Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP20N50A оригінал (заміна для FTP20N50C ) , TO220
164,50 ₴
28 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
28 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FTP20N50A – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) 500 В, 20 А у корпусі TO-220. Оригінал, не демонтаж. Заміна для FTP20N50C.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 20 А (Tc = 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,24 Ом тип., 0,3 Ом макс. (Vgs = 10 В) |
| Потужність Pd | 175 Вт (Tc = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
FTP20N50A – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-220. Точного даташиту на FTP20N50A не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі PTP20N50A (PIP) у тому самому корпусі: напруга стік–витік Vds 500 В, напруга затвор–витік ±30 В, струм стоку Id 20 А (Tc = 25 °C). Потужність розсіювання Pd 175 Вт, тепловий опір перехід–корпус 0,71 °C/Вт, температура переходу від –55 до +150 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 0,24 Ом типово і не більше 0,3 Ом (Vgs = 10 В, Id = 10 А). Порогова напруга Vgs(th) від 2,0 до 4,0 В, заряд затвора Qg 65 нКл, вхідна ємність Ciss 2670 пФ. Вбудований швидкий діод має пряму напругу не більше 1,5 В при струмі 20 А.
За даташитом такі транзистори ставлять у зарядні пристрої, адаптери й імпульсні блоки живлення. Оригінал, не демонтаж. За назвою товару FTP20N50A – заміна для FTP20N50C; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Перед монтажем звірте розпіновку з платою: за даташитом PTP20N50A зліва направо G – затвор, D – стік, S – витік. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- зарядні пристрої й адаптери
- імпульсні блоки живлення
- живлення LCD-панелей
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити FTP20N50A?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з напругою стік–витік не нижче 500 В, струмом стоку не нижче 20 А і опором відкритого каналу не вищим за 0,3 Ом. Параметри FTP20N50A наведено за даташитом PTP20N50A, тому перед заміною звірте їх із документацією на ваш пристрій.
Чи можна ставити FTP20N50A замість FTP20N50C?
За назвою товару FTP20N50A може замінити FTP20N50C. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Звідки параметри FTP20N50A?
Точного даташиту на FTP20N50A не знайшли. Параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі – PTP20N50A (PIP), корпус TO-220. Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Найближчий datasheet: PTP20N50A (PIP).
Точного даташиту на FTP20N50A не знайдено. Найближчий схожий даташит – PTP20N50A (PIP), корпус TO-220.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.