Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-252 (D-PAK)
СтанОригінал

Транзистор ME60N03A оригінал (заміна для ME60N03L , FQD60N03L ) , DPAK

107,16 ₴

17 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

17 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

ME60N03A – оригінальний N-канальний MOSFET Matsuki у корпусі DPAK (TO-252) для DC/DC перетворювачів і драйверів двигунів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-252 (D-PAK)

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds25 В (Vgs 0, Id 250 мкА)
Rds(on)8,5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 30 А); 13 мОм макс. (Vgs 4,5 В)
Заряд затвора Qg22 нКл (Vds 15 В, Vgs 10 В, Id 35 А)
Вхідна ємність Ciss1100 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц)
Vgs(th)1–3 В (Id 250 мкА)
Tj max150 °C
КорпусTO-252 (D-PAK)
ВиробникMatsuki
СтанОригінал
Опис

ME60N03A – N-канальний польовий транзистор Matsuki (trench, режим збагачення) у корпусі DPAK (TO-252). Напруга Vds – 25 В (Vgs 0, Id 250 мкА). Опір відкритого каналу Rds(on) – до 8,5 мОм при Vgs 10 В, Id 30 А; при Vgs 4,5 В – до 13 мОм, типове значення 6,5 мОм. Заряд затвора Qg – 22 нКл (макс. 25 нКл) при Vds 15 В, Vgs 10 В, Id 35 А. Вхідна ємність Ciss типово 1100 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 1–3 В (типове 1,6 В) при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Максимальна температура переходу Tj – 150 °C. Вбудований діод є: Vsd 0,87 В (макс. 1,5 В) при Is 20 А, Vgs 0.

Стан: оригінал, не демонтаж. ME60N03A може замінити ME60N03L і FQD60N03L; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Перетворювачі постійної напруги DC/DC
  • Драйвери двигунів
Часто питають
Чим замінити ME60N03A?

Підійде N-канальний MOSFET у корпусі DPAK з Vds не нижче 25 В і Rds(on) не гіршим, ніж 8,5 мОм при Vgs 10 В. Параметри звіряйте за datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи може ME60N03A замінити ME60N03L і FQD60N03L?

Так, ME60N03A може замінити ME60N03L і FQD60N03L. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Чи керується транзистор логічним рівнем?

Rds(on) нормується і при Vgs 4,5 В: до 13 мОм. Поріг Vgs(th) – 1–3 В.

Datasheet

Документація виробника: ME60N03A (Matsuki).

Струм стоку Id і розсіювана потужність Pd у документі не підтверджені, тому в картці не вказані.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

ME60N03A (Matsuki) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор IRL1404 оригінал , TO220

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon (International Rectifier)
Тип каналуN-канал, логічний рівень керування
Напруга Vdss40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А)
Rds(on)не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs±20 В (абсолютний максимум)
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )

В наявності

109,98 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss60 В
Струм Id (25 °C)200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А)
Струм Id (100 °C)140 А (розрахунково)
Rds(on)2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА
Qg155 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникRuichips
СтанОригінал

Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET (CoolMOS)
V(BR)DSS500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Струм Id16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Qg66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А)
Вхідна ємність Ciss1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Ptot160 Вт (Tc 25 °C)
Vgs±20 В
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.