Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусPDFN-8 (5×6)
СтанОригінал

Транзистор NTMFS4C10NT1G ( NTMFS4C10N , 4C10N ) оригінал, SO-8 FL

59,69 ₴

20 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

20 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

NTMFS4C10NT1G (NTMFS4C10N, 4C10N) – N-канальний польовий транзистор onsemi на 30 В, 46 А, корпус SO-8 FL. Оригінал, для живлення процесорів і DC-DC перетворювачів.

ПараметрЗначення
КорпусPDFN-8 (5×6)

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id46 А (TC = 25 °C), 34 А (TC = 80 °C)
Rds(on) при VGS 10 В6.95 мОм макс., 5.8 мОм тип. (ID = 30 А)
Rds(on) при VGS 4,5 В10.8 мОм макс., 8.9 мОм тип. (ID = 15 А)
Vgs(th)1.3–2.2 В
Заряд затвора Qg9.7 нК (VGS 4,5 В), 18.6 нК (VGS 10 В)
Вхідна ємність Ciss987 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц)
Потужність Pd23.6 Вт (TC = 25 °C)
Vgs макс.±20 В
Макс. температура переходу150 °C
КорпусPDFN-8 (5×6)
Виробникonsemi
СтанОригінал
Опис

NTMFS4C10NT1G (NTMFS4C10N, 4C10N) – N-канальний польовий транзистор виробництва onsemi у корпусі SO-8 FL (DFN5 5×6, CASE 488AA). Напруга Vds 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку Id 46 А при TC = 25 °C і 34 А при TC = 80 °C. Опір Rds(on) максимум 6.95 мОм (типово 5.8 мОм) при VGS = 10 В, ID = 30 А; при VGS = 4,5 В, ID = 15 А – максимум 10.8 мОм (типово 8.9 мОм). Порогова напруга Vgs(th) 1.3–2.2 В. Заряд затвора Qg типово 9.7 нК при VGS = 4,5 В і 18.6 нК при VGS = 10 В (VDS = 15 В, ID = 30 А). Вхідна ємність Ciss типово 987 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 23.6 Вт при TC = 25 °C, напруга затвор–витік до ±20 В, температура переходу до 150 °C.

Це оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (потрібен N), Vds не нижче 30 В, Id, Rds(on) при тому самому VGS і корпус SO-8 FL з тією самою розпіновкою. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Живлення процесорів (CPU Power Delivery)
  • DC-DC перетворювачі
Часто питають
Чим замінити NTMFS4C10NT1G?

Підійде N-канальний транзистор у корпусі SO-8 FL (DFN5 5x6) з Vds не нижче 30 В і не гіршими Id та Rds(on) при VGS 10 В і 4,5 В. Перевірте розпіновку за даташитом.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи можна керувати затвором від 4,5 В?

У даташиті наведено Rds(on) для VGS = 4,5 В: максимум 10.8 мОм при ID = 15 А.

Для чого застосовують цей транзистор?

Для живлення процесорів (CPU Power Delivery) і DC-DC перетворювачів.

Datasheet

Документація виробника: NTMFS4C10NT1G (onsemi).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

NTMFS4C10NT1G (onsemi) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F

В наявності

104,81 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id12 А (Tc 25 °C)
Rds(on)0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А)
Вхідна ємність Ciss2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникOSEN
СтанОригінал

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.5 В
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Trench Gate
Напруга Vdss250 В
Струм Id25 (Tc 25 °C)50 А
Rds(on)60 мОм (макс.) при Vgs 10 В
Vgs(th)3.0–5.0 В при Id 1 мА
Заряд затвора Qg(on)78 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання400 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )

В наявності

109,98 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss60 В
Струм Id (25 °C)200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А)
Струм Id (100 °C)140 А (розрахунково)
Rds(on)2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА
Qg155 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникRuichips
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.