Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
Транзистор AGM405Q , корпус PDFN-8(5×6)
91,65 ₴
22 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
22 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
AGM405Q – N-канальний польовий транзистор AGM-Semi у корпусі PDFN-8 (5×6) на 40 В. Підходить для навантажувальних ключів, захисту акумуляторів і синхронних випрямлячів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | AGM-Semi |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В (Vgs 0 В) |
| Струм стоку Id | 55 А при TC 25 °C (обмежено корпусом); 33 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 4,8 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 20 А; макс. 6,5 мОм) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 7,5 мОм тип. (Id 15 А; макс. 9,5 мОм) |
| Vgs(th) | 1,2 / 1,6 / 2,2 В (мін / тип / макс; Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 28 Вт при TC 25 °C; 11 Вт при TC 100 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 775 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
AGM405Q – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) виробництва AGM-Semi, серія Super Trench II, у корпусі PDFN-8 (5×6) для поверхневого монтажу. Максимальна напруга стік–витік Vds – 40 В при Vgs 0 В. Струм стоку Id – 55 А при температурі корпусу 25 °C (обмежений корпусом) і 33 А при 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 4,8 мОм при Vgs 10 В і Id 20 А (максимум 6,5 мОм) та 7,5 мОм при Vgs 4,5 В і Id 15 А (максимум 9,5 мОм). Порогова напруга Vgs(th) – від 1,2 до 2,2 В, типово 1,6 В при Vds = Vgs і Id 250 мкА. Вхідна ємність Ciss типово 775 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 28 Вт при 25 °C і 11 Вт при 100 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Корпус PDFN-8 (5×6) без виводів, тому тепло відводиться через плату: заздалегідь перевірте площу мідного полігона. Щоб підібрати заміну, візьміть N-канальний транзистор з Vds не нижче 40 В, з Rds(on) не вищим за наведений при тому самому Vgs, у тому самому корпусі з тією самою розпіновкою. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Навантажувальні ключі та захист акумуляторів
- Вторинний синхронний випрямляч імпульсних БЖ
- Живлення ядра відеокарт і материнських плат (Vcore), POL, драйвери BLDC-двигунів
Чим замінити AGM405Q?
Підбирайте N-канальний MOSFET у тому самому корпусі PDFN-8 (5x6) з тією самою розпіновкою, з Vds не нижче 40 В і Rds(on) не вищим за 6,5 мОм при Vgs 10 В. Взаємозамінність перевіряйте за datasheet.
Чи можна керувати AGM405Q логічним рівнем?
Rds(on) нормовано і при Vgs 4,5 В: типово 7,5 мОм при Id 15 А. Порогова напруга Vgs(th) – від 1,2 до 2,2 В при Id 250 мкА.
Чому струм 55 А не можна брати за робочий?
У datasheet Id 55 А при 25 °C обмежений корпусом, а при 100 °C дозволено 33 А. Реальний струм залежить від охолодження на вашій платі.
Документація виробника: AGM405Q (AGMSEMI).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.