Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40P13S оригінал, so-8
75,20 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
NCE40P13S – оригінальний P-канальний польовий транзистор виробництва NCE Power у корпусі SO-8. Підходить для силових ключів і DC-DC перетворювачів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P |
| Напруга Vds | -40 В (VGS = 0 В, ID = -250 мкА) |
| Струм стоку Id | -13 А (TA = 25 °C) |
| Струм стоку Id при 100 °C | -9 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 12 мОм (VGS = -10 В, ID = -12 А, типове; макс. 15) |
| Опір Rds(on) при -4,5 В | 18 мОм (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1,3…-2,5 В |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл (VDS = -20 В, ID = -12 А, VGS = -10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2800 пФ (f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 2,5 Вт (TA = 25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
NCE40P13S – P-канальний trench MOSFET виробництва NCE Power у корпусі SO-8 (SOP-8). Напруга стік–витік Vds -40 В при VGS = 0 В, ID = -250 мкА. Струм стоку Id -13 А за таблицею граничних значень при TA = 25 °C і -9 А при TC = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 12 мОм типове при VGS = -10 В, ID = -12 А (максимум 15 мОм); при VGS = -4,5 В – до 18 мОм. Порогова напруга Vgs(th) від -1,3 до -2,5 В при VDS = VGS, ID = -250 мкА. Заряд затвора Qg 40 нКл типове при VDS = -20 В, ID = -12 А, VGS = -10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2800 пФ (f 1 МГц). Потужність Pd 2,5 Вт при TA = 25 °C, температура переходу до 150 °C.
Це оригінальна деталь, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, звіряйте тип каналу (потрібен P-канал), корпус SO-8 з тією самою розпіновкою, напругу Vds не нижче -40 В, струм Id і Rds(on) при тому самому Vgs, а також заряд затвора Qg: якщо він більший, перевірте драйвер. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Де застосовують
- силові ключі
- швидкі схеми
- DC-DC перетворювачі
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити NCE40P13S?
Потрібен P-канальний MOSFET у корпусі SO-8 з Vds не нижче -40 В, Id і Rds(on) не гірші при тому самому Vgs. Порівнюйте datasheet, взаємозамінність перевіряйте самостійно.
Як перевірити транзистор мультиметром?
У режимі прозвонки діодів вбудований діод між стоком і витоком має вести в один бік і не вести в інший. Затвор відносно інших виводів не повинен мати провідності.
Який Rds(on) у NCE40P13S?
12 мОм типове при VGS = -10 В, ID = -12 А (максимум 15 мОм). При VGS = -4,5 В максимум 18 мОм.
Документація виробника: NCE40P13S (NCE).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.