Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCE6075K оригінал, D-PAK
71,44 ₴
15 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
15 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
NCE6075K – оригінальний N-канальний MOSFET Wuxi NCE Power Semiconductor, 60 В, 75 А при Tc 25 °C, у корпусі D-PAK.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 75 А (Tc 25 °C), 50 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 300 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 9.1 мОм, макс. 11.5 мОм (Vgs=10 В, Id=30 А) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл (Vds=30 В, Id=30 А, Vgs=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2350 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 110 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
NCE6075K – N-канальний MOSFET Wuxi NCE Power Semiconductor у корпусі TO-252-2L (D-PAK) для поверхневого монтажу. За даташитом напруга Vds – 60 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 75 А при Tc 25 °C і 50 А при Tc 100 °C, імпульсний Idm – 300 А при Tc 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 9.1 мОм (макс. 11.5 мОм) при Vgs=10 В, Id=30 А. Заряд затвора Qg – 50 нКл при Vds=30 В, Id=30 А, Vgs=10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2350 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність Pd – 110 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 175 °C. Вбудований діод має час зворотного відновлення trr 28 нс при Tj 25 °C, If=75 А, di/dt=100 А/мкс.
Оригінал, не демонтаж. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, склад у Запоріжжі. Щоб підібрати заміну, порівняйте з NCE6075K канал (N), корпус D-PAK із тією ж розпіновкою, напругу Vds, струм Id, опір Rds(on) при однаковій Vgs і заряд затвора Qg: від нього залежить навантаження на драйвер. Порівнюйте лише значення, виміряні за однакових умов.
Де застосовують
- Силові перемикачі
- Жорстко перемикані та високочастотні схеми
- Джерела безперебійного живлення
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити NCE6075K?
Шукайте N-канальний MOSFET у D-PAK з тією ж розпіновкою: Vds не нижче 60 В, Id близький до 75 А при Tc 25 °C, Rds(on) не гірший за 9.1 мОм при Vgs=10 В. Якщо Qg удвічі більший, перевірте драйвер. Остаточну сумісність перевіряйте за даташитом.
Як перевірити NCE6075K мультиметром?
Виміряйте мультиметром у режимі діода перехід витік–стік: це вбудований діод, він має вести в одному напрямку. Між затвором і двома іншими виводами не має бути провідності. Повноцінну перевірку робіть у схемі.
Яка напруга керування затвором для NCE6075K?
Rds(on) наведено при Vgs=10 В. Максимальна напруга затвор–витік – ±20 В. Порогова напруга Vgs(th) – 3 В при Vds=Vgs, Id=250 мкА.
Документація виробника: NCE6075K (Wuxi NCE Power Semiconductor).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.