Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор G30N60A4D ( HGTG30N60A4D ) оригінал демонтаж, TO247
216,20 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HGTG30N60A4D – IGBT-транзистор onsemi серії SMPS з антипаралельним швидким діодом, корпус TO-247. Оригінал, демонтаж: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер BVCES | 600 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм колектора | 75 А при TC = 25 °C; 60 А при TC = 110 °C |
| Імпульсний струм ICM | 240 А |
| VCE(sat) типово | 1.8 В (IC = 30 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Заряд затвора QG(on) типово | 225 нКл |
| Діод VEC типово | 2.2 В (IEC = 30 А) |
| Діод trr типово | 40 нс (IEC = 30 А, dIEC/dt = 200 А/мкс) |
| Розсіювана потужність | 463 Вт (TC = 25 °C) |
| Вбудований діод | антипаралельний швидкий |
| Корпус | TO-247-3LD (short lead) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
HGTG30N60A4D (на платах його часто маркують G30N60A4D) – IGBT-транзистор onsemi серії SMPS з антипаралельним швидким діодом у корпусі TO-247-3LD (short lead). Напруга колектор–емітер BVCES – 600 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В). Неперервний струм колектора – 75 А при TC = 25 °C і 60 А при TC = 110 °C; імпульсний ICM – 240 А. Напруга насичення VCE(sat), типово 1.8 В при IC = 30 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C (макс. 2.6 В). Заряд затвора QG(on), типово 225 нКл при IC = 30 А, VCE = 300 В, VGE = 15 В. Діод: пряма напруга VEC типово 2.2 В, час відновлення trr типово 40 нс при IEC = 30 А, dIEC/dt = 200 А/мкс. Розсіювана потужність – 463 Вт при TC = 25 °C.
Оригінал, демонтаж: деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Якщо підбираєте заміну, порівнюйте BVCES, струм колектора при TC = 110 °C, VCE(sat), QG(on) та параметри діода. Версія без діода – HGTG30N60A4 – це інша модифікація, тож перевіряйте схему. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- імпульсні джерела живлення
- високовольтне перемикання на високих частотах
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж: деталь знята з плати й перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи є в HGTG30N60A4D вбудований діод?
Так, антипаралельний швидкий діод. Типово VEC 2.2 В і trr 40 нс при IEC = 30 А, dIEC/dt = 200 А/мкс.
Чим відрізняється HGTG30N60A4D від HGTG30N60A4?
Версія A4D має вбудований діод, версія A4 – без діода. Перед заміною одної на іншу перевіряйте схему.
На яких частотах працює HGTG30N60A4D?
За даними виробника, понад 100 кГц при 390 В, 30 А та 200 кГц при 390 В, 18 А.
Документація виробника: HGTG30N60A4D/D, Rev. 3.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.