Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор STW20NA50 ( W20NA50 ) демонтаж, TO247
188,00 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STW20NA50 (W20NA50) – швидкий N-канальний MOSFET STMicroelectronics у корпусі TO-247. Демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 12.7 А |
| Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 10 А) | 0.27 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 150 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot (25 °C) | 250 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Маркування | W20NA50 |
| Стан | Демонтаж б/в |
STW20NA50 – швидкий N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics (серія PowerMESH) у корпусі TO-247. Напруга Vds – 500 В. Струм стоку 20 А при 25 °C і 12.7 А при 100 °C, імпульсний струм – 80 А. Опір відкритого каналу Rds(on) не більше 0.27 Ом при Vgs 10 В і Id 10 А. Заряд затвора Qg – 150 нКл (типове значення при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В). Вхідна ємність Ciss типово 3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 250 Вт при 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Виробник заявляє 100% перевірку на лавину та малі власні ємності.
Демонтаж б/в: деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівняйте напругу Vds, струм стоку, Rds(on) при однаковому Vgs, заряд затвора, корпус і розпіновку. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Потужні швидкі ключові схеми
- Імпульсні блоки живлення (SMPS)
- DC-AC перетворювачі для зварювального обладнання, ДБЖ і приводів двигунів
Це нова деталь чи демонтаж?
Демонтаж б/в: транзистор знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити STW20NA50?
Виробник заміни не назвав. Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з Vds не нижче 500 В, близькими струмом і Rds(on), і звіряйте datasheet.
Чи підходить STW20NA50 для блоків живлення?
За даними datasheet, транзистор призначений для потужних швидких ключових схем, імпульсних блоків живлення (SMPS) та DC-AC перетворювачів.
Який заряд затвора у STW20NA50?
Qg типово 150 нКл при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В. Враховуйте це при виборі драйвера.
Документація виробника: STW20NA50, N-channel enhancement mode fast power MOS transistor.
Параметри наведено за datasheet STMicroelectronics STW20NA50 (грудень 1996).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.