Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO263-5 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема BTS442E2 оригінал, TO263-5
160,27 ₴
3 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
3 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
BTS442E2 – інтелектуальний ключ верхнього плеча Infineon (PROFET) у корпусі TO263-5. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO263-5 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | інтелектуальний ключ верхнього плеча (PROFET, N-канальний MOSFET) |
| Корпус | TO263-5 |
| Rds(on) тип. | 15 мОм (IL = 5 А, Vbb = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 18 мОм (IL = 5 А, Vbb = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Робоча напруга Vbb(on) | 4,5…42 В (Tj = -40…+150 °C) |
| Напруга живлення Vbb макс. | 63 В (Tj = 25 °C) |
| Номінальний струм IL(ISO) | 21 А (VON = 0,5 В, TC = 85 °C) |
| Обмеження струму IL(SCr) | 70 А |
| Розсіювана потужність Ptot | 167 Вт (DC, Tj = 25 °C) |
| Температура Tj | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
BTS442E2 – інтелектуальний ключ верхнього плеча Infineon серії PROFET: N-канальний MOSFET із діагностикою. Опір відкритого каналу Rds(on) – 15 мОм тип. і 18 мОм макс. при IL = 5 А, Vbb = 12 В, Tj = 25 °C. Робоча напруга Vbb(on) – 4,5…42 В при Tj = -40…+150 °C. Номінальний струм навантаження IL(ISO) – 21 А при VON = 0,5 В, TC = 85 °C, обмеження струму IL(SCr) – 70 А. Розсіювана потужність Ptot – 167 Вт (DC, Tj = 25 °C). Захист від перенапруги Vbb(AZ) – 63 В, load dump – 80 В при VA = 13,5 В, Ri = 2 Ом, RL = 1,1 Ом, td = 200 мс. Виводи: 1 GND, 2 IN, 3 Vbb (з'єднаний із теплоотводом), 4 ST, 5 OUT. Корпус PG-TO263-5-2 (SMD).
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте з datasheet тип ключа (верхнє плече, N-канал), корпус з розпіновкою, Rds(on), струм навантаження й межу напруги. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Ключ для заземлених навантажень 12 В і 24 В із діагностичним зворотним зв'язком, керування від мікроконтролера
- Резистивні, індуктивні й ємнісні навантаження
- Заміна електромеханічних реле й дискретних схем
Чим замінити BTS442E2?
Виробник у datasheet аналоги не називає, тому підбирайте заміну самостійно: ключ верхнього плеча того ж класу, у тому ж корпусі й з тією ж розпіновкою. Взаємозамінність перевіряйте, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм навантаження витримує BTS442E2?
Номінальний струм IL(ISO) – 21 А (тип.; мін. 17 А) при VON = 0,5 В, TC = 85 °C. Обмеження струму IL(SCr) – 70 А (повторюване, тип.; мін. 30 А).
Яка розпіновка BTS442E2?
Виводи: 1 GND, 2 IN, 3 Vbb (з'єднаний із теплоотводом), 4 ST, 5 OUT.
Документація виробника: Infineon PROFET BTS 442 E2 Smart Highside Power Switch, Data Sheet.
Параметри наведено за datasheet виробника Infineon (BTS 442 E2, 2010-01-26).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Мікросхема 24C04WP ( ST24C04WP , 24C04WBN6 , AT24C04N ), DIP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 4K (4096 біт) |
| Організація | 512 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема 24C08WP ( ST24C08WP , M24C08-WMN6TP ) оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 8K (8192 біт) |
| Організація | 1024 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.