Біполярні транзистори

Показано 81–120 із 364

Показати 20 40 80

Транзистор 2SC4460 оригінал

В наявності

79,90 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo500 В
Напруга Vcbo800 В
Струм Ic15 А (Ta 25 °C)
Pc55 Вт (Tc 25 °C)
hFE15–50 (VCE=5 В, IC=1,2 А)
Vce(sat)1,0 В (макс., IC=6 А, IB=1,2 А)
fT18 МГц (тип.)
Tj150 °C
КорпусTO-3PML
ВиробникSANYO
СтанОригінал

Транзистор 2SC4467

В наявності

110,45 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo120 В (Ic 50 мА, Ib 0)
Струм колектора Ic8 А (постійний, Tc 25 °C)
Потужність Pd80 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
hFE50–180 при Ic 3 А, Vce 4 В
Vce(sat)1,5 В (макс.) при Ic 3 А, Ib 0,3 А
fT20 МГц (тип.) при Ic 0,5 А, Vce 12 В
Cob200 пФ (тип.) при Vcb 10 В, f 1 МГц
КорпусTO-3P
Корпус (докладно)TO-3P(N)

Транзистор 2SC4672 (надпись DK)(50V,3A,2W,Uкэsat=0,1V)

В наявності

23,97 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo50 В
Напруга Vcbo60 В
Струм Ic2 А (постійний, Ta 25 °C)
Pd500 мВт (Ta 25 °C)
hFE82–390 (IC=0,5 А, VCE=2 В)
Vce(sat)0,35 В (макс., IC=1 А, IB=50 мА)
fT210 МГц (тип.)
Tj150 °C
КорпусSOT-89
ВиробникZhuhai Hongjiacheng (HJC)

Транзистор 2SC4706 оригінал демонтаж

В наявності

85,54 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo600 В
Напруга Vcbo900 В
Струм Ic14 А (постійний; імпульс 28 А)
Pc130 Вт (Tc 25 °C)
hFE10–25 (IC=7 А, VCE=4 В)
Vce(sat)0,5 В (макс., IC=7 А, IB=1,4 А)
fT6 МГц (IE=−1,5 А, VCE=12 В)
Tj150 °C
ВиробникSPTECH
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SC4793 + 2SA1837 ( KTC4793 + KTA1837 , C4793 + A1837 ) оригінали, TO220F

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
Типкомплементарна пара NPN (2SC4793) + PNP (2SA1837)
КорпусTO-220F
Vceo (2SC4793)230 В, Tc 25 °C
Vcbo (2SC4793)230 В, Tc 25 °C
Vebo (2SC4793)5 В, Tc 25 °C
Ic (2SC4793)1 А, Tc 25 °C
Pc (2SC4793)20 Вт, Tc 25 °C
Tj макс. (2SC4793)150 °C
hFE (2SC4793)100–320, VCE 5 В, IC 100 мА
fT (2SC4793)100 МГц (тип.), VCE 10 В, IC 100 мА
СтанОригінал

Транзистор 2SC4924 оригінал

В наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSANYO
Напруга Vcbo1500 В
Напруга Vceo800 В
Напруга Vebo6 В
Струм колектора Ic10 А (постійний)
Імпульсний струм колектора25 А
Потужність Pc70 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
hFEвід 8 (VCE 5 В, IC 1 А)
Час спаду tf0,1 мкс тип. (IC 6 А, IB1 1,2 А, IB2 -2,4 А)
КорпусTO-3PML
СтанОригінал

Транзистор 2SC4927

В наявності

128,31 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vces1500 В
Струм колектора Ic8 А (постійний; імпульс 9 А)
Потужність Pd50 Вт
Напруга насичення Vce(sat)5 В (макс., Ic 6 А, Ib 1,2 А)
Напруга Vebo6 В
Демпферний діодє (If 8 А, Vf макс. 2,0 В)
КорпусTO-3PFM
ВиробникHitachi

Транзистор 2SC5129

В наявності

85,07 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo600 В
Напруга Vcbo1500 В
Струм колектора Ic10 А (постійний; імпульс 20 А)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE10–30 (Ic 1 А, Vce 5 В); при Ic 6 А: 4–8
Напруга насичення Vce(sat)3,0 В (макс., Ic 6 А, Ib 1,5 А)
Гранична частота fT1,7 МГц (Ic 0,1 А, Vce 10 В)
Час спаду tf0,3 мкс (макс., Icp 5 А, Ib1 1 А, 64 кГц)
Tj max150 °C
КорпусTO-3P(H)IS
ВиробникSavantIC

Транзистор 2SC5148 оригінал демонтаж

В наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN, кремнієвий triple diffused mesa
Напруга колектор-база Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор-емітер Vceo600 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic (DC)8 А (Ta 25 °C)
Струм колектора імпульсний Icp16 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc50 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj max150 °C
Напруга насичення Vce(sat)5 В макс. (Ic 5 А, Ib 1,3 А)
Коефіцієнт підсилення hFE(1)8–25 (Vce 5 В, Ic 1 А)
Гранична частота fT2 МГц тип. (Vce 10 В, Ic 0,1 А)
КорпусTOSHIBA 2-16E3A
Корпус (докладно)Toshiba 2-16E3A (пластик, ізольований радіатор)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SC5241 , TO220F

В наявності

50,76 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга колектор-база Vcbo600 В
Напруга колектор-емітер Vceo450 В
Напруга емітер-база Vebo7 В
Струм колектора Ic (DC)5 А
Струм колектора імпульсний Icp10 А
Струм бази Ib2 А
Потужність розсіювання Pt30 Вт
Температура переходу Tj150 °C
Напруга насичення Vce(sat)1,0 В макс. (Ic 2,5 А, Ib 0,5 А, Tc 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE10 мін. (Vce 5 В, Ic 2,5 А, Tc 25 °C)
Гранична частота fT20 МГц тип. (Vce 10 В, Ic 0,5 А, Tc 25 °C)
Тепловий опір перехід-корпус4,16 °C/Вт макс.
КорпусTO-220F

Транзистор 2SC5249

В наявності

80,84 ₴
ПараметрЗначення
Напруга колектор-емітер Vceo600 В
Струм колектора Ic3 А
Потужність розсіювання Pc35 Вт
КорпусTO-220F

Транзистор 2SC5296 оригінал ( заміна для 2SD5296 , 2SC5250 )

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo800 В (Ta 25 °C; Ic 10 мА, Ib 0)
Напруга Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic8 А (Ta 25 °C)
Струм колектора імпульсний Icp16 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc60 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj max150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE15–40 (Ic 1 А, Vce 5 В, Tc 25 °C)
Демпферний діодтак
КорпусTO-3PML
СтанОригінал

Транзистор 2SC5586 оригінал

В наявності

57,81 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo550 В (Ic 30 мА)
Напруга Vcbo900 В
Струм колектора Ic5 А (постійний)
Потужність Pd70 Вт (Tc 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE10–40 (Ic 1,8 А, Vce 4 В)
Напруга насичення Vce(sat)0,5 В (макс., Ic 1,8 А, Ib 0,36 А)
Tj max150 °C
ВиробникInchange Semiconductor (ISC)
СтанОригінал

Транзистор 2SC5706 smd

В наявності

26,79 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Виробникonsemi (Sanyo)
Напруга Vceo50 В (Ic 1 мА, Rbe = ∞)
Напруга Vces100 В (Ic 100 мкА, Rbe 0)
Напруга Vcbo100 В
Напруга Vebo6 В
Струм колектора Ic5 А
Струм колектора імпульсний Icp7,5 А
Коефіцієнт підсилення hFE200–560 (Vce 2 В, Ic 500 мА)
Гранична частота fT400 МГц, тип. (Vce 10 В, Ic 500 мА)
Vce(sat)90 мВ тип., 135 мВ макс. (Ic 1 А, Ib 50 мА)
Вихідна ємність Cob15 пФ, тип. (Vcb 10 В, f 1 МГц)
КорпусTP-FA (smd)

Транзистор 2SC5707 , ТО252

В наявності

23,50 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Виробникonsemi (ex-SANYO)
Напруга Vceo50 В
Напруга Vcbo100 В
Струм колектора Ic8 А (імпульсний Icp 11 А)
Коефіцієнт підсилення hFE200–560 (VCE 2 В, IC 500 мА)
Гранична частота fT330 МГц (тип.) (VCE 10 В, IC 500 мА)
Вихідна ємність Cob28 пФ (тип.) (VCB 10 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-252 (D-PAK)

Транзистор 2SC5793 оригінал демонтаж , TO-3PML

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSANYO
Напруга Vcbo1600 В
Напруга Vceo800 В
Напруга Vebo5 В
Струм колектора Ic20 А (імпульсний Icp 40 А)
Потужність розсіювання Pd95 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Час спаду tf0,2 мкс (макс.) (IC 10 А, IB1 1,6 А, IB2 –5 А)
Напруга насичення Vbe(sat)1,5 В (макс.) (IC 13,5 А, IB 3,4 А)
КорпусTO-3PML
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SC5802D

В наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vcbo1500 В (емітер розімкнений)
Напруга Vceo800 В (база розімкнена)
Напруга Vebo6 В (колектор розімкнений)
Струм колектора Ic10 А (імпульсний Icm 30 А)
Потужність розсіювання Pd60 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE15–48 (IC 1 А, VCE 5 В)
Напруга насичення Vce(sat)3,0 В (макс.) (IC 6 А, IB 1,5 А, Tj 25 °C)
КорпусTO-3P(H)IS

Транзистор 2SC5858 , TO264 китай

В наявності

56,40 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга колектор–база Vcbo1700 В (Tc 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo750 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic22 А (DC, Tc 25 °C)
Потужність Pc200 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга насичення Vce(sat)1,5 В макс. (Ic 17 А, Ib 4,25 А)
КорпусTO-264

Транзистор 2SC5858 оригінал демонтаж , TO264

В наявності

139,12 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vcbo1700 В (Tc 25 °C)
Напруга Vceo750 В (Tc 25 °C)
Напруга Vebo5 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic22 А постійний, імпульсний 44 А (Tc 25 °C)
Потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
hFE30–60 (VCE 5 В, IC 2 А)
Vce(sat)1,5 В макс. (IC 17 А, IB 4,25 А)
Гранична частота fT2 МГц тип. (VCE 10 В, IC 0,1 А)
КорпусTO-264
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SC5902

В наявності

85,07 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vcbo1700 В (емітер розімкнений, Tc 25 °C)
Напруга Vces1700 В (E-B закорочено, Tc 25 °C)
Напруга Vebo мін.7 В (IE 500 мА, IC 0)
Струм колектора Ic9 А, імпульсний Icp 14 А (Tc 25 °C)
Струм бази Ib3 А (Tc 25 °C)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
hFE5–10 (VCE 5 В, IC 4,5 А)
Vce(sat)3 В макс. (IC 4,5 А, IB 1,13 А)
Vbe(sat)1,5 В макс. (IC 4,5 А, IB 1,13 А)
Демпферний діодє
КорпусTOP-3E-A1 (SC-94)

Транзистор 2SC5905 оригінал

В наявності

179,54 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникPanasonic
Напруга Vcbo1700 В (Tc 25 °C)
Напруга Vces1700 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic20 А (Tc 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icp30 А
Потужність Pc70 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
hFE5–12 (Vce 5 В, Ic 10 А)
Vce(sat)3 В макс. (Ic 10 А, Ib 2,5 А)
Гранична частота fT3 МГц (Vce 10 В, Ic 0,1 А, f 0,5 МГц)
Час спаду tf0,2 мкс макс. (Ic 10 А, Ib1 2,5 А, Ib2 -5 А)
КорпусTO-3P (TOP-3E-A1, EIAJ SC-94)
СтанОригінал

Транзистор 2SC5966 оригінал демонтаж

В наявності

128,31 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vcbo1700 В (Ta 25 °C)
Напруга Vceo800 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic20 А, імпульсний Icp 40 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc100 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
hFEмін. 15 (Vce 5 В, Ic 1 А); 4–7 (Vce 5 В, Ic 15 А)
Vce(sat)3 В (Ic 13,5 А, Ib 3,4 А)
Vbe(sat)1,5 В (Ic 13,5 А, Ib 3,4 А)
КорпусTO-3PMLH
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SC6090 ( C6090 ) оригінал демонтаж ( заміна для 2SC6092 ), TO220F

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vceo700 В (Ic 100 мА, Ib 0, Tc 25 °C)
Струм колектора Ic10 А (безперервний)
Імпульсний струм колектора Icp25 А
Потужність Pc35 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
hFEвід 15 (Ic 1 А, Vce 5 В); 5–7 (Ic 8 А, Vce 5 В)
Vce(sat)3,0 В макс. (Ic 7,2 А, Ib 1,44 А)
Час спаду tf0,2 мкс макс. (Ic 5 А, Ib1 1 А, Ib2 -2 А)
КорпусTO-220F
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SC945 , to92

В наявності

3,29 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
КорпусTO-92
Напруга колектор–база Vcbo60 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo50 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo5,0 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic100 мА (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pd250 мВт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE290–600 (Vce 6,0 В, Ic 1,0 мА)
Гранична частота fT (тип.)250 МГц (Vce 6,0 В, Ie −10 мА)
Напруга насичення Vce(sat)0,3 В макс. (Ic 100 мА, Ib 10 мА)

Транзистор 2SD1047+2SB817 ( D1047+B817 , KTD1047+KTB817 ) оригінали , TO-3P

В наявності

192,70 ₴
ПараметрЗначення
Типкомплементарна пара NPN (2SD1047) + PNP (2SB817)
КорпусTO-3P
Vceo140 В, Ta 25 °C; Ic 30 мА, Ib 0 (мін.)
Vcbo160 В, Ta 25 °C
Vebo6 В, Ta 25 °C
Ic12 А, Ta 25 °C
Ptot100 Вт, Ta 25 °C
Tj макс.150 °C
hFE160–200, Vce 5 В, Ic 1 А
Vce(sat)2.5 В (макс.), Ic 5 А, Ib 0.5 А
fT15 МГц (typ), Vce 5 В, Ic 1 А
СтанОригінал

Транзистор 2SD1207

В наявності

28,20 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vcbo60 В
Напруга Vceo50 В
Напруга Vebo6.0 В
Струм колектора Ic2.0 А (постійний, Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора4.0 А
Потужність Pc1.0 Вт (Ta 25 °C)
hFE100–560 (VCE 2 В, IC 100 мА)
Гранична частота fT150 МГц (VCE 10 В, IC 50 мА)
Температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-92LM

Транзистор 2SD1403

В наявності

65,33 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга колектор–база Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo800 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo7 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic6 А (безперервний, Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icm16 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc120 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга насичення Vce(sat)5,0 В макс. (Ic 5 А, Ib 1 А)
Коефіцієнт підсилення hFE (мін.)8 (Ic 1 А, Vce 5 В)

Транзистор 2SD1427

В наявності

80,37 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Корпус2-16D1A (Toshiba)
Напруга колектор–база Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo600 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic5 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc80 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга насичення Vce(sat)5 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А)
Коефіцієнт підсилення hFE (мін.)8 (Vce 5 В, Ic 1,0 А)
Вбудований демпферний діодє
Пряма напруга демпферного діода Vf2,0 В макс. (If 5 А)

Транзистор 2SD1525 ( D1525 ) оригінал демонтаж, TO264

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN Дарлінгтон
Напруга Vceo100 В (Ic 30 мА, Ib 0)
Струм колектора Ic30 А (постійний, Ta 25 °C)
Потужність Pd150 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
hFE1000 (мін.) при Ic 20 А, Vce 5 В
Vce(sat)1,5 В (макс.) при Ic 20 А, Ib 0,2 А
КорпусTO-264
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SD1541

В наявності

135,83 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSavantIC
КорпусTO-3PFa
Напруга Vcbo1500 В (емітер розімкнений, Ta 25 °C)
Напруга Vebo5 В (колектор розімкнений, Ta 25 °C)
Струм Ic3 А (Tc 25 °C)
Імпульсний струм Icm10 А
Потужність Pc50 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj130 °C
Vce(sat)5,0 В макс. (Ic 2 А, Ib 0,75 А, Tj 25 °C)
hFE4–12 (Ic 2 А, Vce 10 В)
Демпферний діодє, Vf 2,2 В (Ic −4 А)

Транзистор 2SD1545

В наявності

65,33 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSavantIC
КорпусTO-3P(H)IS
Напруга Vceo600 В (база розімкнена)
Напруга Vcbo1500 В (емітер розімкнений)
Напруга Vebo5 В (колектор розімкнений)
Струм Ic5 А (постійний, Ta 25 °C)
Струм бази Ib2,5 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc50 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
Vce(sat)5,0 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А, Tj 25 °C)
hFE8 мін. (Ic 1 А, Vce 5 В)
fT3 МГц (Ic 0,1 А, Vce 10 В)

Транзистор 2SD1546

В наявності

94,94 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSavantIC
КорпусTO-3P(H)IS
Напруга Vceo600 В (база розімкнена)
Напруга Vcbo1500 В (емітер розімкнений)
Напруга Vebo5 В (колектор розімкнений)
Струм Ic6 А (постійний, Ta 25 °C)
Струм бази Ib3 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc50 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
Vce(sat)5,0 В макс. (Ic 5 А, Ib 1 А, Tj 25 °C)
hFE8 мін. (Ic 1 А, Vce 5 В)
fT3 МГц (Ic 0,1 А, Vce 10 В)

Транзистор 2SD1554 оригінал

В наявності

48,41 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSavantIC
Напруга Vceo600 В
Напруга Vcbo1500 В
Напруга Vebo5 В
Струм колектора Ic3.5 А
Потужність Pc40 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-3P(H)IS
СтанОригінал

Транзистор 2SD1555 оригінал демонтаж

В наявності

64,39 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSavantIC
Напруга Vceo600 В
Напруга Vcbo1500 В
Напруга Vebo5 В
Струм колектора Ic5 А
Потужність Pc50 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-3P(H)IS
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SD1557 ( D1557 , 3DD1557) оригінал демонтаж (заміна для 2SD2586 , 2SD2580 )

В наявності

103,40 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникJSMC
Напруга Vcbo1700 В
Напруга Vceo830 В
Напруга Vebo8 В
Струм колектора Ic10 А
Імпульсний струм Icp20 А
Потужність Pc50 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SD1577

В наявності

98,23 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
КорпусTO-3PFa
ВиробникSavantIC
Напруга колектор–база Vcbo1500 В
Напруга колектор–емітер Vceo700 В
Напруга емітер–база Vebo6 В
Струм колектора Ic5 А
Імпульсний струм колектора Icm17 А
Струм бази Ib3.5 А
Потужність розсіювання Pc (Tc 25 °C)100 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
Vce(sat) макс. (Ic 4.5 А, Ib 2 А)2.0 В
hFE (Ic 2 А, Vce 10 В)4–15

Транзистор 2SD1624 ( 2SD1624G , 2SD1624G-S-AB3-R , 2SD1624L ) оригінал, sot89

В наявності

34,78 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникUTC (Unisonic Technologies)
Напруга Vceo50 В (TA 25 °C)
Напруга Vcbo60 В (TA 25 °C)
Напруга Vebo6 В (TA 25 °C)
Струм колектора Ic (DC)3 А (TA 25 °C)
Імпульсний струм Icp6 А (TA 25 °C)
Потужність Pc500 мВт (TA 25 °C)
Tj max150 °C
hFE100–560 (Vce 2 В, Ic 100 мА)
Vce(sat)0,19 В typ, 0,5 В max (Ic 2 А, Ib 100 мА)
Гранична частота fT150 МГц typ (Vce 10 В, Ic 50 мА)
Ємність Cob25 пФ typ (Vce 10 В, f 1 МГц)
КорпусSOT-89
СтанОригінал

Транзистор 2SD1650

В наявності

65,33 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
КорпусTO-3PML
ВиробникSavantIC
Напруга колектор–база Vcbo1500 В
Напруга колектор–емітер Vceo800 В
Напруга емітер–база Vebo6 В
Струм колектора Ic3.5 А
Потужність розсіювання Pc (Tc 25 °C)50 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
Vbe(sat) (Ic 2.5 А, Ib 0.8 А)1.5 В
hFE мін. (Ic 0.5 А, Vce 5 В)8
Гранична частота fT (Ic 0.5 А, Vce 10 В)3 МГц
Вбудований демпферний діодє
Vf діода (If 3.5 А)2.0 В

Транзистор 2SD1691L

В наявності

23,50 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникUTC (Unisonic Technologies)
Напруга колектор–емітер Vceo60 В
Напруга колектор–база Vcbo60 В
Напруга емітер–база Vebo7 В
Струм колектора Ic5 А
Імпульсний струм Icp (PW ≤10 мс, шпаруватість ≤50 %)8 А
Струм бази Ib1 А
Макс. температура переходу Tj150 °C
Vce(sat) макс. (Ic 2 А, Ib 0.2 А)0.3 В
hFE (Ic 2 А, Vce 1 В)160–400
hFE мін. (Ic 5 А, Vce 2 В)50

Транзистор 2SD1710 оригінал демонтаж

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSPTECH
Напруга колектор–база Vcbo1500 В
Напруга колектор–емітер Vceo800 В
Напруга емітер–база Vebo6 В
Струм колектора Ic5 А (постійний)
Імпульсний струм Icp16 А
Потужність розсіювання Pc50 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга насичення Vce(sat)5.0 В макс. (Ic 4.5 А, Ib 2 А, Tc 25 °C)
Напруга насичення база–емітер Vbe(sat)1.5 В макс. (Ic 4.5 А, Ib 2 А)
Коефіцієнт підсилення hFE8 мін. (Ic 0.5 А, Vce 5 В)
Час спаду tf0.5 мкс макс. (Ic 4 А, Ib1 0.8 А, Ib2 1.6 А)
СтанОригінал, демонтаж б/в