Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
СтанОригінал

Транзистор 60S600CE ( IPAW60R600CE ) оригінал, PG-TO220 FullPAK

141,00 ₴

6 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

6 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

60S600CE (IPAW60R600CE) – N-канальний польовий транзистор Infineon серії CoolMOS CE на 600 В у корпусі PG-TO220 FullPAK. Оригінал, не копія.

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал (CoolMOS CE)
ВиробникInfineon
Напруга Vds600 В (VGS = 0 В, ID = 0,25 мА, Tj 25 °C)
Струм Id (Tc = 25 °C)10,3 А
Струм Id (Tc = 100 °C)6,5 А
Rds(on) макс.0,60 Ом (VGS = 10 В, ID = 2,4 А)
Розсіювана потужність28 Вт (Tc = 25 °C)
Вхідна ємність Ciss444 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
КорпусPG-TO220 FullPAK Wide Creepage
СтанОригінал
Опис

60S600CE – це маркування транзистора IPAW60R600CE виробництва Infineon, N-канального MOSFET серії CoolMOS CE (superjunction). Напруга стік-витік Vds – 600 В (мінімальна напруга пробою при Vgs = 0 В, Tj 25 °C). Струм стоку Id – 10,3 А при Tc = 25 °C та 6,5 А при Tc = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – до 0,60 Ом при Vgs = 10 В, Id = 2,4 А (типове значення 0,54 Ом). Заряд затвора Qg – 20,5 нКл (типове значення). Вхідна ємність Ciss типово 444 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 28 Вт при Tc = 25 °C. Корпус PG-TO220 FullPAK Wide Creepage: вивід 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік; стік також з'єднаний з виводом-фланцем.

Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте з datasheet тип каналу, Vds, Id при Tc = 100 °C, Rds(on) при Vgs = 10 В і корпус: він має бути того ж типу та з тією ж розпіновкою. Напругу затвора Vgs тримайте в межах ±20 В у статичному режимі. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Каскади PFC, жорстко перемикаємі ШІМ-каскади та резонансні каскади, наприклад ПК-блоки живлення (silver box), адаптери, LCD- і PDP-телевізори, освітлення в приміщеннях.
Часто питають
Чим замінити 60S600CE?

Підбирайте N-канальний MOSFET з Vds не нижче 600 В, тим самим корпусом PG-TO220 FullPAK і схожими Id та Rds(on) при Vgs = 10 В. Порівнюйте за datasheet, а не за назвою.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Як розпізнати виводи?

Дивлячись на корпус PG-TO220 FullPAK: вивід 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік. Стік також з'єднаний з фланцем.

Яка напруга на затворі допустима?

Статична Vgs – ±20 В, динамічна (змінна, частота вище 1 Гц) – ±30 В.

Datasheet

Документація виробника: IPAW60R600CE, 600 V CoolMOS CE Power Transistor, Final Data Sheet.

Параметри наведено за datasheet виробника Infineon (IPAW60R600CE, 2016-03-31); умови вимірювання Qg у документі не вказані.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IPAW60R600CE, 600 V CoolMOS CE Power Transistor, Final Data Sheet Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id20 А (безперервний)
Rds(on)0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)3.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.5 В
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)202 А
Струм Id (100 °C)143 А
Rds(on)3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А
Vgs(th)2–4 В при Id 250 мкА
Qg103.6 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd271 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
ВиробникIPS
СтанОригінал

Транзистор IRL1404 оригінал , TO220

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon (International Rectifier)
Тип каналуN-канал, логічний рівень керування
Напруга Vdss40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А)
Rds(on)не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs±20 В (абсолютний максимум)
КорпусTO-220
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.