Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG020N10NS1W ( HYG020N10 , HYG020N10W ) оригінал, TO247
329,00 ₴
24 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
24 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HYG020N10NS1W (HYG020N10, HYG020N10W) – потужний N-канальний MOSFET на 100 В у корпусі TO-247. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 100 В |
| Струм стоку Id | 269 А (Tc 25 °C); 190 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 1.9 мОм тип., 2.3 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 100 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 198 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 80 В, Id 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 13200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C); 150 Вт (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Час відновлення діода trr | 98 нс тип. (Isd 100 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
HYG020N10NS1W – N-канальний MOSFET виробництва HUAYI Microelectronics у корпусі TO-247. Напруга Vdss – 100 В. Струм стоку Id – 269 А при Tc 25 °C і 190 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) за даташитом найближчої деталі HYG020N10NS1P (HUAYI): 1.9 мОм (тип.) при Vgs 10 В і Id 100 А, максимум 2.3 мОм. Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В (тип. 3) при Vds = Vgs і Id 250 мкА. Заряд затвора Qg – 198 нКл (тип.) при Vgs 10 В, Vds 80 В, Id 100 А. Вхідна ємність Ciss типово 13200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність Pd – 300 Вт при Tc 25 °C і 150 Вт при Tc 100 °C, максимальна температура переходу 175 °C. Час відновлення діода trr – 98 нс (тип.) при Isd 100 А і dI/dt 100 А/мкс.
Це оригінал, не демонтаж. Для заміни дивіться на канал, Vdss, струм Id, Rds(on) і корпус TO-247. Через великий Qg перевірте, що драйвер затвора витримає такий заряд. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Силові ключі, комутація
- Керування живленням інверторних систем
- Керування акумуляторами (battery management)
Чим замінити HYG020N10NS1W?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з Vdss не нижче 100 В, Id не менше 269 А при Tc 25 °C і Rds(on) не вище 2.3 мОм при Vgs 10 В. Порівняйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи потрібен потужний драйвер затвора?
Qg – 198 нКл (тип.) при Vgs 10 В, Vds 80 В, Id 100 А. Драйвер має швидко давати такий заряд, інакше транзистор гріється при перемиканні.
Чи збігаються параметри з даташитом точно?
Цифри взято з даташиту найближчої деталі HYG020N10NS1P, тому точну відповідність для TO-247 перевіряйте самостійно.
Найближчий datasheet: HYG020N10NS1P (HUAYI).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.