Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор SLF65R170E7 оригінал, TO220F

94,47 ₴

49 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

49 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

SLF65R170E7 – N-канальний польовий транзистор Msemitek (суперперехід) в корпусі TO-220F: 650 В, 22 А при 25 °C. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, суперперехід
Напруга Vds650 В (VGS=0 В, ID=1 мА)
Струм Id (TC=25 °C)22 А
Струм Id (TC=100 °C)12 А
Опір Rds(on)170 мОм макс., 150 мОм тип. (VGS=10 В, ID=10 А)
Порогова напруга Vgs(th)2,5–4,5 В (VDS=VGS, ID=1,7 мА)
Заряд затвора Qg30,2 нКл тип. (VDS=400 В, ID=10 А, VGS=10 В)
Вхідна ємність Ciss1240 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц)
Час відновлення діода trr274 нс тип. (VDD=400 В, IS=10 А, dIF/dt=100 А/мкс)
Потужність Pd (TC=25 °C)36 Вт
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникMsemitek
СтанОригінал
Опис

SLF65R170E7 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) виробництва Msemitek зі структурою суперперехід (Superjunction) в корпусі TO-220F. Напруга Vds – 650 В (VGS=0 В, ID=1 мА). Струм стоку Id – 22 А при TC=25 °C і 12 А при TC=100 °C, обидва значення обмежені максимальною температурою переходу. Опір відкритого каналу Rds(on) – 170 мОм максимум, типово 150 мОм (VGS=10 В, ID=10 А). Порогова напруга Vgs(th) – 2,5–4,5 В (VDS=VGS, ID=1,7 мА). Заряд затвора Qg – 30,2 нКл типово (VDS=400 В, ID=10 А, VGS=10 В). Вхідна ємність Ciss типово 1240 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц). Час зворотного відновлення діода trr – 274 нс типово (VDD=400 В, IS=10 А, dIF/dt=100 А/мкс). Потужність розсіювання – 36 Вт при TC=25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.

Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте тип каналу, напругу Vds, струм Id і опір Rds(on) при однакових умовах вимірювання, а також корпус і розпіновку. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Імпульсні блоки живлення (SMPS) з високим ККД
Часто питають
Чим замінити SLF65R170E7?

Потрібен N-канальний транзистор у корпусі TO-220F з Vds не нижче 650 В і близькими Id та Rds(on) при однакових умовах. Позицій у нашому каталозі, які проходять ці правила, зараз немає.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Як перевірити транзистор перед встановленням?

Мультиметром у режимі перевірки діодів: між стоком і витоком має бути діод тіла, а між затвором і іншими виводами – обрив.

Яка напруга потрібна на затворі?

Rds(on) 170 мОм максимум задано при VGS=10 В, ID=10 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,5–4,5 В.

Datasheet

Документація виробника: SLF65R170E7 (Msemitek).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

SLF65R170E7 (Msemitek) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F

В наявності

104,81 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id12 А (Tc 25 °C)
Rds(on)0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А)
Вхідна ємність Ciss2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникOSEN
СтанОригінал

Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)202 А
Струм Id (100 °C)143 А
Rds(on)3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А
Vgs(th)2–4 В при Id 250 мкА
Qg103.6 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd271 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
ВиробникIPS
СтанОригінал

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247

В наявності

96,35 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss80 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)200 А
Струм Id (100 °C)153 А
Rds(on)2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А
Vgs(th)2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА
Qg195 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd397 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-247
ВиробникHooyi (Huayi)
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.