Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор 6R199P ( IPP60R199CP ) оригінал демонтаж, TO220
141,00 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
6R199P (IPP60R199CP) – N-канальний MOSFET Infineon серії CoolMOS CP у корпусі TO220. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (VGS 0 В, ID 250 мкА, мін.; 650 В при Tj max) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 16 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 10 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0,199 Ом макс., 0,18 Ом тип. (VGS 10 В, ID 9,9 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 43 нКл макс. (VDD 400 В, ID 9,9 А, VGS 0…10 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 139 Вт (TC 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В тип. (2,5–3,5 В; VDS = VGS, ID 0,66 мА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (VSD 0,9 В, макс. 1,2 В при IF 9,9 А) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
6R199P (IPP60R199CP) – N-канальний MOSFET Infineon серії CoolMOS CP. Напруга Vds – 600 В (VGS 0 В, ID 250 мкА, мін.; 650 В при Tj max). Струм стоку Id – 16 А при TC 25 °C і 10 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0,199 Ом макс. (типово 0,18 Ом) при VGS 10 В, ID 9,9 А, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg – 32 нКл типово (макс. 43 нКл) при VDD 400 В, ID 9,9 А, VGS 0…10 В. Порогова напруга Vgs(th) – 3 В типово (2,5–3,5 В) при VDS = VGS, ID 0,66 мА. Потужність розсіювання Pd – 139 Вт при TC 25 °C, Tj до 150 °C. Вбудований діод: VSD 0,9 В (макс. 1,2 В) при IF 9,9 А, VGS 0 В; Qrr 5,5 мкКл при VR 400 В. За документом, транзистор призначений для жорстко-ключових топологій: джерел живлення серверів і телеком-обладнання.
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Маркування на корпусі – 6R199P. Підбираючи заміну, порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on) при однаковому Vgs і корпус; якщо Qg заміни удвічі більший, перевірте драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Жорстко-ключові топології: джерела живлення серверів і телеком-обладнання
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити 6R199P?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO220 з не гіршими Vds, Id і Rds(on) при тому ж Vgs. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це те саме, що IPP60R199CP?
У назві товару 6R199P і IPP60R199CP вказані разом, параметри в описі взято з datasheet IPP60R199CP.
Для яких схем підходить?
За документом, для жорстко-ключових топологій: джерел живлення серверів і телеком-обладнання.
Документація виробника: IPP60R199CP (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.