Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS50N20 оригінал, TO220
164,50 ₴
62 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
62 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CS50N20 – оригінальний N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO220. За даташитом найближчої деталі: 200 В, 50 А.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 200 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 50 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 38,5 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 20 А) | 51 мОм (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 250 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 2819 пФ (тип.) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
CS50N20 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO220, оригінал. Точного даташиту на CS50N20 не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої деталі CS50N20 A8R (CR Micro): напруга стік–витік Vdss 200 В, струм стоку Id 50 А при TC = 25 °C і 38,5 А при TC = 100 °C, імпульсний струм Idm 200 А. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 42 мОм, не більше 51 мОм (VGS = 10 В, ID = 20 А). Порогова напруга Vgs(th) від 2,0 до 4,0 В, напруга затвор–витік ±30 В. Заряд затвора Qg типово 49,4 нКл (ID = 20 А, VDD = 160 В, VGS = 10 В), вхідна ємність Ciss типово 2819 пФ (VDS = 25 В, f = 1,0 МГц). Розсіювана потужність Pd 250 Вт (TC = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус Rthjc не більше 0,5 °C/Вт, температура переходу до 150 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. За даташитом такі транзистори застосовують у ключових схемах адаптерів і зарядних пристроїв. Заміну підбирайте за тим самим каналом (N), корпусом TO220 і розпіновкою: Vdss не нижче 200 В, струм стоку не нижче 50 А, Rds(on) не вище 51 мОм при VGS = 10 В. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- ключові схеми адаптерів
- зарядні пристрої
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити CS50N20?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO220 з напругою стік–витік не нижче 200 В, струмом стоку не нижче 50 А і опором відкритого каналу не вище 51 мОм при VGS = 10 В. Параметри наведено за найближчим даташитом, тому перед заміною звірте їх із документацією на вашу схему.
Чи підходить CS50N20 для адаптерів і зарядних пристроїв?
У даташиті найближчої деталі CS50N20 A8R як застосування вказано ключові схеми адаптерів і зарядних пристроїв.
Звідки параметри CS50N20?
Точного даташиту на CS50N20 не знайшли. Параметри взято з даташиту найближчої деталі CS50N20 A8R (CR Micro) у корпусі TO-220AB. Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Найближчий datasheet: CS50N20 A8R (CR Micro).
Точного даташиту на CS50N20 не знайдено. Параметри взято з даташиту на CS50N20 A8R.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.