)
Коефіцієнт підсилення hFE	8–25 (Vce 5 В, Ic 1 А)
Напруга насичення Vce(sat)	5 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А)
Напруга насичення Vbe(sat)	1,3 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А)
Пряма напруга демпферного діода Vf	2,0 В макс. (If 6 А)
Потужність розсіювання Pd	50 Вт (Tc 25 °C)
Гранична частота fT	2 МГц (Vce 10 В, Ic 0,1 А)
Вихідна ємність Cob	95 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц)
Температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TOSHIBA 2-16E3A
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

2SD2553 транзистор Toshiba, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD2553 оригінал

Немає в наявності

45,12 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	Toshiba
Напруга колектор-емітер Vceo	600 В (Tc 25 °C)
Напруга колектор-база Vcbo	1700 В (Tc 25 °C)
Напруга емітер-база Vebo	5 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic	8 А (DC, Tc 25 °C; імпульсний Icp 16 А)
Коефіцієнт підсилення hFE	8–28 (Vce 5 В, Ic 1 А)
Напруга насичення Vce(sat)	5 В макс. (Ic 6 А, Ib 1,2 А)
Напруга насичення Vbe(sat)	1,2 В макс. (Ic 6 А, Ib 1,2 А)
Пряма напруга демпферного діода Vf	2,0 В макс. (If 8 А)
Потужність розсіювання Pd	50 Вт (Tc 25 °C)
Гранична частота fT	2 МГц (Vce 10 В, Ic 0,1 А)
Вихідна ємність Cob	155 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц)
Температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TOSHIBA 2-16E3A
Стан	Оригінал

2SD2560+2SB1647 транзистори, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD2560+2SB1647 оригінали демонтаж

Немає в наявності

143,82 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, Darlington (2SD2560)
Виробник	Sanken
Напруга Vceo	150 В (мін. при Ic = 30 мА)
Напруга Vcbo	150 В
Напруга Vebo	5 В
Струм колектора Ic	15 А
Коефіцієнт підсилення hFE	5000 (мін., Vce = 4 В, Ic = 10 А)
Напруга насичення Vce(sat)	2,5 В (макс., Ic = 10 А, Ib = 10 мА)
Потужність Pd	130 Вт (Tc 25 °C)
Гранична частота fT	70 МГц (тип., Vce = 12 В, Ie = –2 А)
Вихідна ємність Cob	120 пФ (тип., Vcb = 10 В, f = 1 МГц)
Температура переходу Tj	150 °C
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

2SD2578 транзистор TO-3PML, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD2578 оригінал

Немає в наявності

94,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	Sanyo
Корпус	TO-3PML
Напруга Vceo	800 В (мін. при Ic = 100 мА, Ib = 0)
Напруга Vcbo	1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo	6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	8 А (Ta 25 °C; імпульсний Icp 20 А)
Коефіцієнт підсилення hFE	15–30 (Vce = 5 В, Ic = 1 А)
Напруга насичення Vce(sat)	5 В (макс., Ic = 5 А, Ib = 1 А)
Напруга насичення Vbe(sat)	1,5 В (макс., Ic = 5 А, Ib = 1 А)
Потужність Pd	60 Вт (Tc 25 °C)
Час спаду tf	0,3 мкс (макс., Ic = 4 А, Ib1 = 0,8 А, Ib2 = –1,6 А)
Температура переходу Tj	150 °C
Стан	Оригінал

2SD2599 транзистор 2-16E3A, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD2599

Немає в наявності

94,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	Toshiba
Корпус	TOSHIBA 2-16E3A
Напруга Vcbo	1500 В (Tc 25 °C)
Напруга Vceo	600 В (Tc 25 °C)
Напруга Vebo	5 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic (DC)	3,5 А (Tc 25 °C)
Струм колектора імпульсний Icp	7 А (Tc 25 °C)
Потужність Pc	40 Вт (Tc 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE	8–25 (Vce 5 В, Ic 0,5 А)
Напруга насичення Vce(sat)	5 В тип., 8 В макс. (Ic 3 А, Ib 0,8 А)
Гранична частота fT	3 МГц (Vce 10 В, Ic 0,1 А)
Температура переходу Tj	150 °C

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Біполярні транзистори