Стан
Корпус
- 2-16D1A (Toshiba) 1
- 2-5J1A (Toshiba) 1
- ISOWATT218 3
- ISOWATT218FX 6
- SOT-23 17
- SOT-32 (TO-126) 20
- SOT-89 8
- SOT199 3
- SOT399 7
- TO-126 MOD 2
- TO-218 1
- TO-220 35
- TO-220C 1
- TO-220F 35
- TO-225 (CASE 77-09) 1
- TO-247 6
- TO-252 (D-PAK) 4
- TO-264 5
- TO-3 5
- TO-3P 22
- TO-3P(H)IS 8
- TO-3P(L) 1
- TO-3PF 4
- TO-3PFa 2
- TO-3PFM 1
- TO-3PML 21
- TO-3PMLH 4
- TO-92 67
- TO-92L 9
- TO-92LM 2
- TO-92MOD 8
- TO-92S 1
- TOP-3E-A1 1
- TOP-3E-A1 (SC-94) 1
- TOSHIBA 2-16E3A 8
- TP-FA (smd) 1
Категорії товарів
- TVS-діоди (супресори) (захисні діоди) 52
- Випромінювачі звуку, бузери, buzzer, зумери 3
- Вольтметри цифрові 17
- Вольтметри-амперметри цифрові 1
- Геркони 2
- Діністори 3
- Діоди 154
- Діоди Шоттки 52
- Діодні мости 40
- Електретні мікрофони 3
- Запобіжники 46
- Запчастини для мікрохвильових печей 20
- Інвертори універсальні 3
- Індуктивні елементи 33
- Кварци 29
- Керамічні резонатори 4
- Кнопки мережеві 16
- Конденсатори 487
- Макетні плати 6
- Мікроперемикачі 1
- Мікросхеми 1978
- Оптореле (твердотільні реле) 2
- Оптрони 56
- Панельки під мікросхеми 17
- Процесори для кінескопних ТВ 122
- Резистори 608
- Реле 77
- Різне 37
- Розрядники 2
- Світлодіоди 126
- Сімістори 66
- Стабілітрони 83
- Стабілітрони SMD SOD-80 0.5W 25
- Тактові кнопки 31
- Термозапобіжники 61
- Термостати 47
- Тиристори 22
- Транзистори 1782
- Біполярні транзистори 364
- Польові транзистори 1017
- IGBT-транзистори 401
- Трансформатори інверторів 17
- Трансформатори рядкові (ТДКС, FBT) 123
- Тюнери для кінескопних ТВ 84
- Фільтри 3
- Фотоприймачі 2
Ціна
Наявність
Біполярні транзистори
Транзистор 2SC4467
В наявності
110,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 120 В (Ic 50 мА, Ib 0) |
| Струм колектора Ic | 8 А (постійний, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 50–180 при Ic 3 А, Vce 4 В |
| Vce(sat) | 1,5 В (макс.) при Ic 3 А, Ib 0,3 А |
| fT | 20 МГц (тип.) при Ic 0,5 А, Vce 12 В |
| Cob | 200 пФ (тип.) при Vcb 10 В, f 1 МГц |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
Транзистор 2SC4793 + 2SA1837 ( KTC4793 + KTA1837 , C4793 + A1837 ) оригінали, TO220F
В наявності
100,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | комплементарна пара NPN (2SC4793) + PNP (2SA1837) |
| Корпус | TO-220F |
| Vceo (2SC4793) | 230 В, Tc 25 °C |
| Vcbo (2SC4793) | 230 В, Tc 25 °C |
| Vebo (2SC4793) | 5 В, Tc 25 °C |
| Ic (2SC4793) | 1 А, Tc 25 °C |
| Pc (2SC4793) | 20 Вт, Tc 25 °C |
| Tj макс. (2SC4793) | 150 °C |
| hFE (2SC4793) | 100–320, VCE 5 В, IC 100 мА |
| fT (2SC4793) | 100 МГц (тип.), VCE 10 В, IC 100 мА |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC4924 оригінал
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SANYO |
| Напруга Vcbo | 1500 В |
| Напруга Vceo | 800 В |
| Напруга Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic | 10 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора | 25 А |
| Потужність Pc | 70 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | від 8 (VCE 5 В, IC 1 А) |
| Час спаду tf | 0,1 мкс тип. (IC 6 А, IB1 1,2 А, IB2 -2,4 А) |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC5129
В наявності
85,07 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 600 В |
| Напруга Vcbo | 1500 В |
| Струм колектора Ic | 10 А (постійний; імпульс 20 А) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 10–30 (Ic 1 А, Vce 5 В); при Ic 6 А: 4–8 |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3,0 В (макс., Ic 6 А, Ib 1,5 А) |
| Гранична частота fT | 1,7 МГц (Ic 0,1 А, Vce 10 В) |
| Час спаду tf | 0,3 мкс (макс., Icp 5 А, Ib1 1 А, 64 кГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-3P(H)IS |
| Виробник | SavantIC |
Транзистор 2SC5148 оригінал демонтаж
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, кремнієвий triple diffused mesa |
| Напруга колектор-база Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic (DC) | 8 А (Ta 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний Icp | 16 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5 В макс. (Ic 5 А, Ib 1,3 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE(1) | 8–25 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Гранична частота fT | 2 МГц тип. (Vce 10 В, Ic 0,1 А) |
| Корпус | TOSHIBA 2-16E3A |
| Корпус (докладно) | Toshiba 2-16E3A (пластик, ізольований радіатор) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC5241 , TO220F
В наявності
50,76 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор-база Vcbo | 600 В |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 450 В |
| Напруга емітер-база Vebo | 7 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 5 А |
| Струм колектора імпульсний Icp | 10 А |
| Струм бази Ib | 2 А |
| Потужність розсіювання Pt | 30 Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,0 В макс. (Ic 2,5 А, Ib 0,5 А, Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 10 мін. (Vce 5 В, Ic 2,5 А, Tc 25 °C) |
| Гранична частота fT | 20 МГц тип. (Vce 10 В, Ic 0,5 А, Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 4,16 °C/Вт макс. |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор 2SC5296 оригінал ( заміна для 2SD5296 , 2SC5250 )
В наявності
100,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C; Ic 10 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 8 А (Ta 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний Icp | 16 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 15–40 (Ic 1 А, Vce 5 В, Tc 25 °C) |
| Демпферний діод | так |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC5706 smd
В наявності
26,79 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi (Sanyo) |
| Напруга Vceo | 50 В (Ic 1 мА, Rbe = ∞) |
| Напруга Vces | 100 В (Ic 100 мкА, Rbe 0) |
| Напруга Vcbo | 100 В |
| Напруга Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic | 5 А |
| Струм колектора імпульсний Icp | 7,5 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 200–560 (Vce 2 В, Ic 500 мА) |
| Гранична частота fT | 400 МГц, тип. (Vce 10 В, Ic 500 мА) |
| Vce(sat) | 90 мВ тип., 135 мВ макс. (Ic 1 А, Ib 50 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 15 пФ, тип. (Vcb 10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TP-FA (smd) |
Транзистор 2SC5707 , ТО252
В наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi (ex-SANYO) |
| Напруга Vceo | 50 В |
| Напруга Vcbo | 100 В |
| Струм колектора Ic | 8 А (імпульсний Icp 11 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 200–560 (VCE 2 В, IC 500 мА) |
| Гранична частота fT | 330 МГц (тип.) (VCE 10 В, IC 500 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 28 пФ (тип.) (VCB 10 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор 2SC5793 оригінал демонтаж , TO-3PML
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SANYO |
| Напруга Vcbo | 1600 В |
| Напруга Vceo | 800 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 20 А (імпульсний Icp 40 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 95 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час спаду tf | 0,2 мкс (макс.) (IC 10 А, IB1 1,6 А, IB2 –5 А) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1,5 В (макс.) (IC 13,5 А, IB 3,4 А) |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC5802D
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1500 В (емітер розімкнений) |
| Напруга Vceo | 800 В (база розімкнена) |
| Напруга Vebo | 6 В (колектор розімкнений) |
| Струм колектора Ic | 10 А (імпульсний Icm 30 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 15–48 (IC 1 А, VCE 5 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3,0 В (макс.) (IC 6 А, IB 1,5 А, Tj 25 °C) |
| Корпус | TO-3P(H)IS |
Транзистор 2SC5858 оригінал демонтаж , TO264
В наявності
139,12 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1700 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vceo | 750 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 22 А постійний, імпульсний 44 А (Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE | 30–60 (VCE 5 В, IC 2 А) |
| Vce(sat) | 1,5 В макс. (IC 17 А, IB 4,25 А) |
| Гранична частота fT | 2 МГц тип. (VCE 10 В, IC 0,1 А) |
| Корпус | TO-264 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC5902
В наявності
85,07 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1700 В (емітер розімкнений, Tc 25 °C) |
| Напруга Vces | 1700 В (E-B закорочено, Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo мін. | 7 В (IE 500 мА, IC 0) |
| Струм колектора Ic | 9 А, імпульсний Icp 14 А (Tc 25 °C) |
| Струм бази Ib | 3 А (Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE | 5–10 (VCE 5 В, IC 4,5 А) |
| Vce(sat) | 3 В макс. (IC 4,5 А, IB 1,13 А) |
| Vbe(sat) | 1,5 В макс. (IC 4,5 А, IB 1,13 А) |
| Демпферний діод | є |
| Корпус | TOP-3E-A1 (SC-94) |
Транзистор 2SC5905 оригінал
В наявності
179,54 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Panasonic |
| Напруга Vcbo | 1700 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vces | 1700 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 20 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icp | 30 А |
| Потужність Pc | 70 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| hFE | 5–12 (Vce 5 В, Ic 10 А) |
| Vce(sat) | 3 В макс. (Ic 10 А, Ib 2,5 А) |
| Гранична частота fT | 3 МГц (Vce 10 В, Ic 0,1 А, f 0,5 МГц) |
| Час спаду tf | 0,2 мкс макс. (Ic 10 А, Ib1 2,5 А, Ib2 -5 А) |
| Корпус | TO-3P (TOP-3E-A1, EIAJ SC-94) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC5966 оригінал демонтаж
В наявності
128,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1700 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 20 А, імпульсний Icp 40 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE | мін. 15 (Vce 5 В, Ic 1 А); 4–7 (Vce 5 В, Ic 15 А) |
| Vce(sat) | 3 В (Ic 13,5 А, Ib 3,4 А) |
| Vbe(sat) | 1,5 В (Ic 13,5 А, Ib 3,4 А) |
| Корпус | TO-3PMLH |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC6090 ( C6090 ) оригінал демонтаж ( заміна для 2SC6092 ), TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 700 В (Ic 100 мА, Ib 0, Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 10 А (безперервний) |
| Імпульсний струм колектора Icp | 25 А |
| Потужність Pc | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| hFE | від 15 (Ic 1 А, Vce 5 В); 5–7 (Ic 8 А, Vce 5 В) |
| Vce(sat) | 3,0 В макс. (Ic 7,2 А, Ib 1,44 А) |
| Час спаду tf | 0,2 мкс макс. (Ic 5 А, Ib1 1 А, Ib2 -2 А) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC945 , to92
В наявності
3,29 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга колектор–база Vcbo | 60 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 50 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5,0 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 250 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE2 | 90–600 (Vce 6,0 В, Ic 1,0 мА) |
| Гранична частота fT (тип.) | 250 МГц (Vce 6,0 В, Ie −10 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,3 В макс. (Ic 100 мА, Ib 10 мА) |
Транзистор 2SD1047+2SB817 ( D1047+B817 , KTD1047+KTB817 ) оригінали , TO-3P
В наявності
192,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | комплементарна пара NPN (2SD1047) + PNP (2SB817) |
| Корпус | TO-3P |
| Vceo | 140 В, Ta 25 °C; Ic 30 мА, Ib 0 (мін.) |
| Vcbo | 160 В, Ta 25 °C |
| Vebo | 6 В, Ta 25 °C |
| Ic | 12 А, Ta 25 °C |
| Ptot | 100 Вт, Ta 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE1 | 60–200, Vce 5 В, Ic 1 А |
| Vce(sat) | 2.5 В (макс.), Ic 5 А, Ib 0.5 А |
| fT | 15 МГц (typ), Vce 5 В, Ic 1 А |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD1403
В наявності
65,33 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 7 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 6 А (безперервний, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 16 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 120 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5,0 В макс. (Ic 5 А, Ib 1 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE (мін.) | 8 (Ic 1 А, Vce 5 В) |
Транзистор 2SD1427
В наявності
80,37 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | 2-16D1A (Toshiba) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 600 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 5 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE (мін.) | 8 (Vce 5 В, Ic 1,0 А) |
| Вбудований демпферний діод | є |
| Пряма напруга демпферного діода Vf | 2,0 В макс. (If 5 А) |
Транзистор 2SD1541
В наявності
135,83 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SavantIC |
| Корпус | TO-3PFa |
| Напруга Vcbo | 1500 В (емітер розімкнений, Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (колектор розімкнений, Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 3 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 10 А |
| Потужність Pc | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 130 °C |
| Vce(sat) | 5,0 В макс. (Ic 2 А, Ib 0,75 А, Tj 25 °C) |
| hFE | 4–12 (Ic 2 А, Vce 10 В) |
| Демпферний діод | є, Vf 2,2 В (Ic −4 А) |
Транзистор 2SD1545
В наявності
65,33 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SavantIC |
| Корпус | TO-3P(H)IS |
| Напруга Vceo | 600 В (база розімкнена) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (емітер розімкнений) |
| Напруга Vebo | 5 В (колектор розімкнений) |
| Струм Ic | 5 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Струм бази Ib | 2,5 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 5,0 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А, Tj 25 °C) |
| hFE | 8 мін. (Ic 1 А, Vce 5 В) |
| fT | 3 МГц (Ic 0,1 А, Vce 10 В) |
Транзистор 2SD1546
В наявності
94,94 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SavantIC |
| Корпус | TO-3P(H)IS |
| Напруга Vceo | 600 В (база розімкнена) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (емітер розімкнений) |
| Напруга Vebo | 5 В (колектор розімкнений) |
| Струм Ic | 6 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Струм бази Ib | 3 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 5,0 В макс. (Ic 5 А, Ib 1 А, Tj 25 °C) |
| hFE | 8 мін. (Ic 1 А, Vce 5 В) |
| fT | 3 МГц (Ic 0,1 А, Vce 10 В) |
Транзистор 2SD1577
В наявності
98,23 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-3PFa |
| Виробник | SavantIC |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 700 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic | 5 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 17 А |
| Струм бази Ib | 3.5 А |
| Потужність розсіювання Pc (Tc 25 °C) | 100 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) макс. (Ic 4.5 А, Ib 2 А) | 2.0 В |
| hFE (Ic 2 А, Vce 10 В) | 4–15 |
Транзистор 2SD1624 ( 2SD1624G , 2SD1624G-S-AB3-R , 2SD1624L ) оригінал, sot89
В наявності
34,78 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | UTC (Unisonic Technologies) |
| Напруга Vceo | 50 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 60 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic (DC) | 3 А (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм Icp | 6 А (TA 25 °C) |
| Потужність Pc | 500 мВт (TA 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| hFE | 100–560 (Vce 2 В, Ic 100 мА) |
| Vce(sat) | 0,19 В typ, 0,5 В max (Ic 2 А, Ib 100 мА) |
| Гранична частота fT | 150 МГц typ (Vce 10 В, Ic 50 мА) |
| Ємність Cob | 25 пФ typ (Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | SOT-89 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD1650
В наявності
65,33 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-3PML |
| Виробник | SavantIC |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 800 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic | 3.5 А |
| Потужність розсіювання Pc (Tc 25 °C) | 50 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Vbe(sat) (Ic 2.5 А, Ib 0.8 А) | 1.5 В |
| hFE мін. (Ic 0.5 А, Vce 5 В) | 8 |
| Гранична частота fT (Ic 0.5 А, Vce 10 В) | 3 МГц |
| Вбудований демпферний діод | є |
| Vf діода (If 3.5 А) | 2.0 В |
Транзистор 2SD1691L
В наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | UTC (Unisonic Technologies) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 60 В |
| Напруга колектор–база Vcbo | 60 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 7 В |
| Струм колектора Ic | 5 А |
| Імпульсний струм Icp (PW ≤10 мс, шпаруватість ≤50 %) | 8 А |
| Струм бази Ib | 1 А |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) макс. (Ic 2 А, Ib 0.2 А) | 0.3 В |
| hFE (Ic 2 А, Vce 1 В) | 160–400 |
| hFE мін. (Ic 5 А, Vce 2 В) | 50 |
Транзистор 2SD1710 оригінал демонтаж
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SPTECH |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 800 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic | 5 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icp | 16 А |
| Потужність розсіювання Pc | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5.0 В макс. (Ic 4.5 А, Ib 2 А, Tc 25 °C) |
| Напруга насичення база–емітер Vbe(sat) | 1.5 В макс. (Ic 4.5 А, Ib 2 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 8 мін. (Ic 0.5 А, Vce 5 В) |
| Час спаду tf | 0.5 мкс макс. (Ic 4 А, Ib1 0.8 А, Ib2 1.6 А) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |