Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор T70R380P ( MMFT70R380P ) оригінал , TO220F
109,04 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
T70R380P (MMFT70R380P) – N-канальний польовий транзистор MagnaChip у корпусі TO-220F для імпульсних перетворювачів і PFC. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | MagnaChip |
| Напруга Vds | 700 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 11 А (Tc 25 °C); 7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | макс. 0,38 Ом, тип. 0,34 Ом (Vgs 10 В, Id 3,2 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | тип. 34 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1061 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 32,4 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
T70R380P (позначення MMFT70R380P) – N-канальний польовий транзистор MagnaChip. Напруга Vds – 700 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 11 А при Tc 25 °C і 7 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 0,38 Ом, типово 0,34 Ом (Vgs 10 В, Id 3,2 А). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В, типово 3 В. Заряд затвора Qg – типово 34 нКл (Vgs 10 В, Vds 560 В, Id 11 А). Вхідна ємність Ciss типово 1061 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Pd – 32,4 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 150 °C. Вбудований діод є: Vsd не більше 1,4 В при Isd 11 А, trr типово 385 нс (di/dt 100 А/мкс).
Це оригінал, не демонтаж. Корпус TO-220F, у документі позначений як TO-220FT. Для точної заміни порівняйте напругу, струм, опір відкритого каналу, заряд затвора й корпус у datasheet. Окремого аналога з нашого каталогу для цієї деталі підібрати не вдалося.
Де застосовують
- Каскади PFC блоків живлення, імпульсні перетворювачі, адаптери, керування двигунами, DC-DC перетворювачі.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити T70R380P?
Порівняйте напругу Vds, струм Id, опір Rds(on), заряд затвора й корпус із datasheet. Окремого аналога з нашого каталогу для цієї деталі немає.
Для яких схем підходить T70R380P?
У документі названо каскади PFC блоків живлення, імпульсні перетворювачі, адаптери, керування двигунами й DC-DC перетворювачі.
Чи є у T70R380P вбудований діод?
Так. Vsd не більше 1,4 В при Isd 11 А, trr типово 385 нс при di/dt 100 А/мкс.
Документація виробника: MMFT70R380PTH (MagnaChip Semicon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.