Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AP220N06MP оригінал, TO247
133,95 ₴
44 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
44 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
AP220N06MP оригінал – N-канальний MOSFET на 60 В і 220 А у корпусі TO-247. Підходить для захисту акумуляторів, навантажувальних ключів та безперебійного живлення.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Enhancement Mode, APM-SGT |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 220 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 136 А |
| Опір Rds(on) | 3,0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=20 А; typ 2,4 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 93 нКл typ. (VGS=10 В, VDS=50 В, ID=50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5950 пФ (Vds 25 В, f 100 кГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 168 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
AP220N06MP – N-канальний MOSFET (Enhancement Mode, APM-SGT) виробництва A Power microelectronics у корпусі TO-247-3L. Напруга Vds – 60 В. Струм стоку Id – 220 А при Tc 25 °C і 136 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) максимум 3,0 мОм при VGS=10 В, ID=20 А (типово 2,4 мОм); при VGS=6 В, ID=15 А максимум 5,0 мОм. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В при VDS=VGS, ID=250 мкА (типово 2,6 В). Заряд затвора Qg типово 93 нКл при VGS=10 В, VDS=50 В, ID=50 А. Вхідна ємність Ciss типово 5950 пФ (Vds 25 В, f 100 кГц). Потужність Pd – 168 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 150 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. Для заміни підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з Vds не нижче 60 В, Id та Rds(on) не гірше за наведені вище при тій самій напрузі на затворі. Якщо у кандидата заряд затвора Qg вдвічі більший, перевірте, чи впорається драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Захист акумуляторів
- Навантажувальні ключі
- Безперебійне живлення
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| HY4008W | канал N = N, Vds 80 ≥ 60, Id(25 °C) 200 ≥ 0.8×220=176, Rds(on) Vgs 10 В max 3.5 ≤ 1.3×3=3.9 мОм, корпус TO-247 = TO-247 | драйвер: заряд затвора вдвічі більший | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити AP220N06MP?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з Vds не нижче 60 В, Id та Rds(on) не гірше за наведені вище. У нашому каталозі є HY4008W (80V,200A) – він проходить правила підбору, але має вдвічі більший заряд затвора, тому перевірте драйвер.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи можна використати AP220N06MP для захисту акумуляторів?
Так, це одне із застосувань, названих у документі. Враховуйте Vds 60 В і Rds(on) максимум 3,0 мОм при VGS=10 В, ID=20 А.
Який опір каналу при керуванні 6 В?
Максимум 5,0 мОм при VGS=6 В, ID=15 А. При VGS=10 В, ID=20 А – максимум 3,0 мОм, типово 2,4 мОм.
Документація виробника: AP220N06MP (A Power microelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.