Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK
СтанОригінал

Транзистор HUAYI G023N04 ( HYG023N04LS1B ) оригінал, D2PAK

164,50 ₴

63 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

63 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

HYG023N04LS1B (G023N04) – оригінальний N-канальний польовий транзистор HUAYI у корпусі D2PAK для керування живленням у DC/DC перетворювачах.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникHUAYI
Напруга Vds40 В
Струм Id (Tc 25 °C)170 А
Струм Id (Tc 100 °C)120 А
Rds(on) (VGS 10 В, IDS 40 А)2.1 мОм (тип.), 2.6 мОм (макс.)
Rds(on) (VGS 4.5 В, IDS 40 А)2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.)
Vgs(th)1–3 В
Qg58.7 нКл
Вхідна ємність Ciss4032 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd (Tc 25 °C)150 Вт
Tj макс.175 °C
КорпусD2PAK
СтанОригінал
Опис

HYG023N04LS1B (G023N04) – N-канальний MOSFET HUAYI у корпусі D2PAK (TO-263-2L), працює в режимі збагачення. Напруга стік-витік Vds 40 В (VGS 0 В, IDS 250 мкА). Струм стоку Id 170 А при Tc 25 °C і 120 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 2.1 мОм (тип.), 2.6 мОм (макс.) при VGS 10 В, IDS 40 А, Tc 25 °C; при VGS 4.5 В – 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.). Вхідна ємність Ciss типово 4032 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd 150 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 175 °C.

Товар – оригінал, не демонтаж. Заряд затвора Qg 58.7 нКл (VGS 10 В, VDS 32 В, IDS 20 А), порогова напруга Vgs(th) 1–3 В при VDS = VGS, IDS 250 мкА. Підбираючи заміну, порівнюйте канал (N), Vds, Id, Rds(on) при тому самому VGS, заряд затвора і корпус D2PAK. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • Керування живленням у DC/DC перетворювачах (Power Management for DC/DC)
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити HYG023N04LS1B?

Шукайте N-канальний MOSFET у D2PAK з Vds не нижче 40 В, струмом Id, близьким до 170 А при Tc 25 °C, і Rds(on) не вищим за 2.6 мОм (макс.) при VGS 10 В. Якщо Qg удвічі більший за 58.7 нКл, перевірте драйвер затвора.

Який корпус у HYG023N04LS1B?

D2PAK (TO-263-2L), код корпусу B.

Яка напруга відкриття затвора?

Порогова напруга Vgs(th) 1–3 В при VDS = VGS, IDS 250 мкА. Rds(on) нормовано при VGS 10 В і 4.5 В.

Datasheet

Документація виробника: HYG023N04LS1B (HUAYI).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

HYG023N04LS1B (HUAYI) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)202 А
Струм Id (100 °C)143 А
Rds(on)3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А
Vgs(th)2–4 В при Id 250 мкА
Qg103.6 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd271 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
ВиробникIPS
СтанОригінал

Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Trench Gate
Напруга Vdss250 В
Струм Id25 (Tc 25 °C)50 А
Rds(on)60 мОм (макс.) при Vgs 10 В
Vgs(th)3.0–5.0 В при Id 1 мА
Заряд затвора Qg(on)78 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання400 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В
Струм Id (25 °C)210 А
Струм Id (100 °C)148 А
Rds(on)2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Vgs(th)1.3–2.5 В при Id 250 мкА
Заряд затвора Qg239 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання310 Вт
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C
Rds(on)6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА
Заряд затвора Qg70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А
Вхідна ємність Ciss4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd130.5 Вт при TC 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.