Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор IRF1010E (заміна для IRF1010N ) оригінал (60V,84A), TO220

69,56 ₴

38 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

38 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

IRF1010E – N-канальний польовий транзистор Infineon (International Rectifier) у корпусі TO-220 на 60 В і 84 А. Оригінал; може замінити IRF1010N.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал, HEXFET 5-го покоління
ВиробникInfineon (International Rectifier)
КорпусTO-220
Напруга Vds60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм Id84 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм Id (100 °C)59 А (Tc = 100 °C, VGS = 10 В)
Rds(on)12 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 50 А)
Потужність Pd200 Вт (Tc = 25 °C)
Вхідна ємність Ciss3210 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs±20 В макс.
СтанОригінал
Опис

IRF1010E – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) HEXFET 5-го покоління від Infineon (International Rectifier). Напруга стік-витік – 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мінімум). Струм стоку – 84 А при Tc = 25 °C і VGS = 10 В, 59 А при Tc = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 12 мОм при VGS = 10 В, ID = 50 А. Розсіювана потужність – 200 Вт при Tc = 25 °C, робоча температура переходу – від -55 до +175 °C. Виробник вказує швидке перемикання, dv/dt-стійкість і 100 % лавинну стійкість. Вхідна ємність Ciss типово 3210 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц).

Це оригінал, не демонтаж. Корпус – TO-220. За назвою товару IRF1010E може замінити IRF1010N, але зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Під час підбору дивіться на напругу, струм, Rds(on) і корпус: значення порівнюйте за однакових умов вимірювання. Заряд затвора Qg – до 130 нКл (ID = 50 А, VDS = 48 В, VGS = 10 В), тому враховуйте можливості драйвера. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • HEXFET-транзистор 5-го покоління з наднизьким опором відкритого каналу, швидким перемиканням і лавинною стійкістю.
Часто питають
Чим замінити IRF1010E?

За назвою товару IRF1010E може замінити IRF1010N. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Який опір відкритого каналу в IRF1010E?

Не більше 12 мОм при VGS = 10 В, ID = 50 А, Tj 25 °C.

Чи потрібен потужний драйвер затвора?

Повний заряд затвора Qg – до 130 нКл (ID = 50 А, VDS = 48 В, VGS = 10 В). Для швидкого перемикання драйвер має витримувати такий заряд.

Datasheet

Документація виробника: IRF1010EPbF, Rev. 2.1.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IRF1010EPbF, Rev. 2.1 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.5 В
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор IRL1404 оригінал , TO220

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon (International Rectifier)
Тип каналуN-канал, логічний рівень керування
Напруга Vdss40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А)
Rds(on)не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs±20 В (абсолютний максимум)
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Trench Gate
Напруга Vdss250 В
Струм Id25 (Tc 25 °C)50 А
Rds(on)60 мОм (макс.) при Vgs 10 В
Vgs(th)3.0–5.0 В при Id 1 мА
Заряд затвора Qg(on)78 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання400 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds500 В
Струм Id21 А (при 25 °C, макс.)
Імпульсний струм Id63 А (макс.)
Опір Rds(on)190 мОм (Vgs 10 В, макс.)
Заряд затвору Qg95 нКл (тип., Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.1–3.9 В
Потужність Ptot208 Вт (макс.)
Rth(j-c)0.6 К/Вт (макс.)
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.