Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G023N04 ( HYG023N04 , HYG023N04NR1P , HYG023N04LS1P ) оригінал, TO220
164,50 ₴
24 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
24 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G023N04 (HYG023N04, HYG023N04NR1P, HYG023N04LS1P) – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) на 40 В і 170 А в корпусі TO220, оригінал. Для керування живленням і DC-DC перетворювачів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Інші позначення | HYG023N04, HYG023N04NR1P, HYG023N04LS1P |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 170 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 120 А |
| Опір Rds(on) | 2,1 мОм тип., 2,6 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 40 А) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 2,9 мОм тип., 3,5 мОм макс. (VGS = 4,5 В, IDS = 40 А) |
| Напруга Vgs(th) | 1–3 В, тип. 1,9 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 58,7 нКл (VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4032 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 150 Вт |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
G023N04 – N-канальний польовий транзистор HUAYI (режим збагачення). У назві товару вказані також позначення HYG023N04, HYG023N04NR1P, HYG023N04LS1P; параметри наведені за документом HYG023N04LS1P. Напруга стік–витік Vds – 40 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА). Струм стоку Id – 170 А при Tc 25 °C і 120 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 2,1 мОм типово і 2,6 мОм максимум (VGS = 10 В, IDS = 40 А); при VGS = 4,5 В – 2,9 мОм типово і 3,5 мОм максимум. Порогова напруга Vgs(th) – 1–3 В, типово 1,9 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА). Заряд затвора Qg – 58,7 нКл (VGS = 10 В). Вхідна ємність Ciss типово 4032 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 150 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 175 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте з вашою деталлю канал (N), Vds не нижче, струм Id, Rds(on) не вище при тому ж Vgs і корпус TO-220 з тією ж розпіновкою. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Керування живленням, DC-DC перетворювачі.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити G023N04?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з тією ж розпіновкою: Vds не нижче 40 В, Rds(on) не вищий за 2,6 мОм (VGS = 10 В, IDS = 40 А), струм Id порівнянний. Порівнюйте цифри при однакових умовах вимірювання за datasheet.
Як перевірити G023N04 мультиметром?
Вимкніть деталь з плати. У режимі перевірки діодів між стоком і витоком транзистор поводиться як діод, а між затвором і іншими виводами струму бути не повинно. Перед перевіркою розрядіть затвор, торкнувшись до виводів.
Чим відрізняються G023N04, HYG023N04, HYG023N04NR1P і HYG023N04LS1P?
Усі чотири позначення стоять у назві товару як одна позиція. Параметри в картці взяті з документа на HYG023N04LS1P.
Документація виробника: HYG023N04LS1P (HUAYI).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.