Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
FHA50N50 ( 50N50 ) оригінальний транзистор (заміна для FQA50N50 , FDA50N50 ), TO-3P
259,91 ₴
41 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
41 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FHA50N50 (маркування 50N50) – оригінальний N-канальний MOSFET FeiHong у корпусі TO-3P, заміна для FQA50N50 і FDA50N50. Для імпульсних джерел живлення та інверторів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | FeiHong |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 50 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 31 А |
| Опір Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 25 А) | 88 мОм тип., 105 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 148 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 7950 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C) | 500 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
FHA50N50 – N-канальний польовий транзистор виробництва FeiHong у корпусі TO-3P, на корпусі маркування 50N50. Параметри наведено за даташитом найближчої деталі FHA50N50W. Напруга стік–витік Vds – 500 В (BVDSS, ID = 250 мкА, VGS = 0 В). Струм стоку Id – 50 А при TC = 25 °C (обмежено максимальною температурою переходу) і 31 А при TC = 100 °C. Опір Rds(on) – 88 мОм типово і 105 мОм максимум при VGS = 10 В, ID = 25 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В. Вхідна ємність Ciss типово 7950 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 500 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Заряд затвора Qg – 148 нКл при VDS = 400 В, ID = 50 А, VGS = 10 В, тож драйвер має бути розрахований на такий заряд. Вбудований діод: trr 500 нс і Vsd макс. 1,3 В при VGS = 0 В, IS = 50 А. Це оригінал, не демонтаж. FHA50N50 може замінити FQA50N50 і FDA50N50; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Де застосовують
- Імпульсні джерела живлення високої ефективності
- Інверторні системи (керування живленням)
Чим замінити FHA50N50?
Шукайте N-канальний MOSFET у TO-3P з Vds не нижче 500 В, Id не менше 50 А при 25 °C і Rds(on) не вищим за 105 мОм при VGS = 10 В. Параметри порівнюйте за datasheet самостійно.
Що може замінити FHA50N50?
FHA50N50 може замінити FQA50N50 і FDA50N50. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
На що звернути увагу при заміні в блоці живлення?
Заряд затвора Qg у даташиті найближчої деталі – 148 нКл при VDS = 400 В, ID = 50 А, VGS = 10 В. Якщо драйвер розрахований на менший заряд, перевірте схему перед установкою.
Найближчий datasheet: FHA50N50W (FeiHong).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.