Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TW120N03D ( 120N03 ) оригінал (30V,120A), D-PAK
141,00 ₴
47 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
47 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TW120N03D (120N03) – оригінальний N-канальний MOSFET виробництва TWGMC на 30 В і 120 А у корпусі D-PAK. Для синхронних понижувальних (buck) перетворювачів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 120 А при VGS=10 В |
| Струм стоку Id (100 °C) | 75 А при VGS=10 В |
| Імпульсний струм Idm | 384 А |
| Опір Rds(on) | тип. 3,0 мОм (макс. 3,8 мОм) при VGS=10 В, ID=15 А |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | тип. 4,4 мОм (макс. 5,5 мОм) при VGS=4,5 В, ID=10 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–2,5 В |
| Заряд затвора Qg | 9,8 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2485 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 62,5 Вт при TC=25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Енергія лавини EAS | 198 мДж |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
TW120N03D (120N03) – Trench N-канальний MOSFET виробництва TWGMC у корпусі TO-252 (D-PAK), оригінал. Напруга Vds – 30 В, струм стоку Id – 120 А при VGS=10 В, TC=25 °C і 75 А при VGS=10 В, TC=100 °C; імпульсний струм Idm – 384 А (обмежено максимальною температурою переходу). Опір відкритого каналу Rds(on) – типово 3,0 мОм (макс. 3,8 мОм) при VGS=10 В, ID=15 А і типово 4,4 мОм (макс. 5,5 мОм) при VGS=4,5 В, ID=10 А. Заряд затвора Qg – 9,8 нКл при VDS=15 В, VGS=4,5 В, ID=20 А. Вхідна ємність Ciss типово 2485 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц). Потужність Pd – 62,5 Вт при TC=25 °C, температура переходу Tj до 175 °C, енергія лавини EAS – 198 мДж (одиночний імпульс).
При підборі заміни порівнюйте Vds, струм стоку, Rds(on) при VGS=10 В і 4,5 В та корпус D-PAK. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Синхронні понижувальні (buck) перетворювачі
Чим замінити TW120N03D?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі D-PAK з Vds не нижче 30 В, струмом стоку не менше 75 А при TC=100 °C і Rds(on) не гірше 3,8 мОм при VGS=10 В. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи можна керувати від 4,5 В?
У документі наведено Rds(on) при VGS=4,5 В: типово 4,4 мОм, макс. 5,5 мОм при ID=10 А. Порогова напруга Vgs(th) – 1,0–2,5 В при VDS=VGS, ID=250 мкА.
Яка інша назва TW120N03D?
На деталь також вживається позначення 120N03. Виробник – TWGMC.
Документація виробника: TW120N03D (TWGMC).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.