Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G020N04 ( HYG020N04 , HYG020N04NR1B ) оригінал (заміна для 020N04 , BR 020N04 , BR020N04), D2PAK
216,20 ₴
15 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
15 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G020N04 (HYG020N04, HYG020N04NR1B) – N-канальний польовий транзистор HUAYI у корпусі D2PAK. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, режим збагачення |
| Виробник | HUAYI |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 220 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 156 А |
| Rds(on) (Vgs=10 В, Ids=40 А) | 1,9 мОм (тип.), 2,4 мОм (макс.) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 200 Вт |
| Qg | 110 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4392 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
G020N04 (HYG020N04, HYG020N04NR1B) – N-канальний MOSFET режиму збагачення виробництва HUAYI у корпусі TO-263-2L (D2PAK). Напруга стік-витік Vdss – 40 В (мінімум при Vgs=0 В, Ids=250 мкА), напруга затвор-витік Vgss – ±25 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 220 А при Tc 25 °C і 156 А при Tc 100 °C, імпульсний Idm – 600 А при Tc 25 °C (обмежено Tj max). Опір відкритого каналу Rds(on) – 1,9 мОм (тип.) і 2,4 мОм (макс.) при Vgs=10 В, Ids=40 А, Tc 25 °C. Вхідна ємність Ciss типово 4392 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 200 Вт при Tc 25 °C.
Оригінал, не демонтаж. У назві товару вказано: заміна для 020N04, BR 020N04, BR020N04. G020N04 може замінити ці позначення. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Підбираючи заміну, порівнюйте Vdss, Id, Rds(on) при однаковому Vgs і корпус. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Комутаційні застосування (Switching application)
- Захист літієвих батарей (Li-battery protection)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Що може замінити G020N04?
За назвою товару G020N04 може замінити 020N04, BR 020N04, BR020N04. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Як підібрати заміну для G020N04?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі D2PAK з Vdss не менше 40 В. Порівнюйте також Id, Rds(on) при Vgs=10 В і заряд затвора Qg (110 нКл тип. у G020N04): при більшому Qg може знадобитися інший драйвер.
Який опір відкритого каналу у G020N04?
Rds(on) – 1,9 мОм (тип.) і 2,4 мОм (макс.) при Vgs=10 В, Ids=40 А, Tc 25 °C.
Документація виробника: HYG020N04NR1P/B, V1.0.
Параметри наведено за datasheet виробника HUAYI (HYG020N04NR1P/B, V1.0); дату випуску документа не вказано.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.