Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI HY3606P ( HY3606 ) оригінал, TO220
105,28 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HY3606P (HY3606) – N-канальний польовий транзистор HUAYI в корпусі TO220, оригінал. Vds 60 В, Rds(on) 3.5 мОм тип. при VGS 10 В.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220FB-3L |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, enhancement mode |
| Напруга Vds | 60 В (TC 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±25 В |
| Струм стоку Id | 162 А (TC 25 °C); 105 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) тип. | 3.5 мОм (VGS 10 В, IDS 81 А, TC 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 4.5 мОм (VGS 10 В, IDS 81 А, TC 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0 (мін.) / 3.0 (тип.) / 4.0 (макс.) В |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (VDS 48 В, VGS 10 В, IDS 81 А, тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4376 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 214 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
HY3606P (HY3606) – N-канальний польовий транзистор HUAYI (Hua Yi Microelectronics) типу enhancement mode в корпусі TO-220FB-3L (у назві товару – TO220). Напруга стік-витік Vds – 60 В при TC 25 °C, напруга затвор-витік Vgs – ±25 В. Струм стоку Id – 162 А при TC 25 °C і 105 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 3.5 мОм тип. і 4.5 мОм макс. при VGS 10 В, IDS 81 А, TC 25 °C. Розсіювана потужність Pd – 214 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 175 °C. Заряд затвора Qg – 130 нКл тип. при VDS 48 В, VGS 10 В, IDS 81 А. Вхідна ємність Ciss типово 4376 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). За даними виробника, транзистор пройшов 100% avalanche tested.
Стан: оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте тип каналу (N), Vds, Id, Rds(on) при VGS 10 В і корпус, а також заряд затвора Qg: якщо він більший, драйверу затвора буде складніше. Аналоги від виробника не названі. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Комутаційні застосування
- Керування живленням в інверторних системах
Чим замінити HY3606P?
Аналоги від виробника не названі. Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 60 В, великим запасом за Id (у HY3606P 162 А при TC 25 °C) і Rds(on) не вищим за 3.5 мОм при VGS 10 В. Перед заміною порівняйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить для інверторів і комутації?
У datasheet серед застосувань названо комутаційні застосування та керування живленням в інверторних системах. Для конкретної схеми звірте напругу, струм і заряд затвора Qg 130 нКл.
Який опір відкритого каналу у HY3606P?
Rds(on) – 3.5 мОм тип. і 4.5 мОм макс. при VGS 10 В, IDS 81 А, TC 25 °C.
Документація виробника: HY3606P/B, N-Channel Enhancement Mode MOSFET, V1.0.
Параметри наведено за datasheet HY3606P/B V1.0 (копія документа виробника).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.