Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор IRL1404 оригінал , TO220

216,20 ₴

16 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

16 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

IRL1404 – N-канальний польовий транзистор HEXFET (Infineon) на 40 В у корпусі TO220. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon (International Rectifier)
Тип каналуN-канал, логічний рівень керування
Напруга Vdss40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А)
Rds(on)не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs±20 В (абсолютний максимум)
КорпусTO-220
СтанОригінал
Опис

IRL1404 – N-канальний MOSFET серії HEXFET від Infineon (International Rectifier) у корпусі TO-220AB. Він з логічним рівнем керування: опір відкритого каналу нормується вже при Vgs 4,3 В. Напруга стік-витік Vdss – 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C). Струм стоку Id – 160 А при Tc 25 °C і VGS 10 В, але корпус обмежує його до 75 А. Rds(on) – не більше 4,0 мОм при VGS 10 В, ID 95 А і не більше 5,9 мОм при VGS 4,3 В, ID 40 А. Розсіювана потужність Pd – 200 Вт при Tc 25 °C. Вхідна ємність Ciss типово 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц).

Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте канал (потрібен N-канал), корпус, Vdss, Id та Rds(on) за однакових умов виміру; для швидкого перемикання дивіться ще заряд затвора Qg. Застосування: за даними datasheet, HEXFET MOSFET сьомого покоління з дуже низьким опором відкритого каналу, швидким перемиканням і повною лавинною стійкістю.

Де застосовують

  • HEXFET MOSFET сьомого покоління, дуже низький опір відкритого каналу, швидке перемикання, повна лавинна стійкість
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити IRL1404?

Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vdss не нижче 40 В, з таким самим або нижчим Rds(on) при порівнянній напрузі на затворі та достатнім струмом. Порівнюйте за datasheet за однакових умов виміру.

Чи можна керувати IRL1404 логічним рівнем?

Так, це транзистор з логічним рівнем керування: Rds(on) нормується при VGS 4,3 В (не більше 5,9 мОм при ID 40 А).

Який струм можна пропускати через IRL1404?

Datasheet вказує Id 160 А при Tc 25 °C і VGS 10 В, але в примітці струм обмежено корпусом до 75 А. Орієнтуйтеся на це обмеження.

Datasheet

Документація виробника: PD-95588A, IRL1404PbF HEXFET Power MOSFET.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

PD-95588A, IRL1404PbF HEXFET Power MOSFET Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (постійний)20 А при Ta 25 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Напруга відсічки Vgs(off)2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА
Заряд затвора Qg65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd140 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура каналу Tch150 °C
Вбудований діодє: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В
Струм Id (25 °C)210 А
Струм Id (100 °C)148 А
Rds(on)2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Vgs(th)1.3–2.5 В при Id 250 мкА
Заряд затвора Qg239 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання310 Вт
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )

В наявності

109,98 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss60 В
Струм Id (25 °C)200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А)
Струм Id (100 °C)140 А (розрахунково)
Rds(on)2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА
Qg155 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникRuichips
СтанОригінал

Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds500 В
Струм Id21 А (при 25 °C, макс.)
Імпульсний струм Id63 А (макс.)
Опір Rds(on)190 мОм (Vgs 10 В, макс.)
Заряд затвору Qg95 нКл (тип., Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.1–3.9 В
Потужність Ptot208 Вт (макс.)
Rth(j-c)0.6 К/Вт (макс.)
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5