Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FP12N65 ( FP12N65C ) оригінал (заміна для CR12N65 , TSP12N65M , SFP12N65 , SSFP12N65 , WFP12N65 , CR12N65 A8K , CR12N65A8K , 12N65A8K , OSG60R580P )(12A,650V), TO220
150,40 ₴
37 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
37 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FP12N65 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) на 12 А і 650 В у корпусі TO-220, оригінал. Параметри – за даташитом FHP12N65C.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id | 12 А (Tc = 25 °C) |
| Опір каналу Rds(on) | 0,75 Ом макс. (VGS = 10 В) |
| Заряд затвора Qg | 52 нКл (тип.) |
| Потужність Pd | 231 Вт (Tc = 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
FP12N65 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-220. Позначення FP12N65C в назві – другий номер цієї ж деталі. Точного даташиту на FP12N65 не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі FHP12N65C (Feihong) у тому самому корпусі: напруга стік–витік 650 В, струм стоку Id 12 А при Tc = 25 °C (7 А при Tc = 100 °C), імпульсний струм 48 А, напруга затвор–витік ±30 В. Опір відкритого каналу Rds(on) не більше 0,75 Ом, типово 0,63 Ом (VGS = 10 В, ID = 6 А). Порогова напруга Vgs(th) від 3,0 до 5,0 В, заряд затвора Qg 52 нКл (тип.). Потужність розсіювання Pd 231 Вт (Tc = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус 0,54 °C/Вт, температура переходу до 150 °C.
За даташитом такі транзистори ставлять ключами в імпульсні блоки живлення, електронні баласти і джерела живлення світлодіодів. Деталь оригінальна, не демонтаж. За назвою товару FP12N65 може замінити CR12N65, TSP12N65M, SFP12N65, SSFP12N65, WFP12N65, CR12N65 A8K, CR12N65A8K, 12N65A8K та OSG60R580P. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Заміну підбирайте за типом каналу (N) і корпусом TO-220: напруга не нижче 650 В, струм не нижче 12 А. Перед монтажем звірте розпіновку з платою: за даташитом 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- імпульсні блоки живлення
- електронні баласти
- джерела живлення світлодіодів
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити FP12N65?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з напругою стік–витік не нижче 650 В і струмом стоку не нижче 12 А. Параметри FP12N65 наведено за даташитом FHP12N65C, тому перед заміною звірте їх із документацією на ваш пристрій.
Що може замінити FP12N65?
За назвою товару FP12N65 може замінити CR12N65, TSP12N65M, SFP12N65, SSFP12N65, WFP12N65, CR12N65 A8K, CR12N65A8K, 12N65A8K та OSG60R580P. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Звідки параметри FP12N65?
Точного даташиту на FP12N65 не знайшли. Параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі – FHP12N65C (Feihong). Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Найближчий datasheet: FHP12N65C (Feihong).
Точного даташиту на FP12N65 не знайдено. Найближчий схожий даташит – FHP12N65C (Feihong).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.