Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY1908B ( HY1908 ) оригінал, D2PAK
117,50 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HY1908B (HY1908) – N-канальний польовий транзистор HUAYI у корпусі D2PAK, 80 В. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, режим збагачення |
| Виробник | HUAYI Microelectronics |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vdss | 80 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 90 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 64 А |
| Імпульсний струм Idm (Tc 25 °C) | 360 А |
| Rds(on) типовий (Vgs 10 В, Id 45 А) | 7 мОм |
| Rds(on) максимум (Vgs 10 В, Id 45 А) | 9 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (типово 3 В) |
| Напруга Vgs | ±25 В |
| Заряд затвора Qg | 86 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 185 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
HY1908B (також HY1908) – N-канальний польовий транзистор HUAYI Microelectronics, режим збагачення, у корпусі D2PAK (TO-263-2L). Напруга стік-витік Vdss – 80 В (мінімум при Vgs 0 В, Id 250 мкА). Струм стоку Id – 90 А при Tc 25 °C і 64 А при Tc 100 °C, імпульсний Idm – 360 А при Tc 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) при Vgs 10 В, Id 45 А і Tc 25 °C – 7 мОм типово, 9 мОм максимум. Заряд затвора Qg – 86 нКл (типово, Vds 64 В, Vgs 10 В, Id 45 А). Вхідна ємність Ciss типово 3800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 185 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте з datasheet Vdss, Id, Rds(on) при Vgs 10 В, заряд затвора Qg (для драйвера) і корпус D2PAK. Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В (типово 3 В), максимальна напруга затвор-витік – ±25 В. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Ключові схеми
- Керування живленням в інверторних системах
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити HY1908B?
Готового аналога в каталозі поки немає. Підбирайте польовий N-канальний транзистор у корпусі D2PAK з таким самим або вищим Vdss, не меншим струмом стоку та не вищим опором Rds(on). Перед заміною порівняйте datasheet.
Яка напруга відкриває HY1908B?
Опір Rds(on) у datasheet вказано при Vgs 10 В: 7 мОм типово, 9 мОм максимум. Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В (типово 3 В) при Id 250 мкА, максимальна напруга затвор-витік – ±25 В.
Чи підходить для інвертора?
У документі виробника застосування – ключові схеми та керування живленням в інверторних системах. Струм і напругу перевірте за таблицею параметрів.
Документація виробника: HY1908P/M/B/MF/PS/PM, N-Channel Enhancement Mode MOSFET, V1.0.
Параметри наведено за datasheet виробника HUAYI Microelectronics (HY1908P/M/B/MF/PS/PM, V1.0).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.