Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 65E6280 ( IPA65R280E6 ) оригінал, TO220F
258,50 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
65E6280 (IPA65R280E6) – N-канальний польовий транзистор Infineon серії CoolMOS на 650 В у корпусі TO-220F. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Напруга Vds при Tj max | 700 В |
| Опір Rds(on), макс. | 0.28 Ом |
| Заряд затвора Qg, тип. | 45 нКл |
| Імпульсний струм Id | 39 А |
| Енергія Eoss | 3.7 мкДж при 400 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
65E6280 (IPA65R280E6) – N-канальний польовий MOSFET виробництва Infineon із серії 650V CoolMOS E6. Напруга Vds – 650 В, при максимальній температурі переходу Vds – 700 В. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 0.28 Ом за розділом Key Performance Parameters документа. Типовий заряд затвора Qg – 45 нКл, імпульсний струм Id – 39 А, енергія Eoss – 3.7 мкДж при 400 В. Корпус TO-220F, у документі він записаний як PG-TO220 FullPAK у таблиці типів і замовних кодів.
Це оригінал, не демонтаж. Вибираючи заміну, спершу порівнюйте напругу Vds, струм стоку, опір Rds(on) і заряд затвора за даташитом, а також корпус і розпіновку. У ряді IPx65R280E6 є версії в інших корпусах: IPW65R280E6, IPB65R280E6, IPI65R280E6, IPP65R280E6. Відправка в день оплати або наступного дня, Запоріжжя, Нова Пошта.
Де застосовують
- Адаптери
Чим замінити 65E6280?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з напругою Vds не нижче 650 В і порівнянними Rds(on) та зарядом затвора. Версії того самого ряду в інших корпусах: IPW65R280E6, IPB65R280E6, IPI65R280E6, IPP65R280E6. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи даташити.
Чи підходить 65E6280 для адаптера?
У документі серед застосувань названо адаптери. Перед установкою звірте параметри з вашою схемою, а корпус – з радіатором і платою.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим 65E6280 відрізняється від IPA65R280E6?
IPA65R280E6 – позначення в таблиці замовних кодів документа, 65E6280 – номер у назві товару. Це один і той самий товар.
Документація виробника: 65E6280 (INFINEON).
У наявній копії документа немає тривалого струму Id, порога Vgs(th), потужності Pd, Tj max та умов вимірювання Rds(on).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.