Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусSOIC-16 (wide body)
СтанОригінал

Мікросхема ID7S625 ( ID7S625SBC-R1 ) оригінал, SOIC-16(W)

100,11 ₴

67 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

67 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

ID7S625 (ID7S625SBC-R1) – оригінальна мікросхема, високовольтний драйвер затворів MOSFET і IGBT верхнього та нижнього ключа в корпусі SOIC-16(W).

ПараметрЗначення
КорпусSOIC-16 (wide body)

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Призначеннявисоковольтний швидкий драйвер MOSFET і IGBT з незалежними каналами верхнього і нижнього ключа
Робоча напруга плаваючого каналудо 600 В
Напруга живлення драйвера затвора10–20 В
Вихідний струм2,5 А (імпульсний струм короткого замикання виходу, джерело і стік)
Логічні входисумісні з 3,3 / 5 / 15 В
ЗахистUVLO для обох каналів
КорпусSOIC-16 (wide body)
ВиробникChipown
СтанОригінал
Опис

ID7S625 (ID7S625SBC-R1) – мікросхема виробництва Chipown, високовольтний швидкий драйвер MOSFET і IGBT з незалежними каналами верхнього і нижнього ключа. Робоча напруга плаваючого каналу – до 600 В, напруга живлення драйвера затвора – 10–20 В. Вихідний струм – 2,5 А (імпульсний струм короткого замикання виходу, джерело і стік). Логічні входи сумісні з 3,3 / 5 / 15 В. Для обох каналів є захист UVLO. Корпус – SOW16 (SOIC-16 широкий), 16 виводів.

Це оригінал, не демонтаж. Заміну підбирайте за повним збігом корпусу та розпіновки: потрібен саме широкий корпус SOIC-16(W), а напруга плаваючого каналу, напруга живлення і вихідний струм мають бути не нижчі за наведені вище. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • DC/DC перетворювачі
  • Драйвер силових MOSFET і IGBT
  • DC/AC перетворювачі
Часто питають
Чим замінити ID7S625?

Підходить лише драйвер верхнього і нижнього ключа в тому самому корпусі SOIC-16(W) з такою самою розпіновкою. Напруга плаваючого каналу має бути не нижчою за 600 В. Перед заміною порівняйте datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Якими транзисторами може керувати ID7S625?

Це драйвер силових MOSFET і IGBT. Логічні входи сумісні з 3,3 / 5 / 15 В.

Чи є в ID7S625 захист за напругою живлення?

Так, для обох каналів є захист UVLO.

Datasheet

Документація виробника: ID7S625 (Chipown).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

ID7S625 (Chipown) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

IGBT-транзистор 40N60FD2 оригінал( SGT40N60FD2 , 40N60FD , TGAN40N60FD , SGT40N60FD ), TO3P

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vce600 В
Струм колектора Ic (25 °C)80 А
Струм колектора Ic (100 °C)40 А
Струм колектора Icm (імпульсний)120 А
Розсіювана потужність Pd380 Вт (Tc 25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)1,8 В тип. / 2,7 В макс. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Порогова напруга Vge(th)4,0…6,5 В (тип. 5,0 В)
Заряд затвора Qg100 нКл
Вбудований діод (FRD), Vfm1,9 В тип. / 2,6 В макс. (If 20 А, Tc 25 °C)
Вбудований діод (FRD), Trr32 нс
КорпусTO-3P
СтанОригінал

IGBT-транзистор G60T60AK3HD оригінал ( CRG60T60AK3HD ), TO247(Заміна для G60T60AK3SD , CRG60T60AK3SD )

В наявності

134,42 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В (Tc 25 °C)
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Розсіювана потужність Ptot403 Вт
Напруга насичення Vce(sat)1.85 В тип. / 2.4 В макс. (60 А, 15 В)
КорпусTO-247
Вбудований діодє (антипаралельний)
Робоча температура Tj-40…+150 °C
СтанОригінал

Транзистор CS150N04 ( CS150N04A8 , 150N04 , FP150N04S , HFP150N04S ) оригінал , TO220(40V,150A)

В наявності

91,18 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал
ВиробникHuajing Microelectronics
Напруга Vds40 В
Струм Id (TC = 25 °C)150 А
Струм Id (TC = 100 °C)90 А
Імпульсний струм Idm (TC = 25 °C)600 А
Опір Rds(on)4 мОм (тип.), до 4,5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 50 А
Vgs(th)2,0–3,5 В
Qg160 нКл (тип.) при VGS = 10 В
Вхідна ємність Ciss8900 пФ (VDS = 25 В, f = 1,0 МГц)
Тепловий опір перехід–корпус0,83 °C/Вт (тип.)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор SVG104R5NT ( 104R5NT ) оригінал, TO220

В наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку ID (25 °C)120 А
Струм стоку ID (100 °C)110 А
Опір Rds(on)3,6 мОм тип., макс. 4,5 мОм (VGS = 10 В, ID = 50 А)
Порогова напруга Vgs(th)2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg114 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss7266 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Потужність Pd208 Вт (TC = 25 °C)
Напруга Vgs±20 В
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-220
ВиробникSilan Microelectronics
СтанОригінал

Схожі товари

Мікросхема 24C08WP ( ST24C08WP , M24C08-WMN6TP ) оригінал, so-8

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
Обсяг пам'яті8K (8192 біт)
Організація1024 x 8
ІнтерфейсI2C (двопровідний)
Напруга живлення2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В)
Частота SCL100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В)
Розмір сторінки запису16 байт
Час циклу запису (макс.)5 мс
Циклів запису1 000 000
Зберігання даних100 років
Робоча температура-55…+125 °C
КорпусSO-8
СтанОригінал

Мікросхема 24C16 ( ST24C16RP , AT24C16N . ST24C16WP , M24C16-RMN6TP ) , so-8

В наявності

22,09 ₴
ПараметрЗначення
Обсяг пам'яті16 Кбіт (2048 x 8)
ІнтерфейсTwo-wire (I2C-сумісний)
Напруга живлення Vcc2,7–5,5 В або 1,8–5,5 В (два виконання)
Розмір сторінки запису16 байт
Час циклу запису5 мс (максимум)
Ресурс запису1 000 000 циклів
Зберігання даних100 років
КорпусSO-8

Мікросхема SLM2110 ( SLM2110CG ) оригінал, SOIC-16(WB)

В наявності

73,79 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSillumin
Канали2 незалежні (верхній і нижній)
Макс. напруга верхнього плеча600 В
Вихідний струм IO+/IO-1 / 1,6 А
Напруга живлення VCC10–20 В
Затримка вмикання ton140 нс (typ)
Затримка вимикання toff140 нс (typ)
КорпусSOIC-16 (wide body)
Корпус (докладно)SOIC-16 (WB)
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.