Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P(H)IS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SB778+2SD998 ( B778+D998 , KTB778+KTD998 ) оригінали, TO-3P(H)IS
188,00 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
2SB778+2SD998 – комплементарна пара біполярних транзисторів PNP і NPN, оригінали, у корпусі TO-3P(H)IS. Для вихідного каскаду підсилювачів звуку.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P(H)IS |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | 2SB778 PNP, 2SD998 NPN |
| Напруга Vceo | 120 В |
| Напруга Vcbo | 120 В |
| Струм колектора Ic | 10 А |
| Потужність Pd | 80 Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE1 | 55–160 |
| Коефіцієнт підсилення hFE2 | 35 |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,5 В |
| Гранична частота fT | 10 МГц |
| Корпус | TO-3P(H)IS |
| Стан | Оригінал |
2SB778+2SD998 (також B778+D998, KTB778+KTD998) – комплементарна пара біполярних транзисторів: 2SB778 PNP і 2SD998 NPN. У назві товару корпус TO-3P(H)IS, у даташиті 2SB778 / 2SD998 (EVVOSEMI) – TO-3PF. За даташитом на пару: напруга колектор–емітер Vceo 120 В (Ic 50 мА, Ib 0, Tc 25 °C, для обох транзисторів), напруга колектор–база Vcbo 120 В (Tc 25 °C), струм колектора Ic 10 А (Tc 25 °C). Потужність розсіювання Pd 80 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tj 150 °C. Коефіцієнт підсилення hFE1 55–160 при Vce 5 В, Ic 1 А, hFE2 не менше 35 при Vce 5 В, Ic 5 А. Напруга насичення Vce(sat) не більше 2,5 В при Ic 5 А, Ib 0,5 А. Гранична частота fT 10 МГц при Vce 5 В, Ic 1 А.
Товар – оригінали, пара з двох транзисторів. Область безпечної роботи: 2,5 А / 80 В протягом 1 с. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Вихідний каскад підсилювачів звуку від 80 Вт
Що входить до товару?
Комплементарна пара: транзистор 2SB778 (PNP) і транзистор 2SD998 (NPN).
Це оригінали чи демонтаж?
Оригінали, не демонтаж.
Який корпус у цієї пари?
У назві товару вказано TO-3P(H)IS, у документі виробника – TO-3PF.
Для якого підсилювача підходить пара?
Для вихідного каскаду підсилювачів звуку від 80 Вт. Область безпечної роботи: 2,5 А / 80 В протягом 1 с.
Документація виробника: 2SB778+2SD998.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2N4401 , to92
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 60 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 600 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT (мін.) | 250 МГц (Vce 10 В, Ic 20 мА, f 100 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SA733 , to92
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -50 В |
| Напруга Vcbo | -60 В |
| Струм колектора Ic | -150 мА (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 250 мВт (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 90–600 (Ic -1 мА, Vce -6 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0.3 В макс. (Ic -100 мА, Ib -10 мА) |
| Гранична частота fT | 180 МГц тип. (Ic -10 мА, Vce -6 В) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.