Транзистор FQA20N65D ( FQA20N65) оригінал ( заміна для FQA20N65C , FHA20N65 )(650V,20A), TO-3P

FQA20N65D – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-3P. У назві також вказано позначення FQA20N65. Точного даташиту на FQA20N65D не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі 20N65D (WXDH), де описано і корпус TO-3P: напруга Vds 650 В, напруга затвор–витік ±30 В. Струм Id 20 А при Tc = 25 °C і 12,5 А при 100 °C, імпульсний Idm 80 А. Потужність розсіювання Pd 260 Вт (Tc = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус 0,45 °C/Вт, температура переходу від –55 до +150 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 0,40 Ом типово і не більше 0,50 Ом (Vgs = 10 В, Id = 10 А). Порогова напруга Vgs(th) від 2,0 до 4,0 В, заряд затвора Qg 58 нКл, вхідна ємність Ciss 2983 пФ. Вбудований діод має пряму напругу не більше 1,5 В при струмі 20 А.

За даташитом такі транзистори ставлять в імпульсні джерела живлення, електронні баласти й адаптери. Оригінал, не демонтаж. У назві вказано, що FQA20N65D може замінити FQA20N65C та FHA20N65. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Перед монтажем звірте розпіновку з платою: за даташитом 20N65D 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

• імпульсні джерела живлення
• електронні баласти
• адаптери живлення